Fabrication of highly efficient luminescence of rare-earth doped nitride semiconductors by control of local structures around rare-earth ions
Fabrication of highly efficient luminescence of rare-earth doped nitride semiconductors by control of local structures around rare-earth ions
通过控制稀土离子周围的局部结构制造稀土掺杂氮化物半导体的高效发光
批准号：
26820113
负责人：
KOIZUMI ATSUSHI
金额：
$2.58万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份：
2014
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2014-04-01 至 2016-03-31
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Eu添加GaNにおけるEuイオンの価数制御
Eu 掺杂 GaN 中 Eu 离子价态的控制
Eu 掺杂 GaN 中 Eu 离子价态的控制
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[布川拓未, 小泉淳, 松田将明, 朱婉新, 藤原康文]
通讯作者：
藤原康文
藤原研究室
藤原实验室
藤原实验室
DOI：
--
发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
Enhancement in light efficiency of a GaN:Eu red light-emitting diode by pulse-controlled injected charges
通过脉冲控制注入电荷提高 GaN:Eu 红色发光二极管的光效率
通过脉冲控制注入电荷提高 GaN:Eu 红色发光二极管的光效率
DOI：
10.1063/1.4900840
发表时间：
2014
期刊：
Applied Physics Letters
影响因子：
4
作者：
[M. Ishii, A. Koizumi, and Y. Fujiwara]
通讯作者：
and Y. Fujiwara
Towards highly efficient wavelength-stable red light-emitting diodes using Eu-doped GaN
使用 Eu 掺杂 GaN 开发高效波长稳定的红色发光二极管
使用 Eu 掺杂 GaN 开发高效波长稳定的红色发光二极管
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Y. Fujiwara, T. Inaba, B. Mitchell, T. Kojima, and A. Koizumi]
通讯作者：
and A. Koizumi
OMVPE 法によるEu 添加InxGa1-xNの作製とEu発光特性評価
OMVPE法制备Eu掺杂InxGa1-xN及Eu发射特性评价
OMVPE法制备Eu掺杂InxGa1-xN及Eu发射特性评价
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[高津潤一, 山中柊平, 松田将明, 小泉淳, 児島貴徳, 藤原康文]
通讯作者：
藤原康文
共 33 条
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