权益分类	功能权益	普通用户	{{item.name}}会员
{{category.name}}	{{benefitItem.name}}

Compact diode-laser-pumped THz source based on a novel photomixer device.

基于新型光混频器装置的紧凑型二极管激光泵浦太赫兹源。

基本信息

批准号：
EP/H015795/1
负责人：
Edik Rafailov
金额：
$ 66.9万
依托单位：
University of Dundee
依托单位国家：
英国
项目类别：
Research Grant
财政年份：
2010
资助国家：
英国
起止时间：
2010 至无数据
项目状态：
已结题

来源：
https://gtr.ukri.org/projects?ref=EP%2FH015795%2F1
关键词：
Compact diode laser pumped THz

项目摘要

Within this project we will carry out theoretical and experimental studies of novel types of compact THz sources where semiconductor laser diodes will be combined with a novel dipole/spiral and waveguide photoconductor devices. Specifically, we propose to design, fabricate and assess the performance of the material systems of amorphous/nanocrystalline silicon and quantum-dot semiconductors as materials having short electron-hole photocarrier lifetimes and high photosensitivity at 780-1300nm. In addition to fully characterising and optimising the dual- and multi-longitudinal modes diode lasers we will evaluate the performance of these lasers in the optical pumping of the dipole/spiral and waveguided antennae for obtaining THz power levels in the >100 microwatts range with optimised beam characteristics. The overall objective of this work is to produce a diode-laser-driven, ultra-compact THz source having some potential for additional functionality through its frequency tunability.

在这个项目中，我们将进行新型紧凑型太赫兹源的理论和实验研究，其中半导体激光二极管将与新型偶极/螺旋和波导光电导体器件相结合。具体而言，我们建议设计，制造和评估的材料系统的非晶/纳米晶硅和量子点半导体的材料具有短的电子-空穴光生载流子寿命和在780- 1300 nm的高光敏性的性能。除了充分表征和优化双纵模和多纵模二极管激光器外，我们还将评估这些激光器在偶极/螺旋和波导天线的光泵浦中的性能，以获得>100微瓦范围内的THz功率水平，并优化光束特性。这项工作的总体目标是产生一个二极管激光驱动的，超紧凑的太赫兹源，通过其频率可调谐性具有一些潜在的额外功能。

项目成果

期刊论文数量（10）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

Quantum Dot-Based Terahertz Photoconductive Antenna

基于量子点的太赫兹光电导天线

DOI：
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
0
作者：
Gorodetsky A.
通讯作者：
Gorodetsky A.

Photoelectric Properties of InAs/GaAs Quantum Dot Photoconductive Antenna Wafers

DOI：
10.1109/jstqe.2017.2690831
发表时间：
2018-03
期刊：
IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics
影响因子：
4.9
作者：
Andrei Gorodetsky;A. Yadav;E. Avrutin;K. Fedorova;E. Rafailov
通讯作者：
Andrei Gorodetsky;A. Yadav;E. Avrutin;K. Fedorova;E. Rafailov

Studying carrier lifetime in InAs/GaAs quantum dot devices by optically pump - terahertz probe measurements

通过光泵 - 太赫兹探针测量研究 InAs/GaAs 量子点器件中的载流子寿命

DOI：
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
0
作者：
Leite I
通讯作者：
Leite I

Quantum Dot-Based Terahertz Photoconductive Antennas

基于量子点的太赫兹光电导天线

DOI：
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
0
作者：
Gorodetsky, A
通讯作者：
Gorodetsky, A

Optical pump-terahertz probe study of carrier relaxation processes in InAs:GaAs quantum dot terahertz materials

InAs:GaAs量子点太赫兹材料中载流子弛豫过程的光泵太赫兹探针研究

DOI：
发表时间：
期刊：
App Phys Lett
影响因子：
0
作者：
Gorodetsky
通讯作者：
Gorodetsky

DOI：
{{ item.doi }}
发表时间：
{{ item.publish_year }}
期刊：
{{ item.journal_name }}
影响因子：
{{ item.factor }}
作者：
{{ item.authors }}
通讯作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ patent.updateTime }}

Edik Rafailov其他文献

Compact femtosecond fiber laser tunable from 800 to 850 nm with pulse energy exceeding 5 nJ

DOI：
10.1038/s41598-025-04063-8
发表时间：
2025-05-29
期刊：
Scientific Reports
影响因子：
3.900
作者：
Dmitrii Stoliarov;Aleksandr Koviarov;Diana Galiakhmetova;Edik Rafailov
通讯作者：
Edik Rafailov

Highly Thermal Tunable Propagating Surface Plasmons on Supported Semiconductor Nanowire Metamaterial

DOI：
10.1007/s11468-024-02417-y
发表时间：
2024-07-11
期刊：
Plasmonics
影响因子：
4.300
作者：
Tatjana Gric;Edik Rafailov
通讯作者：
Edik Rafailov

Gigahertz repetition rate mode-locked Yb:KYW laser using self-assembled quantum dot saturable absorber

DOI：
10.1007/s00340-013-5375-8
发表时间：
2013-03-13
期刊：
APPLIED PHYSICS B-LASERS AND OPTICS
影响因子：
2.000
作者：
Niels Meiser;Kai Seger;Valdas Pasiskevicius;Hoon Jang;Edik Rafailov;Igor Krestnikov
通讯作者：
Igor Krestnikov