Development of defect reduction method for a lattice-matched III-V-N / Si laser monolithically integrated on Si-chip
开发单片集成在硅芯片上的晶格匹配 III-V-N / Si 激光器的缺陷减少方法
基本信息
- 批准号:25286049
- 负责人:
- 金额:$ 12.31万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份:2013
- 资助国家:日本
- 起止时间:2013-04-01 至 2016-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
表面窒化を用いたGaAsN混晶のN組成制御
利用表面氮化控制 GaAsN 混晶的 N 成分
- DOI:
- 发表时间:2015
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:浦上法之;山根啓輔;関口寛人;岡田浩;若原 昭浩
- 通讯作者:若原 昭浩
III-N-based optoelectronic devices and their integration
III-N基光电器件及其集成
- DOI:
- 发表时间:2013
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:A Wakahara;N.Urakami;H.Itho;H. Okada;and H. Sekiguchi
- 通讯作者:and H. Sekiguchi
Si基板上格子整合系GaAsPN混晶の高品質化
Si 衬底上更高质量的晶格匹配 GaAsPN 混晶
- DOI:
- 发表时间:2015
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:麦倉俊;浦上法之;山根啓輔;関口寛人;岡田浩;若原昭浩
- 通讯作者:若原昭浩
Growth of GaAsN quantum wells by using surface nitridation enhanced N incorporation
利用表面氮化增强氮掺入生长 GaAsN 量子阱
- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:N. Urakami;H. Ito;H. Sekiguchi;H. Okada;A. Wakahara
- 通讯作者:A. Wakahara
III–V-N compounds for multi-junction solar cells on Si
用于硅上多结太阳能电池的 III-V-N 化合物
- DOI:10.1109/pvsc.2014.6925509
- 发表时间:2014
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:K. Yamane;N. Urakami;H. Sekiguchi;A. Wakahara
- 通讯作者:A. Wakahara
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Development of Optoelectronic Integrated Devices based on BIN-RE alloy semiconductor and Si
基于BIN-RE合金半导体和Si的光电集成器件的研制
- 批准号:
17360160 - 财政年份:2005
- 资助金额:
$ 12.31万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Investigation of Compositional Inhomogeneity in InAlGaN and Realization of Lattice-Matched Quantum Structure by Group-III Nitrides
InAlGaN 成分不均匀性研究及 III 族氮化物晶格匹配量子结构的实现
- 批准号:
11650013 - 财政年份:1999
- 资助金额:
$ 12.31万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)