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Study of two-dimensional Si Esaki diodes at ultra-high doping with semimetal behavior

Study of two-dimensional Si Esaki diodes at ultra-high doping with semimetal behavior
二维Si Esaki二极管超高掺杂半金属行为研究
批准号：
19K04529
负责人：
Moraru Daniel
金额：
$2.75万
依托单位：
Shizuoka University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2019
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2019-04-01 至 2022-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-19K04529/
关键词：
dopant atomssiliconnanodevicestunnelingEsaki diodesemimetaldonor-acceptor pairband-to-band tunnelingsilicon-on-insulatordonor-acceptor state

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Silicon electronics at atomic and molecular scales
原子和分子尺度的硅电子学
DOI： --
发表时间： 2021
期刊：
影响因子： --
作者： [R. S. Singh, K. Takagi, T. Aoki, J. Moon, Y. Neo, D. Moraru, and H. Mimura, D. Moraru]
通讯作者： D. Moraru
Study of Randomly-Formed Interacting Quantum Dots in Highly-Doped Si Junctionless Transistors
高掺杂硅无结晶体管中随机形成的相互作用量子点的研究
DOI： --
发表时间： 2021
期刊：
影响因子： --
作者： [T. Teja. Jupalli, G. Prabhudesai, A. Debnath, P. Jeevan Kumar, D. Moraru]
通讯作者： D. Moraru
Electrical characteristics of heavily-doped junctionless nanoscale silicon-on-insulator transistors with single-electron tunneling functionalities
具有单电子隧道功能的重掺杂无结纳米级绝缘体上硅晶体管的电特性
DOI： --
发表时间： 2020
期刊：
影响因子： --
作者： [T. T. Jupalli, G. Prabhudesai, A. Debnath, D. Moraru]
通讯作者： D. Moraru
Study of single-electron tunneling transport in high-concentration co-doped SOI-FETs
高浓度共掺杂SOI-FET单电子隧道传输研究
DOI： --
发表时间： 2022
期刊：
影响因子： --
作者： [T. T. Jupalli, T. Kaneko, S. Miura, C. Pandy, and D. Moraru]
通讯作者： and D. Moraru
共 37 条
    Research on band-to-band tunneling via discrete dopants near pn junctions in Si nanodevices
    • 批准号：
      22K04216
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额：
      $2.66万
    • 财政年份：
      2022
    • 负责人：
      Moraru Daniel
    • 依托单位：
      Shizuoka University
    Effect of energy filtering due to donor atoms near source edge in Si nano-transistors
    • 批准号：
      26820127
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
    • 资助金额：
      $2.58万
    • 财政年份：
      2014
    • 负责人：
      Moraru Daniel
    • 依托单位：
      Shizuoka University
    国内基金
    海外基金
    用于强磁场的位置灵敏型探测器技术研究
    基于有源微环谐振器的高速光学比特存储的机理与器件研究
    • 批准号：
      61006045
    • 项目类别：
      青年科学基金项目
    • 资助金额：
      23.0万元
    • 批准年份：
      2010
    • 负责人：
      黄庆忠
    • 依托单位：
      华中科技大学
    Silicon-Tethered 分子内 Corey-Chaykovsky 反应和 Tandem Heterocyclopropylolefin 环化反应研究
    • 批准号：
      20802044
    • 项目类别：
      青年科学基金项目
    • 资助金额：
      18.0万元
    • 批准年份：
      2008
    • 负责人：
      宋振雷
    • 依托单位：
      四川大学
    基于多孔硅键合氧化技术直接在绝缘体上制备无位错应变硅材料的研究
    • 批准号：
      60776018
    • 项目类别：
      面上项目
    • 资助金额：
      34.0万元
    • 批准年份：
      2007
    • 负责人：
      张轩雄
    • 依托单位：
      上海理工大学