Mitigating transistor aging in planar and 3D MOSFET integrated circuits

减轻平面和 3D MOSFET 集成电路中的晶体管老化

基本信息

  • 批准号:
    462849-2014
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 1.82万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    加拿大
  • 项目类别:
    Engage Grants Program
  • 财政年份:
    2014
  • 资助国家:
    加拿大
  • 起止时间:
    2014-01-01 至 2015-12-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

Transistor aging is a reliability problem that becomes a limiting factor of lifetime and performance of
晶体管老化是一个可靠性问题,成为限制晶体管寿命和性能的因素。

项目成果

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