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Study of the insulator-semiconductor transition layer for remote plasma deposited silicon nitride on InP

Study of the insulator-semiconductor transition layer for remote plasma deposited silicon nitride on InP
InP上远程等离子体沉积氮化硅绝缘体-半导体过渡层的研究
批准号：
138085-1993
负责人：
Landheer, Dolf
金额：
$0.87万
依托单位：
University of Western Ontario
依托单位国家：
加拿大
项目类别：
Discovery Grants Program - Individual
财政年份：
1995
资助国家：
加拿大
项目状态：
已结题
起止时间：
1995-01-01 至 1996-12-31
来源：
https://www.nserc-crsng.gc.ca/ase-oro/Details-Detailles_eng.asp?id=22173
关键词：
Studyinsulatorsemiconductortransitionlayer

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Studies of thin silicon nitride films on Si, InP and GaAs
  • 批准号：
    138085-1996
  • 项目类别：
    Discovery Grants Program - Individual
  • 资助金额：
    $1.36万
  • 财政年份：
    1999
  • 负责人：
    Landheer, Dolf
  • 依托单位：
    University of Western Ontario
Studies of thin silicon nitride films on Si, InP and GaAs
  • 批准号：
    138085-1996
  • 项目类别：
    Discovery Grants Program - Individual
  • 资助金额：
    $1.29万
  • 财政年份：
    1998
  • 负责人：
    Landheer, Dolf
  • 依托单位：
    University of Western Ontario
Studies of thin silicon nitride films on Si, InP and GaAs
  • 批准号：
    138085-1996
  • 项目类别：
    Discovery Grants Program - Individual
  • 资助金额：
    $1.18万
  • 财政年份：
    1997
  • 负责人：
    Landheer, Dolf
  • 依托单位：
    University of Western Ontario
Studies of thin silicon nitride films on Si, InP and GaAs
  • 批准号：
    138085-1996
  • 项目类别：
    Discovery Grants Program - Individual
  • 资助金额：
    $1.18万
  • 财政年份：
    1996
  • 负责人：
    Landheer, Dolf
  • 依托单位：
    University of Western Ontario
国内基金
海外基金
拓扑绝缘体中的强关联现象
  • 批准号：
    11047126
  • 项目类别：
    专项基金项目
  • 资助金额：
    4.0万元
  • 批准年份：
    2010
  • 负责人：
    封晓勇
  • 依托单位：
    杭州师范大学
基于有源微环谐振器的高速光学比特存储的机理与器件研究
  • 批准号：
    61006045
  • 项目类别：
    青年科学基金项目
  • 资助金额：
    23.0万元
  • 批准年份：
    2010
  • 负责人：
    黄庆忠
  • 依托单位：
    华中科技大学