Research on platform technologies for electronic-photonic integrated circuits based on III-V CMOS photonics

基于III-V CMOS光子学的电子光子集成电路平台技术研究

基本信息

  • 批准号:
    26709022
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 15.31万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
  • 财政年份:
    2014
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2014-04-01 至 2018-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

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CMOS photonics technologies based on heterogeneous integration of SiGe/Ge and III-V on Si
基于SiGe/Ge和III-V族在Si上异质集成的CMOS光子技术
  • DOI:
  • 发表时间:
    2016
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    M. Takenaka;Y. Kim;J. Han;J. Kang;Y. Ikku;Y. Cheng;J. Park;and S. Takagi
  • 通讯作者:
    and S. Takagi
Optimization of modulation efficiency of InGaAsP/Si hybrid MOS optical modulator
InGaAsP/Si混合MOS光调制器调制效率优化
  • DOI:
  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Q. Li;S. Takagi;and M. Takenaka
  • 通讯作者:
    and M. Takenaka
Numerical analysis of InGaAsP carrier-depletion optical modulator on III-V CMOS photonics platform
III-V CMOS 光子学平台上 InGaAsP 载流子耗尽型光调制器的数值分析
  • DOI:
  • 发表时间:
    2016
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    N. Sekine;J. Han;M. Takenaka;and S. Takagi
  • 通讯作者:
    and S. Takagi
The influence of III-V on insulator structure on quantum well intermixing
III-V族绝缘体结构对量子阱混合的影响
  • DOI:
  • 发表时间:
    2015
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    S. Takashima;Y. Ikku;M. Takenka;and S. Takagi
  • 通讯作者:
    and S. Takagi
III-V-OI基板上における量子井戸インターミキシングの検討
III-V-OI 衬底上量子阱混合的考虑
  • DOI:
  • 发表时间:
    2015
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    高島 成也;一宮 佑希;竹中 充;高木 信一
  • 通讯作者:
    高木 信一
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Takenaka Mitsuru其他文献

Ge-on-insulator Platform for Mid-infrared Photonic Integrated Circuits
用于中红外光子集成电路的绝缘体上Ge平台
  • DOI:
    10.1149/10904.0047ecst
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Takenaka Mitsuru;Zhao Ziqiang;Ho Chong Pei;Fujigaki Takumi;Piyapatarakul Tipat;Miyatake Yuto;Tang Rui;Toprasertpong Kasidit;Takagi Shinichi
  • 通讯作者:
    Takagi Shinichi
Metal?oxide?semiconductor interface properties of TiN/Y2O3/Si0.62Ge0.38 gate stacks with high temperature post-metallization annealing
TiN/Y2O3/Si0.62Ge0.38栅叠层高温金属化后退火的金属氧化物半导体界面特性
  • DOI:
    10.1063/1.5144198
  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    3.2
  • 作者:
    Lee Tsung-En;Ke Mengnan;Kato Kimihiko;Takenaka Mitsuru;Takagi Shinichi
  • 通讯作者:
    Takagi Shinichi
Platform for Humanities Open Data
人文开放数据平台
  • DOI:
  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Xiao Ting-Hui;Zhao Ziqiang;Zhou Wen;Takenaka Mitsuru;Tsang Hon Ki;Cheng Zhenzhou;Goda Keisuke;SHOICHIRO HARA and AKIHIRO KAMEDA
  • 通讯作者:
    SHOICHIRO HARA and AKIHIRO KAMEDA
Non-volatile compact optical phase shifter based on Ge<sub>2</sub>Sb<sub>2</sub>Te<sub>5</sub> operating at 2.3 μm
基于 Ge<sub>2</sub>Sb<sub>2</sub>Te<sub>5</sub> 工作波长为 2.3 μm 的非易失性紧凑型光学移相器
  • DOI:
    10.1364/ome.473987
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    2.8
  • 作者:
    Miyatake Yuto;Ho Chong Pei;Pitchappa Prakash;Singh Ranjan;Makino Kotaro;Tominaga Junji;Miyata Noriyuki;Nakano Takashi;Toprasertpong Kasidit;Takagi Shinichi;Takenaka Mitsuru
  • 通讯作者:
    Takenaka Mitsuru
TiN/Al2O3/ZnO gate stack engineering for top-gate thin film transistors by combination of post oxidation and annealing
通过后氧化和退火相结合的顶栅薄膜晶体管 TiN/Al2O3/ZnO 栅堆叠工程
  • DOI:
    10.1063/1.5020080
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    4
  • 作者:
    Kato Kimihiko;Matsui Hiroaki;Tabata Hitoshi;Takenaka Mitsuru;Takagi Shinichi
  • 通讯作者:
    Takagi Shinichi

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    2024
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    $ 15.31万
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    2024
  • 资助金额:
    $ 15.31万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
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  • 批准号:
    23K26167
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 15.31万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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  • 批准号:
    23K23199
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 15.31万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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  • 批准号:
    24KJ0954
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 15.31万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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