Development of defect reduction method for a lattice-matched III-V-N / Si laser monolithically integrated on Si-chip

开发单片集成在硅芯片上的晶格匹配 III-V-N / Si 激光器的缺陷减少方法

基本信息

  • 批准号:
    25286049
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 12.31万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 财政年份:
    2013
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2013-04-01 至 2016-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
表面窒化を用いたGaAsN混晶のN組成制御
利用表面氮化控制 GaAsN 混晶的 N 成分
  • DOI:
  • 发表时间:
    2015
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    浦上法之;山根啓輔;関口寛人;岡田浩;若原 昭浩
  • 通讯作者:
    若原 昭浩
III-N-based optoelectronic devices and their integration
III-N基光电器件及其集成
  • DOI:
  • 发表时间:
    2013
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    A Wakahara;N.Urakami;H.Itho;H. Okada;and H. Sekiguchi
  • 通讯作者:
    and H. Sekiguchi
Si基板上格子整合系GaAsPN混晶の高品質化
Si 衬底上更高质量的晶格匹配 GaAsPN 混晶
  • DOI:
  • 发表时间:
    2015
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    麦倉俊;浦上法之;山根啓輔;関口寛人;岡田浩;若原昭浩
  • 通讯作者:
    若原昭浩
Growth of GaAsN quantum wells by using surface nitridation enhanced N incorporation
利用表面氮化增强氮掺入生长 GaAsN 量子阱
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    N. Urakami;H. Ito;H. Sekiguchi;H. Okada;A. Wakahara
  • 通讯作者:
    A. Wakahara
III–V-N compounds for multi-junction solar cells on Si
用于硅上多结太阳能电池的 III-V-N 化合物
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Development of Optoelectronic Integrated Devices based on BIN-RE alloy semiconductor and Si
基于BIN-RE合金半导体和Si的光电集成器件的研制
  • 批准号:
    17360160
  • 财政年份:
    2005
  • 资助金额:
    $ 12.31万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Investigation of Compositional Inhomogeneity in InAlGaN and Realization of Lattice-Matched Quantum Structure by Group-III Nitrides
InAlGaN 成分不均匀性研究及 III 族氮化物晶格匹配量子结构的实现
  • 批准号:
    11650013
  • 财政年份:
    1999
  • 资助金额:
    $ 12.31万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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