Research on platform technologies for electronic-photonic integrated circuits based on III-V CMOS photonics
Research on platform technologies for electronic-photonic integrated circuits based on III-V CMOS photonics
基于III-V CMOS光子学的电子光子集成电路平台技术研究
批准号：
26709022
负责人：
Takenaka Mitsuru
金额：
$15.31万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
财政年份：
2014
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2014-04-01 至 2018-03-31
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CMOS photonics technologies based on heterogeneous integration of SiGe/Ge and III-V on Si
基于SiGe/Ge和III-V族在Si上异质集成的CMOS光子技术
基于SiGe/Ge和III-V族在Si上异质集成的CMOS光子技术
DOI：
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发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[M. Takenaka, Y. Kim, J. Han, J. Kang, Y. Ikku, Y. Cheng, J. Park, and S. Takagi]
通讯作者：
and S. Takagi
Optimization of modulation efficiency of InGaAsP/Si hybrid MOS optical modulator
InGaAsP/Si混合MOS光调制器调制效率优化
InGaAsP/Si混合MOS光调制器调制效率优化
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Q. Li, S. Takagi, and M. Takenaka]
通讯作者：
and M. Takenaka
Numerical analysis of InGaAsP carrier-depletion optical modulator on III-V CMOS photonics platform
III-V CMOS 光子学平台上 InGaAsP 载流子耗尽型光调制器的数值分析
III-V CMOS 光子学平台上 InGaAsP 载流子耗尽型光调制器的数值分析
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[N. Sekine, J. Han, M. Takenaka, and S. Takagi]
通讯作者：
and S. Takagi
The influence of III-V on insulator structure on quantum well intermixing
III-V族绝缘体结构对量子阱混合的影响
III-V族绝缘体结构对量子阱混合的影响
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[S. Takashima, Y. Ikku, M. Takenka, and S. Takagi]
通讯作者：
and S. Takagi
III-V-OI基板上における量子井戸インターミキシングの検討
III-V-OI 衬底上量子阱混合的考虑
III-V-OI 衬底上量子阱混合的考虑
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[高島 成也, 一宮 佑希, 竹中 充, 高木 信一]
通讯作者：
高木 信一
共 65 条
On-chip molecular sensing using Ge mid-infrared photonic integrated circuit
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批准号：20H02198
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额：$11.32万
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财政年份：2020
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负责人：Takenaka Mitsuru
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依托单位：
海外基金