Development of defect reduction method for a lattice-matched III-V-N / Si laser monolithically integrated on Si-chip
Development of defect reduction method for a lattice-matched III-V-N / Si laser monolithically integrated on Si-chip
开发单片集成在硅芯片上的晶格匹配 III-V-N / Si 激光器的缺陷减少方法
批准号：
25286049
负责人：
WAKAHARA Akihiro
金额：
$12.31万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2013
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2013-04-01 至 2016-03-31
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表面窒化を用いたGaAsN混晶のN組成制御
利用表面氮化控制 GaAsN 混晶的 N 成分
利用表面氮化控制 GaAsN 混晶的 N 成分
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[浦上法之, 山根啓輔, 関口寛人, 岡田浩, 若原 昭浩]
通讯作者：
若原 昭浩
III-N-based optoelectronic devices and their integration
III-N基光电器件及其集成
III-N基光电器件及其集成
DOI：
--
发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
--
作者：
[A Wakahara, N.Urakami, H.Itho, H. Okada, and H. Sekiguchi]
通讯作者：
and H. Sekiguchi
Si基板上格子整合系GaAsPN混晶の高品質化
Si 衬底上更高质量的晶格匹配 GaAsPN 混晶
Si 衬底上更高质量的晶格匹配 GaAsPN 混晶
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[麦倉俊, 浦上法之, 山根啓輔, 関口寛人, 岡田浩, 若原昭浩]
通讯作者：
若原昭浩
Growth of GaAsN quantum wells by using surface nitridation enhanced N incorporation
利用表面氮化增强氮掺入生长 GaAsN 量子阱
利用表面氮化增强氮掺入生长 GaAsN 量子阱
DOI：
--
发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[N. Urakami, H. Ito, H. Sekiguchi, H. Okada, A. Wakahara]
通讯作者：
A. Wakahara
III–V-N compounds for multi-junction solar cells on Si
用于硅上多结太阳能电池的 III-V-N 化合物
用于硅上多结太阳能电池的 III-V-N 化合物
DOI：
10.1109/pvsc.2014.6925509
发表时间：
2014
期刊：
2014 IEEE 40th Photovoltaic Specialist Conference (PVSC)
影响因子：
--
作者：
[K. Yamane, N. Urakami, H. Sekiguchi, A. Wakahara]
通讯作者：
A. Wakahara
共 8 条
Development of Optoelectronic Integrated Devices based on BIN-RE alloy semiconductor and Si
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批准号：17360160
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额：$10.28万
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财政年份：2005
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负责人：WAKAHARA Akihiro
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依托单位：
Investigation of Compositional Inhomogeneity in InAlGaN and Realization of Lattice-Matched Quantum Structure by Group-III Nitrides
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批准号：11650013
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额：$2.3万
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财政年份：1999
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负责人：WAKAHARA Akihiro
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依托单位：