磁性人工格子を用いたホットエレクトロン伝導制御の試み
尝试使用磁性人工晶格控制热电子传导
基本信息
- 批准号:09875082
- 负责人:
- 金额:$ 1.34万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
- 财政年份:1997
- 资助国家:日本
- 起止时间:1997 至 1998
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
半導体超格子の分野では,フェルミ面上より上の高いエネルギーを持つホットエレクトロンを作り,積極的に利用するデバイスの研究などがなされている。そこで,本研究ではこのホットエレクトロンのスピンを磁性人工格子の巨大磁気抵抗(GMR)効果を利用してコントロールすることを提案し,全く新しいデバイスの開発に繋げようとするものである。昨年はスピンバルブ膜で必要な反強磁性体をNiOの絶縁膜で作製し,これをトンネル障壁として用いることを検討した。その結果,界面の凹凸が磁気特性に大きく影響を与えること,また上部に積層した方がその影響を抑えられることが分かり,その結果を1998年6月にカナダで開催された金属人工格子のシンポジウムで発表した。本年は,n-Si基板上にAuをスパッタし,そのI-V特性を測定し,良好なショットキー障壁の再現性を試みた。さらに金属マスクを用いて膜を作製し,試料の電流・電圧特性よりマスク交換の最適化をはかった。その結果AuとGMR部,GMR部と絶縁層間ではマスクを交換したほうが良いことがわかった。そして3端子構造により,低温ではあるがホットエレクトロン電流のGMR素子による制御を試みた。
The semiconductor superlattice is divided into two parts, and the semiconductor superlattice is divided into two parts. The semiconductor superlattice is divided into three parts, and the semiconductor superlattice is divided into three parts. In this paper, we propose a new method for the development of magnetic artificial lattice with giant magnetic resistance (GMR). In the past year, it has been necessary to make antiferromagnetic NiO insulating films. As a result, the magnetic properties of the interface are greatly influenced by the surface roughness, and the upper layer is affected by the surface roughness. In June 1998, the surface roughness of the metal artificial lattice was developed. This year, Au on n-Si substrates was tested for I-V characteristics, and good barrier reproducibility was tested. For the preparation of metal films, the current and voltage characteristics of the samples are optimized. The result is Au GMR,GMR, and the interlayer is good. 3 terminal structure, low temperature, low temperature,
项目成果
期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
M.Jimbo: "Exchange Coupling of NiO/CoFeB Films" J.Magn. Magn.Mat. (1999)
M.Jimbo:“NiO/CoFeB 薄膜的交换耦合”J.Magn。
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