ブロックコポリマーの自己組織化技術により第3世代の3次元量子ドット太陽電池の作製
利用嵌段共聚物自组装技术制备第三代三维量子点太阳能电池
基本信息
- 批准号:13J06425
- 负责人:
- 金额:$ 1.15万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
- 财政年份:2013
- 资助国家:日本
- 起止时间:2013-04-01 至 2015-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
本研究は、真性ポリシリコン層と絶縁層の多層膜をP型、N型のシリコン層で挟んだ多層膜PIN型基板を形成し、上面にブロックコポリマーを用いた自己組織化法により微小ドットを形成、転写により3次元Si量子ドット太陽電池構造を形成する技術の確立を目指した。ブロックコポリマーを用いた自己組織化法による微小ドットの形成には成功し、またパターン転写によって3次元Si量子ドット太陽電池構造を形成することが出来た。PS-PDMSブロックコポリマーを用いてピッチ10nm、直径5nmの均一・モノレヤー・ナノドット列を形成することができた。多層膜PIN型太陽電池基板にはピッチ33nm、直径23nmの均一・モノレヤー・ナノドット列をパターン転写することができた。実験によるとブロックコポリマーの自己組織化ナノドット列を多層膜太陽電池にパターンした試料はIV特製の測定により量子ドット型太陽電池の光発電の感度がフィルム型(パターン転写なし基板)より約1000倍上がりました。一方、太陽電池の基板作成においては、0.1%HF処理とオイルバック防止策でLPCVDによるpoly-Si膜を作製し、太陽電池の表面の改善のための技術を確立した。その結果、表面の凹凸の改善による課題解決の方向性を見出した。
In this study, the truth is that the P-type and N-type multi-film PIN substrates are used to form the multi-film substrate. In this study, we use the self-organization method to improve the formation of the micro-scale, the formation of the three-dimensional Si quantum cell, the formation of the multi-film PIN substrates, the formation of the PIN substrates, the formation of the PIN substrates. In this paper, we use the method of self-organization to analyze the success of the micro-computer, and then we can write the three-dimensional Si quantum capacitor cell to generate the output battery. The diameter of the 5nm is 10 nm, the diameter is uniform, and the diameter is 10 nm. The substrate of the multi-film PIN battery has an average temperature of 33 nm, and the diameter of the 23nm is uniform. In this paper, the optical sensitivity of the multifilm cell is 1000 times higher than that of the substrate (the substrate) is about 1000 times higher than that of the substrate (the substrate). On the one hand, the substrate of the electric power cell is used as a device, and the 0.1%HF management system is used to prevent the production of the poly-Si film. The surface of the battery is improved and the technology is established. The result of the experiment, the bump on the surface improves the direction of the problem-solving problem, and the direction is improved.
项目成果
期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
パターン転写のマスク用の直径10nm広範囲超高密度のカーボンナノドット列の形成
形成直径 10 nm 的超高密度碳纳米点行,用于图案转移掩模
- DOI:
- 发表时间:2013
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Miftakhul Huda;Sumio Hosaka;Hiroshi Sakurai;M. Huda;M. Huda;M. Huda;M. Huda
- 通讯作者:M. Huda
Ordering of 6-nm-sized nanodot arrays with 10-nm-pitch using self-assembled block copolymers along electron beam-drawn guide-lines
使用自组装嵌段共聚物沿着电子束绘制的引导线排序 6 纳米大小、间距为 10 纳米的纳米点阵列
- DOI:10.1016/j.mee.2014.05.026
- 发表时间:2014
- 期刊:
- 影响因子:2.3
- 作者:S. Hosaka;T. Akahane;M. Huda;T. Komori;H. Zhang;Y. Yin
- 通讯作者:Y. Yin
High-Ordered-and-Aligned Block Copolymer Self-Assembled Nanodot Array
高有序排列嵌段共聚物自组装纳米点阵列
- DOI:
- 发表时间:2014
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Miftakhul Huda;Sumio Hosaka;and Hiroshi Sakurai
- 通讯作者:and Hiroshi Sakurai
ブロックコーポリマーを用いた自己組織化ナノドットのパターン転写によって直径10nm超高密度のSiナノドット列の形成
利用嵌段共聚物自组装纳米点图案转移形成直径为10 nm的超密硅纳米点阵列
- DOI:
- 发表时间:2013
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Miftakhul Huda;Sumio Hosaka;Hiroshi Sakurai;M. Huda
- 通讯作者:M. Huda
パターン転写のマスク用の直径10nm超高密度のSiナノドット列の形成
用于图案转移掩模的直径为10 nm的超高密度硅纳米点阵列的形成
- DOI:
- 发表时间:2013
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Miftakhul Huda;Sumio Hosaka;Hiroshi Sakurai;M. Huda;M. Huda;M. Huda
- 通讯作者:M. Huda
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ patent.updateTime }}
HUDA Miftakhul (2014)其他文献
HUDA Miftakhul (2014)的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
相似海外基金
RII Track-4:NSF: Understanding Perovskite Solar Cell Passivation at The Level of Organic Functional Groups through Ultrafast Spectroscopy
RII Track-4:NSF:通过超快光谱了解有机官能团水平的钙钛矿太阳能电池钝化
- 批准号:
2326788 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 1.15万 - 项目类别:
Standard Grant
Development and integration of organic solar cell and organic transistor materials using graph-based machine learning
使用基于图形的机器学习开发和集成有机太阳能电池和有机晶体管材料
- 批准号:
23H02064 - 财政年份:2023
- 资助金额:
$ 1.15万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Towards the Realization of the Hot Carrier Solar Cell using Valley Photovoltaics
利用 Valley Photovoltaics 实现热载流子太阳能电池
- 批准号:
2406002 - 财政年份:2023
- 资助金额:
$ 1.15万 - 项目类别:
Standard Grant
Developing Nanoscale Passivation Layers for Tandem Solar Cell Interfaces: Towards Terawatt-Scale Solar PV
开发串联太阳能电池接口的纳米级钝化层:迈向太瓦级太阳能光伏
- 批准号:
EP/Y027884/1 - 财政年份:2023
- 资助金额:
$ 1.15万 - 项目类别:
Fellowship
Development of acceptor materials for the large-area air-stable Organic Solar Cell with low energy loss
低能量损失大面积空气稳定有机太阳能电池受体材料的开发
- 批准号:
23K04913 - 财政年份:2023
- 资助金额:
$ 1.15万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Aeroelastic Analysis of Perovskite Solar cell
钙钛矿太阳能电池的气动弹性分析
- 批准号:
2880923 - 财政年份:2023
- 资助金额:
$ 1.15万 - 项目类别:
Studentship
EAGER: New interconnect for the perovskite-silicon tandem solar cell: optically transparent and electrically conductive multilayer film
EAGER:钙钛矿-硅串联太阳能电池的新型互连件:光学透明且导电的多层薄膜
- 批准号:
2314036 - 财政年份:2023
- 资助金额:
$ 1.15万 - 项目类别:
Standard Grant
Atomistic Computer Modelling of New Solar Cell Materials
新型太阳能电池材料的原子计算机建模
- 批准号:
2729550 - 财政年份:2022
- 资助金额:
$ 1.15万 - 项目类别:
Studentship
Atomistic computer modelling of new solar cell materials
新型太阳能电池材料的原子计算机建模
- 批准号:
2729924 - 财政年份:2022
- 资助金额:
$ 1.15万 - 项目类别:
Studentship
Inorganic Fe- and Cu-based dyes for dye-sensitized solar cell applications
用于染料敏化太阳能电池应用的无机铁基和铜基染料
- 批准号:
574559-2022 - 财政年份:2022
- 资助金额:
$ 1.15万 - 项目类别:
University Undergraduate Student Research Awards














{{item.name}}会员




