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半導体/磁性体複合構造における量子伝導現象の理論的研究

半导体/磁性复合结构中量子传导现象的理论研究

基本信息

批准号：
10138209
负责人：
井上順一郎
金额：
$ 0.77万
依托单位：
Nagoya University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
财政年份：
1998
资助国家：
日本
起止时间：
1998 至无数据
项目状态：
已结题

项目摘要

半導体に微細加工を施し、新物性を見出し、それにより機能材料を創製する試みが非常に活発に行われている。その一つとして半導体へテロ接合での2次元電子ガスを用いた単電子トンネル効果の研究が挙げられる。そこでは、量子ドットと呼ばれる微小領域での帯電効果(クーロンブロッケード)が重要な役割を果たしている。最近では、量子ドットにスピンの自由度を導入することが注目を浴びている。本課題では、このような系における磁気抵抗効果を中心に研究を行った。本研究の対象は強磁性体(F)と常磁性体(P)の組み合わせからなる二重障壁構造を有する系である。組み合わせとして、強磁性体/常(強)磁性体/強磁性体を取り上げた。二つの強磁性体に挟まれた微小領域を以下ドットと呼ぶ。得られた主な結果は以下の通りである。●ドット内のスピン緩和時間がゼロの場合、ドットが常磁性体の場合には磁気抵抗は生じない。しかし、スピン緩和時間が長くなると、磁気抵抗効果が増大し、ドットが常磁性体でも磁気抵抗が生じる。●単一ドット系での磁気抵抗の測定にくらべ、強磁性トンネル接合の絶縁層にドットを埋めこんだハイブリッド型トンネル接合での測定は容易である。そこでドットに働く静電ポテンシャルとエネルギー準位が一様に分布していると仮定し、コンダクタンスと磁気抵抗の温度依存性を求めた。その結果、低温になると、磁気抵抗が増大すること、コンダクタンズが温度に比例して減少することが明らかになった。

Semiconductor microfabrication, discovery of new properties, creation of functional materials, and development of new technologies A study on the effect of two-dimensional electron bonding in semiconductor semiconductor semiconductor In the case of quantum physics, the effect of electromagnetism in a small field is important. Recently, quantum technology has been introduced into the world. This subject is about the research of magnetic resistance effect. In this study, the combination of ferromagnetic (F) and nonmagnetic (P) materials has been studied. The combination of ferromagnetic material/ferromagnetic material/ferromagnetic material is selected. Two ferromagnetic materials are contained in the following small areas. The main result is that there is no connection between the two.● In the case of permanent magnetic materials, the magnetic resistance is generated. For example, the relaxation time is longer, the magnetic resistance is larger, and the magnetic resistance is larger.● The measurement of magnetic resistance of a single magnetic system is easy to detect when the insulating layer of ferromagnetic material is bonded. The temperature dependence of the electrostatic resistance is determined by the temperature distribution of the electrostatic resistance and the magnetic resistance. As a result, the magnetic resistance increases at low temperatures and decreases at low temperatures.