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Novel NEMS Switch Involving Hybrid Structure and Graphite-based Electronics for Ultra Low-power Applications

Novel NEMS Switch Involving Hybrid Structure and Graphite-based Electronics for Ultra Low-power Applications
适用于超低功耗应用的新型 NEMS 开关，涉及混合结构和石墨基电子器件
批准号：
360685-2008
负责人：
Xu, Qianying
金额：
$1.26万
依托单位：
Cornell University
依托单位国家：
加拿大
项目类别：
Postgraduate Scholarships - Master's
财政年份：
2008
资助国家：
加拿大
项目状态：
已结题
起止时间：
2008-01-01 至 2009-12-31
来源：
https://www.nserc-crsng.gc.ca/ase-oro/Details-Detailles_eng.asp?id=403844
关键词：
NovelNEMSSwitchInvolvingHybrid

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Field-sensitive tunnelling barrier involving engineered fullerenic molecules for non-volatile memory applications
  • 批准号：
    389160-2010
  • 项目类别：
    Postgraduate Scholarships - Doctoral
  • 资助金额：
    $0.76万
  • 财政年份：
    2012
  • 负责人：
    Xu, Qianying
  • 依托单位：
    Cornell University
Field-sensitive tunnelling barrier involving engineered fullerenic molecules for non-volatile memory applications
  • 批准号：
    389160-2010
  • 项目类别：
    Postgraduate Scholarships - Doctoral
  • 资助金额：
    $0.76万
  • 财政年份：
    2011
  • 负责人：
    Xu, Qianying
  • 依托单位：
    Cornell University
Field-sensitive tunnelling barrier involving engineered fullerenic molecules for non-volatile memory applications
  • 批准号：
    389160-2010
  • 项目类别：
    Postgraduate Scholarships - Doctoral
  • 资助金额：
    $1.53万
  • 财政年份：
    2010
  • 负责人：
    Xu, Qianying
  • 依托单位：
    Cornell University
Novel NEMS Switch Involving Hybrid Structure and Graphite-based Electronics for Ultra Low-power Applications
  • 批准号：
    360685-2009
  • 项目类别：
    Postgraduate Scholarships - Master's
  • 资助金额：
    $1.52万
  • 财政年份：
    2009
  • 负责人：
    Xu, Qianying
  • 依托单位：
    Cornell University
国内基金
海外基金
基于概率化失效准则的多晶MEMS/NEMS结构断裂可靠度研究
  • 批准号：
    JCZRQN202500559
  • 项目类别：
    省市级项目
  • 资助金额：
    --
  • 批准年份：
    2025
  • 负责人：
  • 依托单位：
    武汉工程大学
M/NEMS忆容振荡器的等效建模与动力学演化及多稳态调控研究
  • 批准号：
    62301085
  • 项目类别：
    青年科学基金项目
  • 资助金额：
    30.00万元
  • 批准年份：
    2023
  • 负责人：
    陈蓓
  • 依托单位：
    常州大学
面向新型信息处理器件的可集成碳基NEMS研究
  • 批准号：
    --
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    57万元
  • 批准年份：
    2021
  • 负责人：
    王新河
  • 依托单位：
    北京航空航天大学
基于热压阻NEMS谐振器的单芯片射频前端基础器件研究
  • 批准号：
    52075519
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    58.0万元
  • 批准年份：
    2020
  • 负责人：
    赵永梅
  • 依托单位：
    中国科学院半导体研究所