Fabrication of highly efficient luminescence of rare-earth doped nitride semiconductors by control of local structures around rare-earth ions
通过控制稀土离子周围的局部结构制造稀土掺杂氮化物半导体的高效发光
基本信息
- 批准号:26820113
- 负责人:
- 金额:$ 2.58万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
- 财政年份:2014
- 资助国家:日本
- 起止时间:2014-04-01 至 2016-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Enhancement in light efficiency of a GaN:Eu red light-emitting diode by pulse-controlled injected charges
通过脉冲控制注入电荷提高 GaN:Eu 红色发光二极管的光效率
- DOI:10.1063/1.4900840
- 发表时间:2014
- 期刊:
- 影响因子:4
- 作者:M. Ishii;A. Koizumi;and Y. Fujiwara
- 通讯作者:and Y. Fujiwara
Towards highly efficient wavelength-stable red light-emitting diodes using Eu-doped GaN
使用 Eu 掺杂 GaN 开发高效波长稳定的红色发光二极管
- DOI:
- 发表时间:2016
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Y. Fujiwara;T. Inaba;B. Mitchell;T. Kojima;and A. Koizumi
- 通讯作者:and A. Koizumi
OMVPE 法によるEu 添加InxGa1-xNの作製とEu発光特性評価
OMVPE法制备Eu掺杂InxGa1-xN及Eu发射特性评价
- DOI:
- 发表时间:2015
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:高津潤一;山中柊平;松田将明;小泉淳;児島貴徳;藤原康文
- 通讯作者:藤原康文
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ patent.updateTime }}
KOIZUMI ATSUSHI其他文献
人工知能を用いた頚椎単純X線像に基づく頚椎後縦靭帯骨化症,頚椎症,正常例の鑑別診断
基于颈椎X线平片的人工智能鉴别诊断颈椎后纵韧带骨化症、颈椎病与正常病例
- DOI:
- 发表时间:
2021 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
NAKAJIMA SHIORI;INOUE TAKAMITSU;HUANG MINGGUO;TAKAYAMA KOICHIRO;KASHIMA SOKI;YAMAMOTO RYOHEI;KOIZUMI ATSUSHI;NARA TAKETOSHI;NUMAKURA KAZUYUKI;SAITO MITSURU;NARITA SHINTARO;MIURA MASATOMO;SATOH SHIGERU;HABUCHI TOMONORI;三浦正敬,牧聡,三浦紘世,高橋宏,宮城正行,井上玄,村田寿馬,小西隆允,古矢丈雄,大鳥精司,山崎正志 - 通讯作者:
三浦正敬,牧聡,三浦紘世,高橋宏,宮城正行,井上玄,村田寿馬,小西隆允,古矢丈雄,大鳥精司,山崎正志
Does the Addition of Abiraterone to Castration Affect the Reduction in Bone Mineral Density?
去势中添加阿比特龙是否会影响骨密度的降低?
- DOI:
10.21873/invivo.12167 - 发表时间:
2020 - 期刊:
- 影响因子:2.3
- 作者:
NAKAJIMA SHIORI;INOUE TAKAMITSU;HUANG MINGGUO;TAKAYAMA KOICHIRO;KASHIMA SOKI;YAMAMOTO RYOHEI;KOIZUMI ATSUSHI;NARA TAKETOSHI;NUMAKURA KAZUYUKI;SAITO MITSURU;NARITA SHINTARO;MIURA MASATOMO;SATOH SHIGERU;HABUCHI TOMONORI - 通讯作者:
HABUCHI TOMONORI
KOIZUMI ATSUSHI的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
相似海外基金
III属窒化物半導体のイオン注入不純物活性化機構の解明と点欠陥制御
阐明III族氮化物半导体中的离子注入杂质激活机制和点缺陷控制
- 批准号:
23K21082 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 2.58万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
希薄窒化物半導体発光層の複層化による室温での電界駆動超高速偏光変調の実現
多层稀氮化物半导体发光层实现室温电场驱动超快偏振调制
- 批准号:
24KJ0297 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 2.58万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
多結晶シリコン基板を用いたⅢ族窒化物半導体面状発光デバイスの開発に関する研究
使用多晶硅衬底的III族氮化物半导体平面发光器件的开发研究
- 批准号:
24K07603 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 2.58万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
界面電荷・歪分極エンジニアリングの併用による窒化物半導体デバイス閾値電圧制御
使用界面电荷和应变极化工程控制氮化物半导体器件的阈值电压
- 批准号:
23K22815 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 2.58万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
窒化物半導体AlGaNの非極性面成長と深紫外LED応用
氮化物半导体AlGaN的非极性面生长及深紫外LED应用
- 批准号:
23K23238 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 2.58万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
窒化物半導体における選択極性反転技術の構築とn型p型領域同時形成への応用の研究
氮化物半导体选择性极性反转技术的构建及其在n型和p型区域同时形成中的应用研究
- 批准号:
24H00425 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 2.58万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
光量子コンピューティング用窒化物半導体モノリシック光集積デバイスに関する研究
用于光量子计算的氮化物半导体单片光集成器件研究
- 批准号:
23K26572 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 2.58万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
窒化物半導体結晶成長における三次元格子整合エピタキシーの追究
氮化物半导体晶体生长中三维晶格匹配外延的追求
- 批准号:
24K01366 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 2.58万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
半導体デバイス排熱の有効利用に向けた窒化物半導体の熱電特性解明と性能向上
阐明氮化物半导体的热电特性和性能改进,以有效利用半导体器件废热
- 批准号:
23K26148 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 2.58万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
希薄窒化物半導体の光・電子・スピン機能性が拓く室温光スピントロニクスの新展開
稀氮化物半导体的光学、电子和自旋功能开发的室温光学自旋电子学新进展
- 批准号:
24K00913 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 2.58万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)