Elektronische Eigenschaften kubischer Bornitrid Filme

立方氮化硼薄膜的电子特性

• 批准号: 5405642
• 负责人: Professor Dr. Paul Ziemann
• 金额: --
• 依托单位: Institut für Festkörperphysik
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Grants
• 财政年份: 2003
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 2002-12-31 至 2006-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5405642?language=en
• 关键词: Elektronische; Eigenschaften; kubischer; Bornitrid; Filme

Obwohl kubisches Bornitrid (c-BN) vergleichbar attraktive Eigenschaften bietet wie Diamant, war bis vor kurzem der Kenntnisstand zum Keimbildungs- und Wachstumsverhalten von c-BN Schichten deutlich hinter demjenigen für Diamantschichten zurück. Durch unsere jüngsten eigenen Vorarbeiten ist es nun gelungen, diesen Rückstand deutlich zu verkleinern: Auf (001) orientierten Diamantoberflächen ist es möglich, durch Deposition bei etwa 900°C 'epitaktische' c-BN Filme gleicher Orientierung zu wachsen. Damit eröffnet sich erstmalig die Perspektive, durch Dotierung die elektrischen Eigenschaften solcher Proben gezielt zu verändern, insbesondere p- und n-Leitfähigkeit einzustellen. Das vorliegende Projekt möchte auf der Basis dieser eigenen Vorarbeiten zur Epitaxie von c-BN Schichten auf Diamantsubstraten folgende Teilziele erreichen: Optimierung des neu gefundenen epitaktischen Wachstums dicker (größer als 0.5 µm) c-BN Filme auf Diamant. Dotireung solcher c-BN Filme durch Einbau von p- bzw. n-dotierenden Fremdatomen während des Wachstums und/oder durch Ionenimplantation. Untersuchung der elektrischen Eigenschaften mittels temperaturabhängiger Leitfähigkeits- und Hall-Effekt-Messungen.

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