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Research on band-to-band tunneling via discrete dopants near pn junctions in Si nanodevices

硅纳米器件中 pn 结附近离散掺杂剂的带间隧道效应研究

基本信息

批准号：
22K04216
负责人：
Moraru Daniel
金额：
$ 2.66万
依托单位：
Shizuoka University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2022
资助国家：
日本
起止时间：
2022-04-01 至 2025-03-31
项目状态：
未结题

项目摘要

The purpose of this research was to elucidate effects of discrete dopants in tunneling currents flowing in Si nanodevices. Exploration of tunneling via dopants in transistors is fundamental for such analysis, for which we studied silicon-on-insulator devices doped with phosphorus (P). As a main target, we also fabricated and studied pn/pin diodes with narrow depletion layers.We reported room-temperature single-electron tunneling in highly-doped SOI transistors, in which multiple-dopant quantum dots can be formed.At low concentrations, single-electron tunneling via single dopants has been analyzed experimentally and theoretically.We also reported steps in band-to-band tunneling current in nanoscale tunnel diodes, ascribed to energy states in the depletion layer.

本研究的目的是阐明离散掺杂剂在硅纳米器件中的隧穿电流流动的影响。在晶体管中通过掺杂剂的隧穿探索是这种分析的基础，为此，我们研究了掺杂磷（P）的绝缘体上硅器件。作为一个主要目标，我们还制备和研究了窄耗尽层pn/pin二极管，报道了高掺杂SOI晶体管中的室温单电子隧穿，其中可以形成多掺杂量子点，在低浓度下，单电子隧穿通过单掺杂进行了实验和理论分析，我们还报道了纳米级隧道二极管中带间隧穿电流的阶跃，这归因于耗尽层中的能量状态。

项目成果

期刊论文数量（0）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

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DOI：
发表时间：
2023
期刊：
影响因子：
0
作者：
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通讯作者：
and D. Moraru

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DOI：
10.35848/1882-0786/ac68cf
发表时间：
2022-06-01
期刊：
APPLIED PHYSICS EXPRESS
影响因子：
2.3
作者：
Jupalli, Taruna Teja;Debnath, Ananta;Moraru, Daniel
通讯作者：
Moraru, Daniel

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DOI：
10.1116/5.0097509
发表时间：
2023-01-01
期刊：
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影响因子：
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通讯作者：
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DOI：
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
0
作者：
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通讯作者：
D Moraru

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DOI：
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
0
作者：
R. S. Singh;K. Takagi;T. Aoki;J. Moon;Y. Neo;H. Mimura;and D. Moraru
通讯作者：
and D. Moraru

DOI：
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作者：
Firdaus Himma;Watanabe Tokinobu;Hori Masahiro;Moraru Daniel;Takahashi Yasuo;Fujiwara Akira;Ono Yukinori
通讯作者：
Ono Yukinori