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Ultra high detectivity single carrier multiplication InAs avalanche photodiodes for IR optical detection
用于红外光学检测的超高检测率单载流子倍增 InAs 雪崩光电二极管
基本信息
- 批准号：EP/H03224X/1
- 负责人：
- 金额：$ 31.16万
- 依托单位：
- 依托单位国家：英国
- 项目类别：Research Grant
- 财政年份：2010
- 资助国家：英国
- 起止时间：2010 至 无数据
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
Abstracts are not currently available in GtR for all funded research. This is normally because the abstract was not required at the time of proposal submission, but may be because it included sensitive information such as personal details.
目前GtR中并没有所有资助研究的摘要。这通常是因为在提交提案时不需要摘要，但也可能是因为摘要中包含个人详细信息等敏感信息。
项目成果
期刊论文数量（2）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Picosecond laser ranging at wavelengths up to 2.4 µm using an InAs avalanche photodiode
使用 InAs 雪崩光电二极管的皮秒激光波长可达 2.4 µm
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- 发表时间：2016
- 期刊：
- 影响因子：1.1
- 作者：Butera S
- 通讯作者：Butera S
CdSe quantum dots grown on a Zn0.2Mg0.8S0.64Se0.36 barrier: MBE growth and µ-PL characterisation
在 Zn0.2Mg0.8S0.64Se0.36 势垒上生长的 CdSe 量子点：MBE 生长和 µ-PL 表征
- DOI：10.1016/j.jcrysgro.2010.10.116
- 发表时间：2011
- 期刊：
- 影响因子：1.8
- 作者：Davidson I
- 通讯作者：Davidson I
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Ross Millar
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