Development of defect reduction method for a lattice-matched III-V-N / Si laser monolithically integrated on Si-chip

开发单片集成在硅芯片上的晶格匹配 III-V-N / Si 激光器的缺陷减少方法

• 批准号: 25286049
• 负责人: WAKAHARA Akihiro
• 金额: $ 12.31万
• 依托单位: Toyohashi University of Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• 财政年份: 2013
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2013-04-01 至 2016-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-25286049/
• 关键词: 結晶成長機構; III-V-N混晶; 表面超構造; 組成不均一; Si上ヘテロエピタキシー; 欠陥制御; 価電子制御; Si上ヘテロエピタキシャル成長; III-V-N; 無転位; ドーピング制御; ヘテロエピタキシー; Si基板; 分子線エピタキシー; 組成不均一性制御; 非輻射再結合中心; 組成揺らぎ

项目成果

表面窒化を用いたGaAsN混晶のN組成制御

利用表面氮化控制 GaAsN 混晶的 N 成分

• 发表时间: 2015
• 作者: 浦上法之;山根啓輔;関口寛人;岡田浩;若原 昭浩
• 通讯作者: 若原 昭浩

III-N-based optoelectronic devices and their integration

III-N基光电器件及其集成

• 发表时间: 2013
• 作者: A Wakahara;N.Urakami;H.Itho;H. Okada;and H. Sekiguchi
• 通讯作者: and H. Sekiguchi

Si基板上格子整合系GaAsPN混晶の高品質化

Si 衬底上更高质量的晶格匹配 GaAsPN 混晶

• 发表时间: 2015
• 作者: 麦倉俊;浦上法之;山根啓輔;関口寛人;岡田浩;若原昭浩
• 通讯作者: 若原昭浩

Growth of GaAsN quantum wells by using surface nitridation enhanced N incorporation

利用表面氮化增强氮掺入生长 GaAsN 量子阱

• 作者: N. Urakami;H. Ito;H. Sekiguchi;H. Okada;A. Wakahara
• 通讯作者: A. Wakahara

III–V-N compounds for multi-junction solar cells on Si

用于硅上多结太阳能电池的 III-V-N 化合物

• DOI: 10.1109/pvsc.2014.6925509
• 发表时间: 2014
• 期刊: 2014 IEEE 40th Photovoltaic Specialist Conference (PVSC)
• 作者: K. Yamane;N. Urakami;H. Sekiguchi;A. Wakahara
• 通讯作者: A. Wakahara