Research on platform technologies for electronic-photonic integrated circuits based on III-V CMOS photonics

基于III-V CMOS光子学的电子光子集成电路平台技术研究

基本信息

批准号：
26709022
负责人：
Takenaka Mitsuru
金额：
$ 15.31万
依托单位：
The University of Tokyo
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
财政年份：
2014
资助国家：
日本
起止时间：
2014-04-01 至 2018-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（0）

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Low resistivity lateral P-I-N junction formed by Ni-InGaAsP alloy for carrier injection InGaAsP photonic devices

Ni-InGaAsP合金形成的低电阻率横向P-I-N结用于载流子注入InGaAsP光子器件

DOI：
10.7567/jjap.55.04eh04
发表时间：
2016
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
Jin-Kwon Park;Mitsuru Takenaka and Shinichi Takagi
通讯作者：
Mitsuru Takenaka and Shinichi Takagi

CMOS photonics technologies based on heterogeneous integration of SiGe/Ge and III-V on Si

基于SiGe/Ge和III-V族在Si上异质集成的CMOS光子技术

DOI：
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
0
作者：
M. Takenaka;Y. Kim;J. Han;J. Kang;Y. Ikku;Y. Cheng;J. Park;and S. Takagi
通讯作者：
and S. Takagi

III-V-OI基板上における量子井戸インターミキシングの検討

III-V-OI 衬底上量子阱混合的考虑

DOI：
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
0
作者：
高島成也;一宮佑希;竹中充;高木信一
通讯作者：
高木信一

Optimization of modulation efficiency of InGaAsP/Si hybrid MOS optical modulator

InGaAsP/Si混合MOS光调制器调制效率优化

DOI：
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
0
作者：
Q. Li;S. Takagi;and M. Takenaka
通讯作者：
and M. Takenaka

The influence of III-V on insulator structure on quantum well intermixing

III-V族绝缘体结构对量子阱混合的影响

DOI：
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
0
作者：
S. Takashima;Y. Ikku;M. Takenka;and S. Takagi
通讯作者：
and S. Takagi

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Takenaka Mitsuru其他文献

Ge-on-insulator Platform for Mid-infrared Photonic Integrated Circuits

用于中红外光子集成电路的绝缘体上Ge平台

DOI：
10.1149/10904.0047ecst
发表时间：
2022
期刊：
ECS Transactions
影响因子：
0
作者：
Takenaka Mitsuru;Zhao Ziqiang;Ho Chong Pei;Fujigaki Takumi;Piyapatarakul Tipat;Miyatake Yuto;Tang Rui;Toprasertpong Kasidit;Takagi Shinichi
通讯作者：
Takagi Shinichi

Metal?oxide?semiconductor interface properties of TiN/Y2O3/Si0.62Ge0.38 gate stacks with high temperature post-metallization annealing

TiN/Y2O3/Si0.62Ge0.38栅叠层高温金属化后退火的金属氧化物半导体界面特性

DOI：
10.1063/1.5144198
发表时间：
2020
期刊：
Journal of Applied Physics
影响因子：
3.2
作者：
Lee Tsung-En;Ke Mengnan;Kato Kimihiko;Takenaka Mitsuru;Takagi Shinichi
通讯作者：
Takagi Shinichi

Non-volatile compact optical phase shifter based on Ge2Sb2Te5 operating at 2.3 μm

基于 Ge2Sb2Te5 工作波长为 2.3 μm 的非易失性紧凑型光学移相器

DOI：
10.1364/ome.473987
发表时间：
2022
期刊：
Optical Materials Express
影响因子：
2.8
作者：
Miyatake Yuto;Ho Chong Pei;Pitchappa Prakash;Singh Ranjan;Makino Kotaro;Tominaga Junji;Miyata Noriyuki;Nakano Takashi;Toprasertpong Kasidit;Takagi Shinichi;Takenaka Mitsuru
通讯作者：
Takenaka Mitsuru

Platform for Humanities Open Data

人文开放数据平台

DOI：
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
0
作者：
Xiao Ting-Hui;Zhao Ziqiang;Zhou Wen;Takenaka Mitsuru;Tsang Hon Ki;Cheng Zhenzhou;Goda Keisuke;SHOICHIRO HARA and AKIHIRO KAMEDA
通讯作者：
SHOICHIRO HARA and AKIHIRO KAMEDA

Accurate evaluation of specific contact resistivity between InAs/Ni?InAs alloy using a multi-sidewall transmission line method

采用多侧壁传输线法准确评估InAs/Ni?InAs合金之间的比接触电阻率

DOI：
10.35848/1347-4065/ab6cb3
发表时间：
2020
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
Sumita Kei;Kato Kimihiko;Takeyasu Jun;Toprasertpong Kasidit;Takenaka Mitsuru;Takagi Shinichi
通讯作者：
Takagi Shinichi