Development of tandem type on-demand superconducting device of oxide degenerate semiconductor / nitride superconductor
Development of tandem type on-demand superconducting device of oxide degenerate semiconductor / nitride superconductor
氧化物简并半导体/氮化物超导串联式按需超导器件研制
批准号：
26420334
负责人：
Makise Kazumasa
金额：
$3.16万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2014
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2014-04-01 至 2017-03-31
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テラヘルツ帯ミキサ応用のためのSi基板上NbNトンネル接合の最適化
用于太赫兹带混频器应用的硅衬底上 NbN 隧道结的优化
用于太赫兹带混频器应用的硅衬底上 NbN 隧道结的优化
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[牧瀬圭正., 寺井弘高]
通讯作者：
寺井弘高
DOI：
10.1016/j.physe.2015.09.038
发表时间：
2016
期刊：
Physica E-low-dimensional Systems & Nanostructures
影响因子：
3.3
作者：
[K. Makise;Y. Matsubara;S. Tasaki;K. Mitsuishi;B. Shinozaki]
通讯作者：
K. Makise;Y. Matsubara;S. Tasaki;K. Mitsuishi;B. Shinozaki
Growth of (100)-oriented NbN thin films on Silicon substrate using TiN buffer layer
使用 TiN 缓冲层在硅衬底上生长 (100) 取向 NbN 薄膜
使用 TiN 缓冲层在硅衬底上生长 (100) 取向 NbN 薄膜
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[牧瀬圭正, 寺井弘高, 鵜澤佳徳]
通讯作者：
鵜澤佳徳
Diode like behavior in IZO junction with superconducting electrode at low temperatures
低温下具有超导电极的 IZO 结中的类似二极管行为
低温下具有超导电极的 IZO 结中的类似二极管行为
DOI：
--
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Makise K, Shinozaki B]
通讯作者：
Shinozaki B
DOI：
10.1088/0953-8984/29/1/015701
发表时间：
2017-01
期刊：
Journal of Physics: Condensed Matter
影响因子：
--
作者：
[T. Tsuneoka;K. Makise;S. Maeda;B. Shinozaki;F. Ichikawa]
通讯作者：
T. Tsuneoka;K. Makise;S. Maeda;B. Shinozaki;F. Ichikawa
共 6 条
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