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Fabrication characterization and device application of InP InGaAsP AlGaAs GaAs and Si SiGe quantum well structures

Fabrication characterization and device application of InP InGaAsP AlGaAs GaAs and Si SiGe quantum well structures
InP InGaAsP AlGaAs GaAs 和 Si SiGe 量子阱结构的制备表征和器件应用
批准号：
42570-1994
负责人：
Simmons, John
金额：
$3.41万
依托单位：
McMaster University
依托单位国家：
加拿大
项目类别：
Discovery Grants Program - Individual
财政年份：
1995
资助国家：
加拿大
项目状态：
已结题
起止时间：
1995-01-01 至 1996-12-31
来源：
https://www.nserc-crsng.gc.ca/ase-oro/Details-Detailles_eng.asp?id=27350
关键词：
FabricationcharacterizationdeviceapplicationInP

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Fabrication and analyses of intermixing in InGaAs/InGaAsP and InGaAsP/InP quantum welld and their use in intermixed quantum-well lasers and integrated laser-modulator structures
  • 批准号：
    42570-2007
  • 项目类别：
    Discovery Grants Program - Individual
  • 资助金额：
    $1.98万
  • 财政年份：
    2008
  • 负责人：
    Simmons, John
  • 依托单位：
    McMaster University
Fabrication and analyses of intermixing in InGaAs/InGaAsP and InGaAsP/InP quantum welld and their use in intermixed quantum-well lasers and integrated laser-modulator structures
  • 批准号：
    42570-2007
  • 项目类别：
    Discovery Grants Program - Individual
  • 资助金额：
    $1.98万
  • 财政年份：
    2007
  • 负责人：
    Simmons, John
  • 依托单位：
    McMaster University
Design fabrication and analysis of high-power integrated DFB-modulator structures
  • 批准号：
    42570-2001
  • 项目类别：
    Discovery Grants Program - Individual
  • 资助金额：
    $4.23万
  • 财政年份：
    2006
  • 负责人：
    Simmons, John
  • 依托单位：
    McMaster University
Design fabrication and analysis of high-power integrated DFB-modulator structures
  • 批准号：
    42570-2001
  • 项目类别：
    Discovery Grants Program - Individual
  • 资助金额：
    $4.23万
  • 财政年份：
    2005
  • 负责人：
    Simmons, John
  • 依托单位：
    McMaster University
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