Elektronische Eigenschaften kubischer Bornitrid Filme

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Obwohl kubisches Bornitrid (c-BN) vergleichbar attraktive Eigenschaften bietet wie Diamant, war bis vor kurzem der Kenntnisstand zum Keimbildungs- und Wachstumsverhalten von c-BN Schichten deutlich hinter demjenigen für Diamantschichten zurück. Durch unsere jüngsten eigenen Vorarbeiten ist es nun gelungen, diesen Rückstand deutlich zu verkleinern: Auf (001) orientierten Diamantoberflächen ist es möglich, durch Deposition bei etwa 900°C 'epitaktische' c-BN Filme gleicher Orientierung zu wachsen. Damit eröffnet sich erstmalig die Perspektive, durch Dotierung die elektrischen Eigenschaften solcher Proben gezielt zu verändern, insbesondere p- und n-Leitfähigkeit einzustellen. Das vorliegende Projekt möchte auf der Basis dieser eigenen Vorarbeiten zur Epitaxie von c-BN Schichten auf Diamantsubstraten folgende Teilziele erreichen: Optimierung des neu gefundenen epitaktischen Wachstums dicker (größer als 0.5 µm) c-BN Filme auf Diamant. Dotireung solcher c-BN Filme durch Einbau von p- bzw. n-dotierenden Fremdatomen während des Wachstums und/oder durch Ionenimplantation. Untersuchung der elektrischen Eigenschaften mittels temperaturabhängiger Leitfähigkeits- und Hall-Effekt-Messungen.