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Gallium nitride processes for efficient low loss power transistors

Gallium nitride processes for efficient low loss power transistors
用于高效低损耗功率晶体管的氮化镓工艺
批准号:
379749-2008
负责人:
Arès, Richard
金额:
$6.33万
依托单位:
依托单位国家:
加拿大
项目类别:
Collaborative Research and Development Grants
财政年份:
2012
资助国家:
加拿大
项目状态:
已结题
起止时间:
2012-01-01 至 2013-12-31

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Wide bandgap semiconductors, such as gallium nitride (GaN) are being considered with intense interest as base
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Nanovoids in semiconductors and defect dynamics: a path to the universal substrate
  • 批准号:
    RGPIN-2022-04367
  • 项目类别:
    Discovery Grants Program - Individual
  • 资助金额:
    $3.35万
  • 财政年份:
    2022
  • 负责人:
    Arès, Richard
  • 依托单位:
Graphene Coated Porous Semiconductor Nanocomposites for High Performance Electronics and Photonics
  • 批准号:
    RGPIN-2016-05007
  • 项目类别:
    Discovery Grants Program - Individual
  • 资助金额:
    $2.99万
  • 财政年份:
    2021
  • 负责人:
    Arès, Richard
  • 依托单位:
Materials and ARchitectures of Solar cells for CPV (MARS CPV)
  • 批准号:
    535854-2018
  • 项目类别:
    Collaborative Research and Development Grants
  • 资助金额:
    $26.07万
  • 财政年份:
    2021
  • 负责人:
    Arès, Richard
  • 依托单位:
Materials and ARchitectures of Solar cells for CPV (MARS CPV)
  • 批准号:
    535854-2018
  • 项目类别:
    Collaborative Research and Development Grants
  • 资助金额:
    $29.57万
  • 财政年份:
    2020
  • 负责人:
    Arès, Richard
  • 依托单位:
国内基金
海外基金
基于稀氮砷化镓(Dilute nitride GaNAs)的近红外自旋放大纳米线激光器的研究
  • 批准号:
    61905071
  • 项目类别:
    青年科学基金项目
  • 资助金额:
    24.0万元
  • 批准年份:
    2019
  • 负责人:
    陈舒拉
  • 依托单位: