Strukturanalyse von ternären Ni-Al-Si und Ni-Ga-Si-Dünnschichtsystemen

三元Ni-Al-Si和Ni-Ga-Si薄膜体系的结构分析

• 批准号: 88881056
• 负责人: Dr. Anna Mogilatenko
• 金额: --
• 依托单位: Ferdinand-Braun-Institut gGmbH, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik (FBH)
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Grants
• 财政年份: 2008
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 2007-12-31 至 2010-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/88881056?language=en
• 关键词: Strukturanalyse; von; tern; ren; Ni

Gegenstand aktueller Forschungen ist die Aufklärung der Struktur ternärer epitaktischer NiSi2-xAlx- und NiSi2-xGax-Silicidschichten auf dem technologisch relevanten Si(001). Für das Volumenmaterial führt die Substitution von Si durch Al bzw. Ga dazu, dass eine komplette Gitteranpassung gegenüber Si erreicht wird. Das deutet auf die Möglichkeit hin, nahezu defektfreie unverspannte epitaktische NiAlxSi2-x- bzw. NiGaxSi2-x-Schichten auf Si herzustellen. Auf diesem Gebiet liegen bisher für das Materialsystem Ni-Al-Si nur wenige und für das Materialsystem Ni-Ga-Si keine Untersuchungen zum Wachstum dünner ternärer Schichten vor. Auf der Grundlage der erstmaligen systematischen Untersuchungen der ternären Ni-Al-Si und Ni-Ga-Si Dünnschichtsysteme sollen deswegen Reaktionsverlauf und die Abhängigkeit der strukturellen Eigenschaften der Schichten von der Konzentration der Substitutionselemente als Funktion der Tempertemperatur aufgeklärt werden. Insbesondere sollen die grundlegenden Aspekte des Wachstums ternärer Nickelsilicide untersucht werden, wie zum Beispiel der Einbau der Substitutionselemente Al bzw. Ga in Abhängigkeit von der Tempertemperatur, Einfluss der Substitutionselemente auf die Gitterparameter der Silicidschichten, Spannungsrelaxation durch den Einbau von Grenzflächendefekten bzw. Wirkung der Substitutionselemente bei der Änderung der Schichtmorphologie und Schichtorientierung.

目前的研究主要是在Si（001）的相关技术上对NiSi 2-xAlx-和NiSi 2-xGax-硅化物进行结构改进。Für das Volumenmaterial führt die Substitution von Si durch Al bzw.如果你不介意的话，我会给你一个完整的吉他伴奏。第二次在金属上，它的自由度是NiAlxSi 2-x-bzw的外延。NiGaxSi 2-x-Schichten auf Si herzustellen. Ni-Al-Si材料体系的最佳工艺条件为：Ni-Al-Si材料体系的最佳工艺条件为：Ni-Ga-Si材料体系的最佳工艺条件为：Ni-Al-Si材料体系的最佳工艺条件为：通过对Ni-Al-Si和Ni-Ga-Si三元合金体系的初步研究，确定了三元合金体系的结构特征和替代元素的浓度与温度关系的关系，从而提高了韦尔登。因此，必须解决镍硅化物替代物的基本性能问题，如替代物的制造工艺。Ga在温度下的吸收，置换选择对硅基材料的几何参数的影响，以及通过增强体材料的膨胀松弛。替换的定义与Schichtmorphology和Schichtorientierung的概念有关。