Kubisches Bornitrid (c-BN) als Material für die Elektronik: Dotierungs-Effekte und erste Anwendungen

在（001）金刚石和带Si的无引线支架上的金刚石和带Si的Dotierung的c-BN薄膜上进行本征实验，从典型的Diodenstrukturen开始：1）p-金刚石（als衬底）/ n（Si）-cBN 2）金刚石衬底3）金刚石-基体（undotiert）/p-cBN（nominellundotiert）/注入Si（liefertn-cBN）aufgebaut韦尔登。因此，二极管也可以采用典型的金刚石衬底（衬底）/ p-cBN（名义衬底）/n（Si）-cBN/ p-cBN的p-n-p晶体管结构，并具有韦尔登的特性。在电影制作过程中，c-BN电影的名字被命名为“镜头”，它可以通过对镜头的补偿和对镜头的韦尔登来实现。电影胶片的胶片沉积本身就是一种植入，也是一种移植。在项目实施过程中，这一进程仍然是最乐观的韦尔登。

Aufbauend auf eigenen experimentellen Vorarbeiten zur Herstellung epitaktischer c-BN Filme auf (001)Diamant und deren Dotierung mit Si in einen n-leitenden Zustand, sollen erste Diodenstrukturen vom Typ: 1) p-Diamant (als Substrat) / n(Si)-cBN 2) Diamant-Substrat (undotiert) / p-cBN (nominell undotiert)/n(Si)-cBN 3) Diamant-Substrat (undotiert) / p-cBN (nominell undotiert)/Implantation Si (liefert n-cBN) aufgebaut werden. Bei erfolgreichem Diodenverhalten kann dann auch eine erste p-n-p-Transistor-Struktur vom Typ Diamant- Substrat (undotiert) / p-cBN (nominell undotiert)/n(Si)-cBN/ p-cBN präpariert und charakterisiert werden. Die genannten pn-Aufbauten beruhen auf der Beobachtung, dass nominell undotierte c-BN Filme p-Leitung zeigen, welche durch Zudotierung von Si jedoch überkompensiert und in n-Leitung umgewandelt werden kann. Zur Dotierung selbst ist sowohl Ko-Deposition während des Filmwachstums einsetzbar als auch nachträgliche Implantation. Der letztere Prozess soll ebenfalls im Rahmen des Projektes noch weiter optimiert werden.