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表面再構成構造のマイクロバランスおよび光を用いたその場測定

使用微天平和光对表面重建结构进行原位测量

基本信息

批准号：
08650006
负责人：
纐纈明伯
金额：
$ 1.41万
依托单位：
Tokyo University of Agriculture and Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
1996
资助国家：
日本
起止时间：
1996 至无数据
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-08650006/
关键词：
その場測定マイクロバランス光 GaAs 再構成表面解離吸着

项目摘要

本研究では、結晶成長時にエネルギーを安定させるために成長最表面で起こる結晶内部と周期の異なる表面再構成構造のその場測定を行い、結晶方位や成長条件により多く存在する再構成構造を明らかにするために、以下の研究を行った。1.現在、電子線などを用いた高真空中の観察で明らかになっている種々の再構成構造をマイクロバランスを用いたその場観察方法で定量的に明らかにする、2.高真空中でなく、実際の結晶成長が行われる常圧付近の再構成表面を光を用いたその場測定装置で明らかにする。その結果、常圧においてGaAs(001)GaおよびGaAs(001)As表面の再構成構造が明らかになった。具体的には、GaAs(001)Ga面においては、キャリヤ-ガスである水素が最表面のGa原子に解離吸着し、Ga-Gaダイマー構造がAs_2-Ga-HのSP2結合に変化する、また、水素分圧と水素原子の表面被覆率の関係を明らかにした。さらに、GaAs(001)As面からのAs脱離により、常圧でも(2x4)再構成面が形成されることを定量的に初めて明らかにした。

In this study, the structure of the inner surface of the crystal and the periodic structure of the inner surface of the crystal are reconstructed during the crystal growth. The determination of the field and the growth conditions of the crystal orientation and the presence of multiple structures and the reconstruction of the structure are carried out, and the following research is carried out. 1. Now, the electronic wire is used to inspect the electron wire in high vacuum. The reconstructed structure of the species is quantified using the field observation method of the いたそのfield observation methodに明らかにする, 2. でなく in high vacuum, and が行われるoften pressure pay close to the reconstructed surface をlight を using the いたそのfield measuring device で明らかにする. As a result, the reconstructed structure of the surface of GaAs(001)GaおよびGaAs(001)As is as follows. Specifically, GaAs (001) Ga surface Ga surface Ga atom, Ga-Ga The structure of As_2-Ga-HのSP2 combines the relationship between hydrogenation, hydrogenation, hydrogen decomposition and surface coverage of hydrogen atoms.さらに, GaAs(001)As surface からのAs separated により, constant pressure でも(2x4) reconstituted surface がformation されることをquantitative にInitially めて明らかにした.