Development of metal salt coated insert sheet and their application to low temperature precise bonding

金属盐涂层插入片的研制及其在低温精密粘合中的应用

基本信息

  • 批准号:
    26820124
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 2.16万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
  • 财政年份:
    2014
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2014-04-01 至 2017-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
A5052/SUS316Lの接合強度に及ぼすギ酸塩被膜処理効果とその化学特性評価
甲酸盐涂层处理对A5052/SUS316L结合强度的影响及其化学性能评价
  • DOI:
  • 发表时间:
    2016
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    齋藤広輝;石原重憲;鶴岡茂樹;小山真司;荘司郁夫
  • 通讯作者:
    荘司郁夫
純Al/SUS304の固相接合強度に及ぼす金属塩生成処理の効果
金属盐生成处理对纯Al/SUS304固相结合强度的影响
  • DOI:
  • 发表时间:
    2016
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    齋藤広輝;小山真司
  • 通讯作者:
    小山真司
チタン材の接合方法
钛材料如何连接
  • DOI:
  • 发表时间:
    2015
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
SUS304鋼の直接固相接合強度に及ぼすギ酸・クエン酸を用いた金属塩被膜処理効果
甲酸和柠檬酸金属盐涂层对SUS304钢直接固相结合强度的影响
  • DOI:
  • 发表时间:
    2015
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Yohei Tomikawa;Shinji Koyama;西城舜哉,小山真司;冨川陽平,小山真司;常藤達礼,小山真司,白鳥智美;常藤達礼,小山真司,白鳥智美
  • 通讯作者:
    常藤達礼,小山真司,白鳥智美
Direct Bonding of Cu/Cu by metal salt generation bonding technique with formic acid and acetic acid
甲酸和乙酸金属盐生成键合技术直接键合 Cu/Cu
  • DOI:
  • 发表时间:
    2014
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Shinji Koyama;Naoki Hagiwara;Ikuo Shohji
  • 通讯作者:
    Ikuo Shohji
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

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{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

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    2024
  • 资助金额:
    $ 2.16万
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{{ showInfoDetail.title }}

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