Growth of silicon germanium single crystals by the travelling heater method
移动加热器法生长硅锗单晶
基本信息
- 批准号:391860-2010
- 负责人:
- 金额:$ 2.55万
- 依托单位:
- 依托单位国家:加拿大
- 项目类别:Alexander Graham Bell Canada Graduate Scholarships - Doctoral
- 财政年份:2010
- 资助国家:加拿大
- 起止时间:2010-01-01 至 2011-12-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
No summary - Aucun sommaire
没有总结- Aucun sommaire
项目成果
期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ patent.updateTime }}
Roszmann, Jordan其他文献
Roszmann, Jordan的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
{{ truncateString('Roszmann, Jordan', 18)}}的其他基金
Growth of silicon germanium single crystals by the travelling heater method
移动加热器法生长硅锗单晶
- 批准号:
391860-2010 - 财政年份:2011
- 资助金额:
$ 2.55万 - 项目类别:
Alexander Graham Bell Canada Graduate Scholarships - Doctoral
Hydrogen liquifaction by means of active magnetic regeneration
通过主动磁再生进行氢气液化
- 批准号:
332617-2007 - 财政年份:2007
- 资助金额:
$ 2.55万 - 项目类别:
Postgraduate Scholarships - Master's
Hydrogen liquifaction by means of active magnetic regeneration
通过主动磁再生进行氢气液化
- 批准号:
332617-2006 - 财政年份:2006
- 资助金额:
$ 2.55万 - 项目类别:
Alexander Graham Bell Canada Graduate Scholarships - Master's
相似国自然基金
用于强磁场的位置灵敏型探测器技术研究
- 批准号:11175200
- 批准年份:2011
- 资助金额:68.0 万元
- 项目类别:面上项目
基于有源微环谐振器的高速光学比特存储的机理与器件研究
- 批准号:61006045
- 批准年份:2010
- 资助金额:23.0 万元
- 项目类别:青年科学基金项目
Silicon-Tethered 分子内 Corey-Chaykovsky 反应和 Tandem Heterocyclopropylolefin 环化反应研究
- 批准号:20802044
- 批准年份:2008
- 资助金额:18.0 万元
- 项目类别:青年科学基金项目
基于多孔硅键合氧化技术直接在绝缘体上制备无位错应变硅材料的研究
- 批准号:60776018
- 批准年份:2007
- 资助金额:34.0 万元
- 项目类别:面上项目
表面等离子共振增强硅基发光研究
- 批准号:60606001
- 批准年份:2006
- 资助金额:28.0 万元
- 项目类别:青年科学基金项目
相似海外基金
Analysis of Growth Mechanisms in CVD/ALD Processes by a Fusion of Molecular Fluid Engineering and Reaction Engineering
融合分子流体工程和反应工程分析 CVD/ALD 工艺中的生长机制
- 批准号:
20J20915 - 财政年份:2020
- 资助金额:
$ 2.55万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
Structural and electrical evaluation of the influence of carbon delta layers for defect reduction on epitaxial growth of thin, relaxed germanium layers on silicon substrates
碳δ层对硅衬底上薄的松弛锗层外延生长缺陷减少影响的结构和电学评估
- 批准号:
389061803 - 财政年份:2017
- 资助金额:
$ 2.55万 - 项目类别:
Research Grants
Lateral Growth of Germanium on Silicon by Advanced Liquid-Phase Epitaxy for Solar Cells
用于太阳能电池的先进液相外延在硅上横向生长锗
- 批准号:
444787-2013 - 财政年份:2015
- 资助金额:
$ 2.55万 - 项目类别:
Alexander Graham Bell Canada Graduate Scholarships - Doctoral
Lateral Growth of Germanium on Silicon by Advanced Liquid-Phase Epitaxy for Solar Cells
用于太阳能电池的先进液相外延在硅上横向生长锗
- 批准号:
444787-2013 - 财政年份:2014
- 资助金额:
$ 2.55万 - 项目类别:
Alexander Graham Bell Canada Graduate Scholarships - Doctoral
Lateral Growth of Germanium on Silicon by Advanced Liquid-Phase Epitaxy for Solar Cells
用于太阳能电池的先进液相外延在硅上横向生长锗
- 批准号:
444787-2013 - 财政年份:2013
- 资助金额:
$ 2.55万 - 项目类别:
Postgraduate Scholarships - Doctoral
Growth of silicon germanium single crystals by the travelling heater method
移动加热器法生长硅锗单晶
- 批准号:
391860-2010 - 财政年份:2011
- 资助金额:
$ 2.55万 - 项目类别:
Alexander Graham Bell Canada Graduate Scholarships - Doctoral
Collaborative Proposal: Low-Cost Substrates for III-V Photovoltaics by Self-Templated Selective Epitaxial Growth of Germanium on Silicon
合作提案:通过硅上锗的自模板选择性外延生长实现低成本 III-V 光伏衬底
- 批准号:
0907112 - 财政年份:2009
- 资助金额:
$ 2.55万 - 项目类别:
Standard Grant
Collaborative Proposal: Low-Cost Substrates for III-V Photovoltaics by Self-Templated Selective Epitaxial Growth of Germanium on Silicon
合作提案:通过硅上锗的自模板选择性外延生长实现低成本 III-V 光伏衬底
- 批准号:
0907365 - 财政年份:2009
- 资助金额:
$ 2.55万 - 项目类别:
Standard Grant
Growth and Fundamental Properties of GeSi Bulk Crystals
GeSi块状晶体的生长和基本性质
- 批准号:
13450001 - 财政年份:2001
- 资助金额:
$ 2.55万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Thin Film Growth around Misfit Dislocations
错位位错周围的薄膜生长
- 批准号:
11450005 - 财政年份:1999
- 资助金额:
$ 2.55万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B).