Electrodeposited 2D Transition Metal Dichalcogenides on graphene: a novel route towards scalable flexible electronics
Electrodeposited 2D Transition Metal Dichalcogenides on graphene: a novel route towards scalable flexible electronics
批准号:
EP/V062689/1
负责人:
Cornelis Hendrik De Groot
金额:
$130.47万
依托单位国家:
英国
项目类别:
Research Grant
财政年份:
2022
资助国家:
英国
项目状态:
未结题
起止时间:
2022 至 --
中文摘要
与石墨烯一样,过渡金属二硫属化物(TMDC)层ME2(其中M =过渡金属,E =硫、硒或碲)由单个或几个原子厚的共价键合晶格组成。这些原子片表现出非凡的电子和光学特性,因为它们在表面没有悬挂键和陷阱态。层之间的货车范德华相互作用允许非常不同的材料的集成,而没有晶格匹配的约束。此外,这几层可以承受10%的机械应变,这使得这些材料特别适合用于柔性电子设备,预计未来五年市场价值将超过100亿英镑。二维材料和石墨烯的异质结构在各种电子、光电、能源和传感器应用中具有巨大的潜力,但受到技术限制。该提议的目的是利用我们最近在金属以及石墨烯电极上电沉积几层2D硫属化物(例如MoS2和WS2)方面的突破。我们将通过各种设备展示这些优势,这些设备将联合收割机的最新性能与可扩展的、工业上可接受的柔性基板处理相结合。与我们的项目合作伙伴合作,我们将致力于最大限度地发挥这项工作产生的潜在社会和经济影响。
英文摘要
Like graphene, a layer of a transition metal dichalcogenide (TMDC), ME2 (where M = transition metal and E = sulfur, selenium or tellurium), consists of a single- or few-atom-thick, covalently bonded lattice. These atomic sheets exhibit extraordinary electronic and optical properties, as they do not suffer from dangling bonds and trap states at the surface. The van der Waals interactions between the layers allows the integration of very different materials without the constraints of crystal lattice matching. Moreover, those few layers can withstand mechanical strains of 10%, which makes these materials particularly suitable for flexible electronic devices, a market expected to be worth more than £10B in the next five years. Heterostructures of 2D materials and graphene have great potential for various electronic, opto-electronic, energy, and sensor applications but are held back by technological limitations. It is the intention of this proposal to take advantage of our recent breakthroughs in electrodeposition of few layer 2D chalcogenides, such as MoS2 and WS2, on metal as well graphene electrodes. We will demonstrate these advantages through a variety of devices which combine state-of-the-art performance together with scalable, industrially acceptable processing on flexible substrates. Working with our project partners we will aim to maximise the potential societal and economic impacts that emerge from this work.
期刊论文(2)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
Tungsten dichalcogenide WS 2 x Se 2-2 x films via single source precursor low-pressure CVD and their (thermo-)electric properties
通过单源前驱体低压 CVD 制备的二硫钨 WS 2 x Se 2-2 x 薄膜及其(热)电性能
DOI:
10.1039/d3ta00466j
发表时间:
2023
期刊:
Journal of Materials Chemistry A
影响因子:
11.9
作者:
[Sethi V]
通讯作者:
Sethi V
Spintronic device physics in Si/Ge Heterostructures
-
批准号:EP/J002968/1
-
项目类别:Research Grant
-
资助金额:$54.09万
-
财政年份:2012
-
负责人:Cornelis Hendrik De Groot
-
依托单位:
Semi-insulating Silicon substrates for high frequency integrated circuits
-
批准号:EP/F033311/1
-
项目类别:Research Grant
-
资助金额:$39.33万
-
财政年份:2008
-
负责人:Cornelis Hendrik De Groot
-
依托单位:
国内基金
海外基金
登录
查看更多内容
新型两亲性铵盐基2D/3D钙钛矿异质结的构筑及光伏器件性能研究
-
批准号:JCZRQNB202600886
-
项目类别:省市级项目
-
资助金额:--
-
批准年份:2026
-
负责人:
-
依托单位:
基于“后刻蚀法”的2D锰铁基纳米酶设计及双通道多靶标联合扩增检测ALI机制研究
-
批准号:2026JJ50123
-
项目类别:省市级项目
-
资助金额:--
-
批准年份:2026
-
负责人:吴生焘
-
依托单位:
卟啉基2D MOF纳米片用于乏氧肿瘤的高
效光动力治疗研究
-
批准号:
-
项目类别:省市级项目
-
资助金额:10.0万元
-
批准年份:2025
-
负责人:刘宇茸
-
依托单位:
2D/2D/2D三相横纵异质结构的构筑及其超薄厚度下宽频吸波机制
-
批准号:52562043
-
项目类别:地区科学基金项目
-
资助金额:32.00万元
-
批准年份:2025
-
负责人:曾小军
-
依托单位:
硫化钨纳米管基1D/2D异质结的体光伏效应协同调控机制与载流子超快动力学研究
-
批准号:12504402
-
项目类别:青年科学基金项目(C类)
-
资助金额:30.00万元
-
批准年份:2025
-
负责人:欧振伟
-
依托单位:
小立碗藓2D向3D发育转变的分子基础及作用机制研究
-
批准号:JCZRQN202501035
-
项目类别:省市级项目
-
资助金额:--
-
批准年份:2025
-
负责人:
-
依托单位:
基于深度学习与数字图像处理从2D微结构预测3D扩散迂曲度
-
批准号:
-
项目类别:省市级项目
-
资助金额:--
-
批准年份:2024
-
负责人:陈孝君
-
依托单位:
卟啉基2D/2D MOF/COF纳米片异质结的设计组装及其光催化CO2还原性能研究
-
批准号:
-
项目类别:青年科学基金项目
-
资助金额:--
-
批准年份:2024
-
负责人:刘小琳
-
依托单位:
超支化环氧树脂/2D树脂合成机理及其对木材改性机制的研究
-
批准号:32471802
-
项目类别:面上项目
-
资助金额:50.00万元
-
批准年份:2024
-
负责人:刘明利
-
依托单位:
随机非线性不确定2D时变系统最优故障诊断及应用验证
-
批准号:62473173
-
项目类别:面上项目
-
资助金额:50.00万元
-
批准年份:2024
-
负责人:李岳炀
-
依托单位: