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On-chip molecular sensing using Ge mid-infrared photonic integrated circuit

使用Ge中红外光子集成电路的片上分子传感

基本信息

批准号：
20H02198
负责人：
Takenaka Mitsuru
金额：
$ 11.32万
依托单位：
The University of Tokyo
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2020
资助国家：
日本
起止时间：
2020-04-01 至 2023-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（35）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

相変化材料を用いた中赤外光位相シフタの提案

使用相变材料的中红外光学移相器的提案

DOI：
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
0
作者：
宮武悠人;何鐘培;牧野孝太郎;富永淳二;宮田典幸;中野隆志;関根尚希;トープラサートポンカシディット;高木信一;竹中充
通讯作者：
竹中充

Numerical analysis of III-V MOS optical modulator with graphene transparent electrode for efficient phase modulation

用于高效相位调制的石墨烯透明电极 III-V MOS 光调制器的数值分析

DOI：
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
0
作者：
Tipat Piyapatarakul;Hanzhi Tang;Kasidit Toprasertpong;Shinichi Takagi;Mitsuru Takenaka
通讯作者：
Mitsuru Takenaka

Efficient optical phase modulator based on an III?V metal-oxide-semiconductor structure with a doped graphene transparent electrode

基于具有掺杂石墨烯透明电极的 III?V 金属氧化物半导体结构的高效光相位调制器

DOI：
10.35848/1347-4065/aca59c
发表时间：
2022
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
Piyapatarakul Tipat;Tang Hanzhi;Toprasertpong Kasidit;Takagi Shinichi;Takenaka Mitsuru
通讯作者：
Takenaka Mitsuru

Numerical analysis of optical phase modulator operating at 2 μm wavelength using graphene/III?V hybrid metal-oxide-semiconductor capacitor

使用石墨烯/III?V混合金属氧化物半导体电容器在2μm波长下工作的光相位调制器的数值分析

DOI：
10.35848/1347-4065/ac4443
发表时间：
2022
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
Piyapatarakul Tipat;Tang Hanzhi;Toprasertpong Kasidit;Takagi Shinichi;Takenaka Mitsuru
通讯作者：
Takenaka Mitsuru

Design of the III-V MOS optical modulator with doped graphene electrode for efficient, high-speed phase modulation

具有掺杂石墨烯电极的 III-V MOS 光调制器的设计，用于高效、高速相位调制

DOI：
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
0
作者：
T. Piyapatarakul;H. Tang;K. Toprasertpong;S. Takagi;and M. Takenaka
通讯作者：
and M. Takenaka

DOI：
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作者：
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Takenaka Mitsuru其他文献

Metal?oxide?semiconductor interface properties of TiN/Y2O3/Si0.62Ge0.38 gate stacks with high temperature post-metallization annealing

TiN/Y2O3/Si0.62Ge0.38栅叠层高温金属化后退火的金属氧化物半导体界面特性

DOI：
10.1063/1.5144198
发表时间：
2020
期刊：
Journal of Applied Physics
影响因子：
3.2
作者：
Lee Tsung-En;Ke Mengnan;Kato Kimihiko;Takenaka Mitsuru;Takagi Shinichi
通讯作者：
Takagi Shinichi

Platform for Humanities Open Data

人文开放数据平台

DOI：
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
0
作者：
Xiao Ting-Hui;Zhao Ziqiang;Zhou Wen;Takenaka Mitsuru;Tsang Hon Ki;Cheng Zhenzhou;Goda Keisuke;SHOICHIRO HARA and AKIHIRO KAMEDA
通讯作者：
SHOICHIRO HARA and AKIHIRO KAMEDA

TiN/Al2O3/ZnO gate stack engineering for top-gate thin film transistors by combination of post oxidation and annealing

通过后氧化和退火相结合的顶栅薄膜晶体管 TiN/Al2O3/ZnO 栅堆叠工程

DOI：
10.1063/1.5020080
发表时间：
2018
期刊：
APPLIED PHYSICS LETTERS
影响因子：
4
作者：
Kato Kimihiko;Matsui Hiroaki;Tabata Hitoshi;Takenaka Mitsuru;Takagi Shinichi
通讯作者：
Takagi Shinichi

Accurate evaluation of specific contact resistivity between InAs/Ni?InAs alloy using a multi-sidewall transmission line method

采用多侧壁传输线法准确评估InAs/Ni?InAs合金之间的比接触电阻率

DOI：
10.35848/1347-4065/ab6cb3
发表时间：
2020
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
Sumita Kei;Kato Kimihiko;Takeyasu Jun;Toprasertpong Kasidit;Takenaka Mitsuru;Takagi Shinichi
通讯作者：
Takagi Shinichi