权益分类	功能权益	普通用户	{{item.name}}会员
{{category.name}}	{{benefitItem.name}}

Electrodeposited 2D Transition Metal Dichalcogenides on graphene: a novel route towards scalable flexible electronics

石墨烯上电沉积二维过渡金属二硫化物：实现可扩展柔性电子产品的新途径

基本信息

批准号：
EP/V062603/1
负责人：
Richard Beanland
金额：
$ 9.12万
依托单位：
University of Warwick
依托单位国家：
英国
项目类别：
Research Grant
财政年份：
2022
资助国家：
英国
起止时间：
2022 至无数据
项目状态：
未结题

来源：
https://gtr.ukri.org/projects?ref=EP%2FV062603%2F1
关键词：
Electrodeposited 2D Transition Metal Dichalcogenides

项目摘要

Abstracts are not currently available in GtR for all funded research. This is normally because the abstract was not required at the time of proposal submission, but may be because it included sensitive information such as personal details.

目前GtR中并没有提供所有资助研究的摘要。这通常是因为在提交提案时不需要摘要，但也可能是因为它包含敏感信息，如个人详细信息。

项目成果

期刊论文数量（1）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}

DOI：
{{ item.doi }}
发表时间：
{{ item.publish_year }}
期刊：
{{ item.journal_name }}
影响因子：
{{ item.factor }}
作者：
{{ item.authors }}
通讯作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ patent.updateTime }}

Richard Beanland其他文献

Interfacial oxides for charge control of hafnium oxide surface passivation of silicon

用于硅的氧化铪表面钝化电荷控制的界面氧化物

DOI：
10.1016/j.solmat.2025.113439
发表时间：
2025-04-01
期刊：
SOLAR ENERGY MATERIALS AND SOLAR CELLS
影响因子：
6.300
作者：
Sophie L. Pain;Luke Wilkins;Anup Yadav;Yisong Han;Richard Beanland;Nicholas E. Grant;John D. Murphy
通讯作者：
John D. Murphy

An ultra high-endurance memristor using back-end-of-line amorphous SiC

DOI：
10.1038/s41598-024-64499-2
发表时间：
2024-06-18
期刊：
Scientific Reports
影响因子：
3.900
作者：
Omesh Kapur;Dongkai Guo;Jamie Reynolds;Daniel Newbrook;Yisong Han;Richard Beanland;Liudi Jiang;C. H. Kees de Groot;Ruomeng Huang
通讯作者：
Ruomeng Huang

Blocking of indium incorporation by antimony in III–V-Sb nanostructures

III-V-Sb 纳米结构中锑阻止铟的掺入

DOI：
发表时间：
2010
期刊：
Nanotechnology
影响因子：
3.5
作者：
Ana M. Sanchez;Ana M. Sanchez;Ana M. Beltrán;Richard Beanland;Teresa Ben;Mhairi Gass;F. D. L. Peña;Michael Walls;Alfonso G. Taboada;J. M. Ripalda;Sergio I. Molina
通讯作者：
Sergio I. Molina

Ferroelastic writing of crystal directions in oxide thin films

氧化物薄膜中晶体取向的铁弹性写入

DOI：
10.1038/s41565-025-01950-z
发表时间：
2025-06-05
期刊：
Nature Nanotechnology
影响因子：
34.900
作者：
Wei Peng;Wenjie Meng;Younji Kim;Jiyong Yoon;Liang Si;Kesen Zhao;Shuai Dong;Yubin Hou;Chuanying Xi;Li Pi;Aditya Singh;Ana M. Sanchez;Richard Beanland;Tae Won Noh;Qingyou Lu;Daesu Lee;Marin Alexe
通讯作者：
Marin Alexe