化合物半導体ALE成長プロセスのその場観察

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結晶成長のメカニズムを原子・分子レベルで究明する手段としてALE成長(原子層エピタキシー)の成長メカニズムに焦点を当て、ALE成長のその場観察システムを構築しALE成長のメカニズムを究明することを目的とした。§研究は次の2点を行なった。(1)GaAs-ALEをマイクロバランスを用いる方法、光吸収法を用いる方法でALE成長のその場測定を行なった。(2)ZnS Se三元混晶のALE成長を行い、原料送入比と固相組成の関係を明らかにした。§得られた成果を以下に示す。(1)0.01μgという測定感度のマイクロバランスとALE成長装置を組み合せたその場測定装置の構築が完成。(2)488nmアルゴンイオンレーザを用いる表面光吸収法とALE成長装置を組み合せわその場測定装置の構築が完成。(3)II-III種混晶ZnS Se三元系のALE成長が可能なことを明らかにした。(4)原料送入比と析出固相組成の関係より、ALE成長における成長組成は熱力学的に支配されていることを明らかにした。(5)(4)をさらに明らかにする目的で、ALE成長の熱力学的解析を行なった。