Research on platform technologies for electronic-photonic integrated circuits based on III-V CMOS photonics
基于III-V CMOS光子学的电子光子集成电路平台技术研究
基本信息
- 批准号:26709022
- 负责人:
- 金额:$ 15.31万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
- 财政年份:2014
- 资助国家:日本
- 起止时间:2014-04-01 至 2018-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
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专利数量(0)
CMOS photonics technologies based on heterogeneous integration of SiGe/Ge and III-V on Si
基于SiGe/Ge和III-V族在Si上异质集成的CMOS光子技术
- DOI:
- 发表时间:2016
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:M. Takenaka;Y. Kim;J. Han;J. Kang;Y. Ikku;Y. Cheng;J. Park;and S. Takagi
- 通讯作者:and S. Takagi
Optimization of modulation efficiency of InGaAsP/Si hybrid MOS optical modulator
InGaAsP/Si混合MOS光调制器调制效率优化
- DOI:
- 发表时间:2017
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Q. Li;S. Takagi;and M. Takenaka
- 通讯作者:and M. Takenaka
Numerical analysis of InGaAsP carrier-depletion optical modulator on III-V CMOS photonics platform
III-V CMOS 光子学平台上 InGaAsP 载流子耗尽型光调制器的数值分析
- DOI:
- 发表时间:2016
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:N. Sekine;J. Han;M. Takenaka;and S. Takagi
- 通讯作者:and S. Takagi
The influence of III-V on insulator structure on quantum well intermixing
III-V族绝缘体结构对量子阱混合的影响
- DOI:
- 发表时间:2015
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:S. Takashima;Y. Ikku;M. Takenka;and S. Takagi
- 通讯作者:and S. Takagi
III-V-OI基板上における量子井戸インターミキシングの検討
III-V-OI 衬底上量子阱混合的考虑
- DOI:
- 发表时间:2015
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:高島 成也;一宮 佑希;竹中 充;高木 信一
- 通讯作者:高木 信一
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Takenaka Mitsuru其他文献
Ge-on-insulator Platform for Mid-infrared Photonic Integrated Circuits
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- DOI:
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- 影响因子:0
- 作者:
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Takagi Shinichi
Metal?oxide?semiconductor interface properties of TiN/Y2O3/Si0.62Ge0.38 gate stacks with high temperature post-metallization annealing
TiN/Y2O3/Si0.62Ge0.38栅叠层高温金属化后退火的金属氧化物半导体界面特性
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- 影响因子:3.2
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- DOI:
- 发表时间:
2017 - 期刊:
- 影响因子:0
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SHOICHIRO HARA and AKIHIRO KAMEDA
Non-volatile compact optical phase shifter based on Ge<sub>2</sub>Sb<sub>2</sub>Te<sub>5</sub> operating at 2.3 μm
基于 Ge<sub>2</sub>Sb<sub>2</sub>Te<sub>5</sub> 工作波长为 2.3 μm 的非易失性紧凑型光学移相器
- DOI:
10.1364/ome.473987 - 发表时间:
2022 - 期刊:
- 影响因子:2.8
- 作者:
Miyatake Yuto;Ho Chong Pei;Pitchappa Prakash;Singh Ranjan;Makino Kotaro;Tominaga Junji;Miyata Noriyuki;Nakano Takashi;Toprasertpong Kasidit;Takagi Shinichi;Takenaka Mitsuru - 通讯作者:
Takenaka Mitsuru
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通过后氧化和退火相结合的顶栅薄膜晶体管 TiN/Al2O3/ZnO 栅堆叠工程
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2018 - 期刊:
- 影响因子:4
- 作者:
Kato Kimihiko;Matsui Hiroaki;Tabata Hitoshi;Takenaka Mitsuru;Takagi Shinichi - 通讯作者:
Takagi Shinichi
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$ 15.31万 - 项目类别:
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$ 15.31万 - 项目类别:
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- 资助金额:
$ 15.31万 - 项目类别:
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- 资助金额:
$ 15.31万 - 项目类别:
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- 资助金额:
$ 15.31万 - 项目类别:
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- 批准号:
24KJ0954 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 15.31万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows