Silicon emission technologies based on nanocrystals

基于纳米晶体的硅发射技术

基本信息

  • 批准号:
    EP/H000240/1
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 36.73万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    英国
  • 项目类别:
    Research Grant
  • 财政年份:
    2009
  • 资助国家:
    英国
  • 起止时间:
    2009 至 无数据
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

Abstracts are not currently available in GtR for all funded research. This is normally because the abstract was not required at the time of proposal submission, but may be because it included sensitive information such as personal details.
目前GtR中并没有所有资助研究的摘要。这通常是因为在提交提案时不需要摘要,但也可能是因为摘要中包含个人详细信息等敏感信息。

项目成果

期刊论文数量(10)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Bi-modal Resistive Switching in Pure SiOx with Multi-level Capabilities
具有多级功能的纯 SiOx 中的双模电阻开关
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Anthony Kenyon (Author)
  • 通讯作者:
    Anthony Kenyon (Author)
Time-resolved PL measurements of energy transfer in an ensemble of silicon nanocrystals
硅纳米晶体集合中能量传递的时间分辨 PL 测量
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Anthony Kenyon (Author)
  • 通讯作者:
    Anthony Kenyon (Author)
Time-correlated single-photon counting study of multiple photoluminescence lifetime components of silicon nanoclusters
  • DOI:
    10.1016/j.jlumin.2012.10.038
  • 发表时间:
    2013-04
  • 期刊:
  • 影响因子:
    3.6
  • 作者:
    D. Diamare;M. Wojdak;S. Lettieri;A. Kenyon
  • 通讯作者:
    D. Diamare;M. Wojdak;S. Lettieri;A. Kenyon
On the Origin of the Step-Like Quantum Yield of Si-Nanocrystals: MEG or Efficient Exciton Generation Via Critical Points in C-Si?
关于硅纳米晶体阶梯状量子产率的起源:MEG 或通过 C-Si 中的临界点有效产生激子?
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Anthony Kenyon (Author)
  • 通讯作者:
    Anthony Kenyon (Author)
Characterisation study of Er luminescence dynamics in Er doped Si-rich Silicon Oxide thin films
掺铒富硅氧化硅薄膜的铒发光动力学表征研究
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Anthony Kenyon (Author)
  • 通讯作者:
    Anthony Kenyon (Author)
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  • 通讯作者:
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  • 发表时间:
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    2022
  • 资助金额:
    $ 36.73万
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