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Study of the insulator-semiconductor transition layer for remote plasma deposited silicon nitride on InP
InP上远程等离子体沉积氮化硅绝缘体-半导体过渡层的研究
基本信息
- 批准号：138085-1993
- 负责人：
- 金额：$ 0.87万
- 依托单位：
- 依托单位国家：加拿大
- 项目类别：Discovery Grants Program - Individual
- 财政年份：1994
- 资助国家：加拿大
- 起止时间：1994-01-01 至 1995-12-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
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项目成果
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Landheer, Dolf其他文献
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Studies of thin silicon nitride films on Si, InP and GaAs
Si、InP 和 GaAs 氮化硅薄膜的研究
- 批准号：
138085-1996 - 财政年份：1999
- 资助金额：
$ 0.87万 - 项目类别：
Discovery Grants Program - Individual
Studies of thin silicon nitride films on Si, InP and GaAs
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- 批准号：
138085-1996 - 财政年份：1998
- 资助金额：
$ 0.87万 - 项目类别：
Discovery Grants Program - Individual
Studies of thin silicon nitride films on Si, InP and GaAs
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- 批准号：
138085-1996 - 财政年份：1997
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$ 0.87万 - 项目类别：
Discovery Grants Program - Individual
Studies of thin silicon nitride films on Si, InP and GaAs
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- 批准号：
138085-1996 - 财政年份：1996
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$ 0.87万 - 项目类别：
Discovery Grants Program - Individual
Study of the insulator-semiconductor transition layer for remote plasma deposited silicon nitride on InP
InP上远程等离子体沉积氮化硅绝缘体-半导体过渡层的研究
- 批准号：
138085-1993 - 财政年份：1995
- 资助金额：
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InP上远程等离子体沉积氮化硅绝缘体-半导体过渡层的研究
- 批准号：
138085-1993 - 财政年份：1993
- 资助金额：
$ 0.87万 - 项目类别：
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拓扑绝缘体中的强关联现象
- 批准号：11047126
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- 批准号：
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- 批准号：
1605129 - 财政年份：2016
- 资助金额：
$ 0.87万 - 项目类别：
Standard Grant
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开发具有叠层绝缘体上硅像素探测器的电子跟踪半导体康普顿相机
- 批准号：
15K17648 - 财政年份：2015
- 资助金额：
$ 0.87万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
Spontaneous formation of semiconductor/insulator superlattice thin film using Dynamic Aurora PLD and its large thermoelectric property
利用Dynamic Aurora PLD自发形成半导体/绝缘体超晶格薄膜及其大热电性能
- 批准号：
15H04123 - 财政年份：2015
- 资助金额：
$ 0.87万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
CAREER: Tailoring the Surface State Conduction in Semiconductor and Topological Insulator Nanowires
职业：定制半导体和拓扑绝缘体纳米线的表面态传导
- 批准号：
1151534 - 财政年份：2012
- 资助金额：
$ 0.87万 - 项目类别：
Continuing Grant
Molecular structure and carrier dynamics at the interface betweenorganic semiconductor and insulator
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- 批准号：
22245001 - 财政年份：2010
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$ 0.87万 - 项目类别：
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绝缘体半导体界面界面偶极子的综合观测
- 批准号：
21246008 - 财政年份：2009
- 资助金额：
$ 0.87万 - 项目类别：
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阐明半导体和绝缘体界面的电荷转移和缺陷形成机制
- 批准号：
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$ 0.87万 - 项目类别：
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Microscopic Studies of Schottky Barrier Nano-Contacts and Nano-Structured Metal/Semiconductor and Metal/Insulator Interfaces
肖特基势垒纳米接触和纳米结构金属/半导体和金属/绝缘体界面的微观研究
- 批准号：
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