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Studies of thin silicon nitride films on Si, InP and GaAs
Si、InP 和 GaAs 氮化硅薄膜的研究
基本信息
- 批准号：138085-1996
- 负责人：
- 金额：$ 1.18万
- 依托单位：
- 依托单位国家：加拿大
- 项目类别：Discovery Grants Program - Individual
- 财政年份：1997
- 资助国家：加拿大
- 起止时间：1997-01-01 至 1998-12-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
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项目成果
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Landheer, Dolf其他文献
Calculation of the response of field-effect transistors to charged biological molecules
- DOI：
10.1109/jsen.2007.901047 - 发表时间：
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Studies of thin silicon nitride films on Si, InP and GaAs
Si、InP 和 GaAs 氮化硅薄膜的研究
- 批准号：
138085-1996 - 财政年份：1999
- 资助金额：
$ 1.18万 - 项目类别：
Discovery Grants Program - Individual
Studies of thin silicon nitride films on Si, InP and GaAs
Si、InP 和 GaAs 氮化硅薄膜的研究
- 批准号：
138085-1996 - 财政年份：1998
- 资助金额：
$ 1.18万 - 项目类别：
Discovery Grants Program - Individual
Studies of thin silicon nitride films on Si, InP and GaAs
Si、InP 和 GaAs 氮化硅薄膜的研究
- 批准号：
138085-1996 - 财政年份：1996
- 资助金额：
$ 1.18万 - 项目类别：
Discovery Grants Program - Individual
Study of the insulator-semiconductor transition layer for remote plasma deposited silicon nitride on InP
InP上远程等离子体沉积氮化硅绝缘体-半导体过渡层的研究
- 批准号：
138085-1993 - 财政年份：1995
- 资助金额：
$ 1.18万 - 项目类别：
Discovery Grants Program - Individual
Study of the insulator-semiconductor transition layer for remote plasma deposited silicon nitride on InP
InP上远程等离子体沉积氮化硅绝缘体-半导体过渡层的研究
- 批准号：
138085-1993 - 财政年份：1994
- 资助金额：
$ 1.18万 - 项目类别：
Discovery Grants Program - Individual
Study of the insulator-semiconductor transition layer for remote plasma deposited silicon nitride on InP
InP上远程等离子体沉积氮化硅绝缘体-半导体过渡层的研究
- 批准号：
138085-1993 - 财政年份：1993
- 资助金额：
$ 1.18万 - 项目类别：
Discovery Grants Program - Individual
相似国自然基金
相对论中的薄球壳模型及其在宇宙论中的应用
- 批准号：10605006
- 批准年份：2006
- 资助金额：20.0 万元
- 项目类别：青年科学基金项目
相似海外基金
Study of silicon nitride thin films as optical mirror coatings for cryogenic based gravitational wave detectors
氮化硅薄膜作为低温引力波探测器光学镜涂层的研究
- 批准号：
ST/X00533X/1 - 财政年份：2023
- 资助金额：
$ 1.18万 - 项目类别：
Training Grant
Improved Detection of Gravitational Waves using Silicon Nitride Thin Films Under Cryogenic Conditions.
在低温条件下使用氮化硅薄膜改进引力波检测。
- 批准号：
2903348 - 财政年份：2023
- 资助金额：
$ 1.18万 - 项目类别：
Studentship
I-Corps: Heliotrope Light-shifting Thin Films to Increase the Performance of Silicon Solar Panels
I-Corps：天芥菜光移薄膜可提高硅太阳能电池板的性能
- 批准号：
2347106 - 财政年份：2023
- 资助金额：
$ 1.18万 - 项目类别：
Standard Grant
Structural characterization of thin carbon films on high-current silicon field emitters
高电流硅场发射器上碳薄膜的结构表征
- 批准号：
10039806 - 财政年份：2022
- 资助金额：
$ 1.18万 - 项目类别：
Collaborative R&D
Thin-film engineering of n-type solution processable silicon phthalocyanines for organic thin-film transistors
用于有机薄膜晶体管的n型溶液加工硅酞菁的薄膜工程
- 批准号：
569930-2022 - 财政年份：2022
- 资助金额：
$ 1.18万 - 项目类别：
Alexander Graham Bell Canada Graduate Scholarships - Doctoral
Increasing access to chemistry for high schoolers with blindness: a program to jump start Central Texas
增加失明高中生接触化学的机会：一项启动德克萨斯州中部的计划
- 批准号：
10449818 - 财政年份：2022
- 资助金额：
$ 1.18万 - 项目类别：
Grading of silicon isotope thin films using localized hydrogen functionalities for quantum computing
使用局域氢功能进行量子计算的硅同位素薄膜分级
- 批准号：
21H01808 - 财政年份：2021
- 资助金额：
$ 1.18万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
SBIR Phase II: Thin Silicon Solar Cells for Aerospace Applications
SBIR 第二阶段：用于航空航天应用的薄硅太阳能电池
- 批准号：
2052381 - 财政年份：2021
- 资助金额：
$ 1.18万 - 项目类别：
Cooperative Agreement
Development of quasi-2D Si devices with large magnetoresistance
大磁阻准二维硅器件的研制
- 批准号：
21K04822 - 财政年份：2021
- 资助金额：
$ 1.18万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Analysis of Growth Mechanisms in CVD/ALD Processes by a Fusion of Molecular Fluid Engineering and Reaction Engineering
融合分子流体工程和反应工程分析 CVD/ALD 工艺中的生长机制
- 批准号：
20J20915 - 财政年份：2020
- 资助金额：
$ 1.18万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows