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Indium Antimonide Nanowire Growth on Silicon via Position Controlled Indium Arsenide stems

Indium Antimonide Nanowire Growth on Silicon via Position Controlled Indium Arsenide stems
通过位置控制砷化铟茎在硅上生长锑化铟纳米线
批准号：
475549-2015
负责人：
Robson, Mitchell
金额：
$1.53万
依托单位：
McMaster University
依托单位国家：
加拿大
项目类别：
Postgraduate Scholarships - Doctoral
财政年份：
2017
资助国家：
加拿大
项目状态：
已结题
起止时间：
2017-01-01 至 2018-12-31
来源：
https://www.nserc-crsng.gc.ca/ase-oro/Details-Detailles_eng.asp?id=621047
关键词：
IndiumAntimonideNanowireGrowthSilicon

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Indium Antimonide Nanowire Growth on Silicon via Position Controlled Indium Arsenide stems
  • 批准号：
    475549-2015
  • 项目类别：
    Postgraduate Scholarships - Doctoral
  • 资助金额：
    $1.53万
  • 财政年份：
    2015
  • 负责人：
    Robson, Mitchell
  • 依托单位：
    McMaster University
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