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ブロックコポリマーの自己組織化技術により第３世代の３次元量子ドット太陽電池の作製

利用嵌段共聚物自组装技术制备第三代三维量子点太阳能电池

基本信息

批准号：
13J06425
负责人：
HUDA Miftakhul (2014)
金额：
$ 1.15万
依托单位：
Gunma University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
财政年份：
2013
资助国家：
日本
起止时间：
2013-04-01 至 2015-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

本研究は、真性ポリシリコン層と絶縁層の多層膜をP型、N型のシリコン層で挟んだ多層膜PIN型基板を形成し、上面にブロックコポリマーを用いた自己組織化法により微小ドットを形成、転写により3次元Si量子ドット太陽電池構造を形成する技術の確立を目指した。ブロックコポリマーを用いた自己組織化法による微小ドットの形成には成功し、またパターン転写によって3次元Si量子ドット太陽電池構造を形成することが出来た。PS-PDMSブロックコポリマーを用いてピッチ10nm、直径5nmの均一・モノレヤー・ナノドット列を形成することができた。多層膜PIN型太陽電池基板にはピッチ33nm、直径23nmの均一・モノレヤー・ナノドット列をパターン転写することができた。実験によるとブロックコポリマーの自己組織化ナノドット列を多層膜太陽電池にパターンした試料はIV特製の測定により量子ドット型太陽電池の光発電の感度がフィルム型（パターン転写なし基板）より約1000倍上がりました。一方、太陽電池の基板作成においては、0.1%HF処理とオイルバック防止策でLPCVDによるpoly-Si膜を作製し、太陽電池の表面の改善のための技術を確立した。その結果、表面の凹凸の改善による課題解決の方向性を見出した。

This study は, true ポリシリコン layer と never try の multilayer を p-type and n-type のシリコン layer で carry ん pin-type だ multi-layer substrate をし, above にブロックコポリマーを with いた yourself organized method により tiny ドットを formation, planning to write により three yuan Si quantum ドットを solar cell structure form する technology の establish を refers Youdaoplaceholder0 た. ブロックコポリマーを with いた yourself organized method による tiny ドットの form には successful し, またパターン planning write によって three yuan Si quantum ドットを solar cell structure formation することがた. PS - PDMS ブロックコポリマーを with いてピッチ 10 nm, diameter 5 nm の uniform, モノレヤー · ナノドット column を form することができた. Multilayer PIN type solar cell substrate にはピッチ 33 nm, diameter 23 nm の uniform, モノレヤー · ナノドット column をパターン planning write することができた. Be 験によるとブロックコポリマーの yourself organized ナノドット column を multilayer film solar cell にパターンした sample は IV determination of special のにより quantum ドット type solar cell の light 発 electricity の sensitivity がフィルム type (パターン planning write なし substrate) より about 1000 times the がりました. Side, solar battery の substrates made においては and 0.1% HF 処とオイルバック prevent policy で LPCVD による poly real - Si membrane をし, solar cell surface のの improve のための technology を established した. The results of そ <e:1>, the improvement of surface <s:1> concavity and convexity <e:1>, the resolution of the による issue, the directionality of <s:1> are seen in をた.