课题基金 / 基金详情

有機金属気相選択成長法による化合物半導体ナノワイヤのナノ発光素子応用

有機金属気相選択成長法による化合物半導体ナノワイヤのナノ発光素子応用
有机金属气相选择性生长法化合物半导体纳米线在纳米发光器件中的应用
批准号:
13J01918
负责人:
小橋 義典
金额:
$0.77万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
财政年份:
2013
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2013 至 --

项目摘要

项目成果

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中文摘要
翻译
【研究目的】理論上盗聴不可能な量子暗号通信技術実現に向け、単一半導体量子ドットによるオンデマンド型単一光子源の研究が活発化している。オンデマンド型単一光子源の実現には、量子ドットの位置・サイズを加工損傷無く適切に制御することが重要である。しかし、従来の平面(プレーナ)技術を基盤とする量子ドット形成技術では、量子ドットの位置・サイズ制御や加工損傷無く光取出効率を向上させることが困難である。一方有機金属気相選択成長法では、高い光取出効率を有するナノワイヤの内部に単一量子ドットを埋め込んだ構造(ナノワイヤ量子ドット)を加工損傷無く形成でき、その位置・サイズ制御が容易である。本研究では、有機金属気相選択成長法で形成したナノワイヤ量子ドットによる、オンデマンド型単一光子源の実現を目的とする。【研究内容・意義・重要性】採用第1年度目は、優れた電子・光学特性を有するInGaAs系のナノワイヤ量子ドットの作製技術確立を目標とした。目標達成には、InGaAsナノワイヤの高度な形状・混晶組成制御技術が必要である。そこで、ナノワイヤの形成・制御に重要であるV/III比(V族原料とIII族原料の供給比)がナノワイヤ形状・混晶組成へ与える影響を調査した。その結果、V/III比はナノワイヤ形状・混晶組成に大きく影響することがわかった。更に、その影響の大きさはIII族原料の供給比(InとGa原料の供給比)に依存して変化することがわかった。これは、III族原料の供給比によってナノワイヤ表面へのInとGaの取り込み方が変化するためである。この成果は、2件の国際会議発表(口頭)及び1件の学術論文(査読あり)として公開されており、本研究課題の達成において重要な知見である。そして、電子・光学材料分野の発展に貢献するだけでなく、他の技術分野にも波及効果があると考えられる。
英文摘要
【研究目的】理論上盗聴不可能な量子暗号通信技術実現に向け、単一半導体量子ドットによるオンデマンド型単一光子源の研究が活発化している。オンデマンド型単一光子源の実現には、量子ドットの位置・サイズを加工損傷無く適切に制御することが重要である。しかし、従来の平面(プレーナ)技術を基盤とする量子ドット形成技術では、量子ドットの位置・サイズ制御や加工損傷無く光取出効率を向上させることが困難である。一方有機金属気相選択成長法では、高い光取出効率を有するナノワイヤの内部に単一量子ドットを埋め込んだ構造(ナノワイヤ量子ドット)を加工損傷無く形成でき、その位置・サイズ制御が容易である。本研究では、有機金属気相選択成長法で形成したナノワイヤ量子ドットによる、オンデマンド型単一光子源の実現を目的とする。【研究内容・意義・重要性】採用第1年度目は、優れた電子・光学特性を有するInGaAs系のナノワイヤ量子ドットの作製技術確立を目標とした。目標達成には、InGaAsナノワイヤの高度な形状・混晶組成制御技術が必要である。そこで、ナノワイヤの形成・制御に重要であるV/III比(V族原料とIII族原料の供給比)がナノワイヤ形状・混晶組成へ与える影響を調査した。その結果、V/III比はナノワイヤ形状・混晶組成に大きく影響することがわかった。更に、その影響の大きさはIII族原料の供給比(InとGa原料の供給比)に依存して変化することがわかった。これは、III族原料の供給比によってナノワイヤ表面へのInとGaの取り込み方が変化するためである。この成果は、2件の国際会議発表(口頭)及び1件の学術論文(査読あり)として公開されており、本研究課題の達成において重要な知見である。そして、電子・光学材料分野の発展に貢献するだけでなく、他の技術分野にも波及効果があると考えられる。
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会议论文
Composition-Dependent Growth Dynamics of InGaAs Nanowires in Selective-Area Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy
选择性区域金属有机气相外延中 InGaAs 纳米线的成分依赖性生长动力学
DOI: --
发表时间:
期刊:
影响因子: --
作者: [京大工林徳樺(現クボタ), 阪大接合研伊藤和博, 小濱和之, 神鋼リサーチ大西隆, 京大工白井泰治, 立命館村上正紀, Hiroaki Kato, Yoshinori Kohashi]
通讯作者: Yoshinori Kohashi
Influence of V/III Ratio on the Growth of lnGaAs Nanowires in Slelective-Area MOVPE
V/III比对选择性区域MOVPE中InGaAs纳米线生长的影响
DOI: --
发表时间: 2013
期刊:
影响因子: --
作者: [Y. Kohashi, S. Hara, J. Motohisa]
通讯作者: J. Motohisa
Composition-Dependent Growth Dynamics of Slectively Grown InGaAs Nanowires
选择性生长 InGaAs 纳米线的成分依赖性生长动力学
DOI: 10.1088/2053-1591/1/1/015036
发表时间: 2014
期刊: Materials Research Express
影响因子: 2.3
作者: [Y. Kohashi, S. Hara, J. Motohisa]
通讯作者: J. Motohisa
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