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気相エピタキシャル成長法による半導体レーザ用結晶の成長

気相エピタキシャル成長法による半導体レーザ用結晶の成長
气相外延生长法半导体激光器用晶体的生长
批准号:
X00210----475609
负责人:
纐纈 明伯
金额:
$0.38万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份:
1979
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1979 至 --
关键词:

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表面再構成構造のマイクロバランスおよび光を用いたその場測定
化合物半導体ALE成長プロセスのその場観察
  • 批准号:
    05211207
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 资助金额:
    $1.09万
  • 财政年份:
    1993
  • 负责人:
    纐纈 明伯
  • 依托单位:
化合物半導体ALE成長プロセスのその場観察
  • 批准号:
    04227212
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 资助金额:
    $1.15万
  • 财政年份:
    1992
  • 负责人:
    纐纈 明伯
  • 依托单位:
化合物半導体ALE成長プロセスのその場観察
  • 批准号:
    03243211
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 资助金额:
    $1.73万
  • 财政年份:
    1991
  • 负责人:
    纐纈 明伯
  • 依托单位: