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Chemical Beam Epitaxy (CBE) Upgrade for Advanced Optoelectronic Devices
先进光电器件的化学束外延 (CBE) 升级
基本信息
- 批准号：RTI-2016-00091
- 负责人：
- 金额：$ 10.59万
- 依托单位：
- 依托单位国家：加拿大
- 项目类别：Research Tools and Instruments
- 财政年份：2015
- 资助国家：加拿大
- 起止时间：2015-01-01 至 2016-12-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
The main motivation for the proposed equipment is to enable research in the design and implementation of novel heterostructures and micro/nano-structures grown with
提出该设备的主要动机是使设计和实现新型异质结构和微/纳米结构的研究成为可能
项目成果
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专利数量（0）
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Fafard, Simon其他文献
Over 40-W Electric Power and Optical Data Transmission Using an Optical Fiber
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- 影响因子：2.4
- 作者：
Fafard, Simon;Masson, Denis P. - 通讯作者：
Masson, Denis P.
Defect free strain relaxation of microcrystals on mesoporous patterned silicon.
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10.1038/s41467-022-34288-4 - 发表时间：
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- DOI：
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- 作者：
Fafard, Simon;Masson, Denis P. - 通讯作者：
Masson, Denis P.
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{{ truncateString('Fafard, Simon', 18)}}的其他基金
Record Efficiency Photovoltaic Heterostructures
创纪录的光伏异质结构效率
- 批准号：
RGPIN-2017-05458 - 财政年份：2022
- 资助金额：
$ 10.59万 - 项目类别：
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创纪录的光伏异质结构效率
- 批准号：
RGPIN-2017-05458 - 财政年份：2021
- 资助金额：
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Record Efficiency Photovoltaic Heterostructures
创纪录的光伏异质结构效率
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Record Efficiency Photovoltaic Heterostructures
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- 批准号：
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Novel III-V heterostructures and designs for high-performance avalanche photodiode devices
用于高性能雪崩光电二极管器件的新型 III-V 异质结构和设计
- 批准号：
495842-2016 - 财政年份：2018
- 资助金额：
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Record Efficiency Photovoltaic Heterostructures
创纪录的光伏异质结构效率
- 批准号：
RGPIN-2017-05458 - 财政年份：2018
- 资助金额：
$ 10.59万 - 项目类别：
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Record Efficiency Photovoltaic Heterostructures
创纪录的光伏异质结构效率
- 批准号：
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- 批准号：
495842-2016 - 财政年份：2016
- 资助金额：
$ 10.59万 - 项目类别：
Collaborative Research and Development Grants
Self-assembled quantum dots: Properties and applications
自组装量子点：特性和应用
- 批准号：
217909-1999 - 财政年份：2002
- 资助金额：
$ 10.59万 - 项目类别：
Discovery Grants Program - Individual
相似国自然基金
完全共振高次带导数Beam方程的拟周期解研究
- 批准号：12301229
- 批准年份：2023
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- 批准号：81803056
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- 批准号：11475234
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相似海外基金
Chemical Beam Epitaxy of Aluminium-Based Alloys for Photonics Applications
用于光子学应用的铝合金化学束外延
- 批准号：
477325-2014 - 财政年份：2014
- 资助金额：
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Engage Grants Program
Chemical beam epitaxy for photovoltaics and GaN-based electronics
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- 批准号：
299093-2010 - 财政年份：2014
- 资助金额：
$ 10.59万 - 项目类别：
Discovery Grants Program - Individual
4CPV: Materials and processes for quad-junction concentrated photovoltaic (CPV) solar cells with conversion efficiencies in the 45%-50% range, grown by chemical beam epitaxy
4CPV:%20材料%20和%20工艺%20用于%20四结%20集中%20光伏%20(CPV)%20太阳能%20电池%20与%20转换%20效率%20在%20%2045%-50%%20范围内,%20增长%20
- 批准号：
413276-2011 - 财政年份：2013
- 资助金额：
$ 10.59万 - 项目类别：
Strategic Projects - Group
Chemical beam epitaxy for photovoltaics and GaN-based electronics
用于光伏和 GaN 电子产品的化学束外延
- 批准号：
299093-2010 - 财政年份：2013
- 资助金额：
$ 10.59万 - 项目类别：
Discovery Grants Program - Individual
4CPV: Materials and processes for quad-junction concentrated photovoltaic (CPV) solar cells with conversion efficiencies in the 45%-50% range, grown by chemical beam epitaxy
4CPV:%20材料%20和%20工艺%20用于%20四结%20集中%20光伏%20(CPV)%20太阳能%20电池%20与%20转换%20效率%20在%20%2045%-50%%20范围内,%20增长%20
- 批准号：
413276-2011 - 财政年份：2012
- 资助金额：
$ 10.59万 - 项目类别：
Strategic Projects - Group
Chemical beam epitaxy to grow ~1eV dilute nitride materials for low-cost, high efficiency solar cells
化学束外延可生长约 1eV 的稀氮化物材料，用于低成本、高效率的太阳能电池
- 批准号：
435005-2012 - 财政年份：2012
- 资助金额：
$ 10.59万 - 项目类别：
Engage Grants Program
Chemical beam epitaxy for photovoltaics and GaN-based electronics
用于光伏和 GaN 电子产品的化学束外延
- 批准号：
299093-2010 - 财政年份：2012
- 资助金额：
$ 10.59万 - 项目类别：
Discovery Grants Program - Individual
4CPV: Materials and processes for quad-junction concentrated photovoltaic (CPV) solar cells with conversion efficiencies in the 45%-50% range, grown by chemical beam epitaxy
4CPV:%20材料%20和%20工艺%20用于%20四结%20集中%20光伏%20(CPV)%20太阳能%20电池%20与%20转换%20效率%20在%20%2045%-50%%20范围内,%20增长%20
- 批准号：
413276-2011 - 财政年份：2011
- 资助金额：
$ 10.59万 - 项目类别：
Strategic Projects - Group
Chemical beam epitaxy for photovoltaics and GaN-based electronics
用于光伏和 GaN 电子产品的化学束外延
- 批准号：
299093-2010 - 财政年份：2011
- 资助金额：
$ 10.59万 - 项目类别：
Discovery Grants Program - Individual
Chemical beam epitaxy for photovoltaics and GaN-based electronics
用于光伏和 GaN 电子产品的化学束外延
- 批准号：
299093-2010 - 财政年份：2010
- 资助金额：
$ 10.59万 - 项目类别：
Discovery Grants Program - Individual