化合物半導体ALE成長プロセスのその場観察

化合物半导体ALE生长过程的原位观察

• 批准号: 04227212
• 负责人: 纐纈 明伯
• 金额: $ 1.15万
• 依托单位: Tokyo University of Agriculture and Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
• 财政年份: 1992
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1992 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-04227212/
• 关键词: 原子層エピタキシー; ALE; 原子・分子レベル; その場測定; 成長メカニズム

結晶成長のメカニズムを原子・分子レベルで究明する手段としてALE成長(原子層エピタキシー)の成長メカニズムに焦点を当て、ALE成長のその場観察システムを構築しALE成長のメカニズムを究明することを目的とした。§研究は次の2点を行なった。(1)GaAs-ALEをマイクロバランスを用いる方法、光吸収法を用いる方法でALE成長のその場測定を行なった。(2)ZnS Se三元混晶のALE成長を行い、原料送入比と固相組成の関係を明らかにした。§得られた成果を以下に示す。(1)0.01μgという測定感度のマイクロバランスとALE成長装置を組み合せたその場測定装置の構築が完成。(2)488nmアルゴンイオンレーザを用いる表面光吸収法とALE成長装置を組み合せわその場測定装置の構築が完成。(3)II-III種混晶ZnS Se三元系のALE成長が可能なことを明らかにした。(4)原料送入比と析出固相組成の関係より、ALE成長における成長組成は熱力学的に支配されていることを明らかにした。(5)(4)をさらに明らかにする目的で、ALE成長の熱力学的解析を行なった。

Crystal growth の メ カ ニ ズ ム を atoms, molecules レ ベ ル で investigate Ming す る means と し て ALE growth (atomic layer エ ピ タ キ シ ー) の growth メ カ ニ ズ ム に focus を when て, ALE growth の そ の field 観 examine シ ス テ ム を build し ALE grow の メ カ ニ ズ ム を investigate Ming す る こ と を purpose と し た. § Study the を line なった of the second point を. (1) GaAs - ALE を マ イ ク ロ バ ラ ン ス を with い る method, light 収 を with い る method で ALE grow の そ の field measurement line を な っ た. (2) The <s:1> ALE growth of ZnS Se ternary mixed crystals is を rows を, and the feed of raw materials is more than the と solid phase composition <s:1> relationship is を clear ら に に た た. § られた results を are shown at に す. (1) 0.01 mu g と い う measurement sensitivity の マ イ ク ロ バ ラ ン ス と ALE growth device を group み close せ た そ の の build が complete field measurement device. (2), 488 nm ア ル ゴ ン イ オ ン レ ー ザ を with い る normal suction 収 と ALE growing device を group み close せ わ そ の の build が complete field measurement device. (3) The <s:1> ALE growth of the II-III mixed ZnS Se ternary system is が possibly な とを とを bright ら に に に た た. (4) of raw materials into the solid precipitation than と の masato is よ り, ALE growth に お け る growth of は thermodynamic に dominate さ れ て い る こ と を Ming ら か に し た. (5)(4)をさらに clarify らに する purpose で, ALE growth <s:1> thermodynamic analysis を lines なった.

项目成果

A.Koukitu,H.Ikeda,T.Miyazawa and H.Seki: "Growth and Thermodyndmic Analysis of Atomic Layer Epitaxy of ZnSxSe_<1-x>" Jpn.J.Appl.Phys.31. L1463-L1466 (1992)

A.Koukitu、H.Ikeda、T.Miyazawa 和 H.Seki：“ZnSxSe_<1-x> 原子层外延的生长和热力学分析”Jpn.J.Appl.Phys.31。

A.Koukitu,T.Miyazawa,H.Ikeda and H.Seki: "Atomospheric Pressure Atomic Layer Epitaxy of ZnS Using Zn and H_2S" J.Crystal.Growth. 123. 92-100 (1992)

A.Koukitu、T.Miyazawa、H.Ikeda 和 H.Seki：“使用 Zn 和 H_2S 进行 ZnS 的大气压原子层外延”J.Crystal.Growth。

H.Ikeda,Y.Nishiyama,A.Koukitu and H.Seki: "Vapor Phase Epitaxy of In Ga AsP by the Chioride Sihgle Flat Temperature Zone Method." J.Crystal Growth. 123. 213-220 (1992)

H.Ikeda、Y.Nishiyama、A.Koukitu 和 H.Seki：“通过 Chioride Sihgle 平坦温度区方法进行 In Ga AsP 的气相外延。”