Kubisches Bornitrid (c-BN) als Material für die Elektronik: Dotierungs-Effekte und erste Anwendungen

薄膜auf (001)Diamant and deren Dotierung mit Si in einen n-leitenden Zustand， sollen erste Diodenstrukturen类型：1)p-Diamant (als substrate)/n(Si)-cBN 2) Diamant- substrate (undotiert) / p-cBN (nomell undotiert)/n(Si)-cBN 3) Diamant- substrate (undotiert) / p-cBN (nomell undotiert)/着床Si (liefert n-cBN) aufgebaut werden。本文研究了p-n-p-晶体管结构、类型金刚石衬底(undotiert) / p-cBN（名义undotiert）/n(Si)- cbn / p-cBN präpariert及其特性。德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国Zur dotiung selbist sowohl - Ko-Deposition während des Filmwachstums einsetzbar als auch nachträgliche着床。在拉赫曼的项目中，他的“进步”计划将带来更多的好处。

Aufbauend auf eigenen experimentellen Vorarbeiten zur Herstellung epitaktischer c-BN Filme auf (001)Diamant und deren Dotierung mit Si in einen n-leitenden Zustand, sollen erste Diodenstrukturen vom Typ: 1) p-Diamant (als Substrat) / n(Si)-cBN 2) Diamant-Substrat (undotiert) / p-cBN (nominell undotiert)/n(Si)-cBN 3) Diamant-Substrat (undotiert) / p-cBN (nominell undotiert)/Implantation Si (liefert n-cBN) aufgebaut werden. Bei erfolgreichem Diodenverhalten kann dann auch eine erste p-n-p-Transistor-Struktur vom Typ Diamant- Substrat (undotiert) / p-cBN (nominell undotiert)/n(Si)-cBN/ p-cBN präpariert und charakterisiert werden. Die genannten pn-Aufbauten beruhen auf der Beobachtung, dass nominell undotierte c-BN Filme p-Leitung zeigen, welche durch Zudotierung von Si jedoch überkompensiert und in n-Leitung umgewandelt werden kann. Zur Dotierung selbst ist sowohl Ko-Deposition während des Filmwachstums einsetzbar als auch nachträgliche Implantation. Der letztere Prozess soll ebenfalls im Rahmen des Projektes noch weiter optimiert werden.