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化合物半導体ALE成長プロセスのその場観察

化合物半导体ALE生长过程的原位观察

基本信息

批准号：
05211207
负责人：
纐纈明伯
金额：
$ 1.09万
依托单位：
Tokyo University of Agriculture and Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
1993
资助国家：
日本
起止时间：
1993 至无数据
项目状态：
已结题

项目摘要

原子層エピタキシー(Atomic Layer Epitaxy,ALE)は自己停止機能を有し、原子・分子層単位での成長が可能な成長方法である。さらに、この方法は結晶の成長過程を分解して調べることができることから、結晶成長のメカニズムを原子・分子のレベルで調べる手段として有効である。本重点領域研究で、我々はマイクロバランスとALE成長装置を組合わせた(1)Gravimetricな方法、およびSPA法とALE成長装置を組合わせた(2)表面光吸収法により、GaAsハロゲン系ALE成長プロセスのその場測定を行なってきた。その結果を以下に述べる。(1)Gravimetricなその場測定により一サイクル当たりの成長量のリアルタイムな測定が可能なことを示し、これにより従来、平均値としてのみ得られていたALEの成長速度を一サイクルごとに1 layerの成長が起こっていることを明らかにした。(2)GaAs ALEにおける自己停止機能は、基板結晶へのGaClの供給によりAs表面が複合体により覆われることに起因していることを明らかにした。(3)He系でもH_2系と同様に広い範囲でALE成長が起こるり、He系での表面反応メカニズムはH_2系のそれと異なることを、初めて明らかにした。

Atomic Layer Epitaxy (ALE) has the ability to stop functioning on its own, and it is possible to grow a single unit at the atomic/molecular layer, as well as the growth method.さらに、このmethodはcrystallizationのgrowth processをdecompositionして Adjustmentべることができることから、 The method of crystallization and growth of atoms and molecules is effective and efficient. Research in this key area is based on the Gravimetric method and the ALE growth device combination (1) Gravimetric method and SPA method. ALE growth equipment combination (2) Surface light absorption method and GaAs Hibernation system ALE growth field measurement method. The results are described below. (1) Gravimetric なそのfield measurement により一サイクルたりのgrowth amount のリアルタイムなmeasurement がAble to show, これにより従来, average 値としてのみ得られていたALEのgrowth rateを一サイクルごとに1 layerのgrowthが出こっていることを明らかにした. (2)GaAs ALE's self-stopping function, substrate crystallization and GaCl supply's A s surfaceがcomplexによりOVERわれることにcauseしていることを明らかにした. (3)He system でもH_2 system と同様に広いfan囲でALE growth が出こるり、He system でH_2 series of のそれとdifferent なることを, 初めて明らかにした.