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Studies of thin silicon nitride films on Si, InP and GaAs

Studies of thin silicon nitride films on Si, InP and GaAs
Si、InP 和 GaAs 氮化硅薄膜的研究
批准号:
138085-1996
负责人:
Landheer, Dolf
金额:
$1.36万
依托单位国家:
加拿大
项目类别:
Discovery Grants Program - Individual
财政年份:
1999
资助国家:
加拿大
项目状态:
已结题
起止时间:
1999-01-01 至 2000-12-31

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Studies of thin silicon nitride films on Si, InP and GaAs
  • 批准号:
    138085-1996
  • 项目类别:
    Discovery Grants Program - Individual
  • 资助金额:
    $1.29万
  • 财政年份:
    1998
  • 负责人:
    Landheer, Dolf
  • 依托单位:
Studies of thin silicon nitride films on Si, InP and GaAs
  • 批准号:
    138085-1996
  • 项目类别:
    Discovery Grants Program - Individual
  • 资助金额:
    $1.18万
  • 财政年份:
    1997
  • 负责人:
    Landheer, Dolf
  • 依托单位:
Studies of thin silicon nitride films on Si, InP and GaAs
  • 批准号:
    138085-1996
  • 项目类别:
    Discovery Grants Program - Individual
  • 资助金额:
    $1.18万
  • 财政年份:
    1996
  • 负责人:
    Landheer, Dolf
  • 依托单位:
Study of the insulator-semiconductor transition layer for remote plasma deposited silicon nitride on InP
  • 批准号:
    138085-1993
  • 项目类别:
    Discovery Grants Program - Individual
  • 资助金额:
    $0.87万
  • 财政年份:
    1995
  • 负责人:
    Landheer, Dolf
  • 依托单位:
国内基金
海外基金
相对论中的薄球壳模型及其在宇宙论中的应用
  • 批准号:
    10605006
  • 项目类别:
    青年科学基金项目
  • 资助金额:
    20.0万元
  • 批准年份:
    2006
  • 负责人:
    高思杰
  • 依托单位: