Clarification of growth mechanism of high-quality iron-based superconductor films and construction of growth technique of films exhibiting high performance

阐明高质量铁基超导薄膜的生长机理及构建高性能薄膜生长技术

• 批准号: 25709058
• 负责人: Hiramatsu Hidenori
• 金额: $ 16.72万
• 依托单位: Tokyo Institute of Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
• 财政年份: 2013
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2013-04-01 至 2017-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-25709058/
• 关键词: パルスレーザー堆積法; エピタキシャル成長; 超伝導; 磁束ピニング; 臨界電流

项目成果

ZrCuSiAs型構造を有する鉄系超伝導体のヘテロエピタキシャル成長

ZrCuSiAs型结构铁基超导体的异质外延生长

• 发表时间: 2017
• 作者: 古川卓弥，石崎貴裕;金城 弘幸，ハインドル シルビア，平松 秀典，細野 秀雄
• 通讯作者: 金城 弘幸，ハインドル シルビア，平松 秀典，細野 秀雄

Molecular beam epitaxy growth of insulator-like FeSe thin films for direct induction of insulator-superconductor transition by electric field

类绝缘体 FeSe 薄膜的分子束外延生长用于电场直接诱导绝缘体-超导体转变

• 发表时间: 2016
• 作者: Kota Hanzawa;Hikaru Sato;Hidenori Hiramatsu;Toshio Kamiya;and Hideo Hoson
• 通讯作者: and Hideo Hoson

Vortex pinning property of phosphorous-doped BaFe2As2 epitaxial films: Comparison between (La,Sr)(Al,Ta)O3 and MgO substrates

磷掺杂 BaFe2As2 外延膜的涡旋钉扎特性：(La,Sr)(Al,Ta)O3 和 MgO 衬底的比较

• DOI: 10.1109/tasc.2014.2368073
• 发表时间: 2015
• 期刊: IEEE Trans. Appl. Supercond.
• 作者: H. Sato;H. Hiramatsu;T. Kamiya;and H. Hosono
• 通讯作者: and H. Hosono

High critical-current density with less anisotropy in BaFe2(As,P)2 epitaxial thin films: Effect of intentionally grown c-axis vortex-pinning centers

• DOI: 10.1063/1.4875956
• 发表时间: 2014-03
• 期刊: Applied Physics Letters
• 影响因子: 4
• 作者: Hikaru Sato;H. Hiramatsu;T. Kamiya;H. Hosono

Electric Double-Layer Transistors Using Iron-Based Layered Compounds

使用铁基层状化合物的电双层晶体管

• 发表时间: 2016
• 作者: Y. Okuyama;N. Ebihara;K. Okuyama;Y. Mizutani;H. Hiramatsu and H. Hosono
• 通讯作者: H. Hiramatsu and H. Hosono