Couches antireflets/passivation pour les sondes thermiques à base de semiconducteurs III-V pour les applications à forts champs magnétiques
Couches antireflets/passivation pour les sondes thermiques à base de semiconducteurs III-V pour les applications à forts champs magnétiques
批准号:
520644-2017
负责人:
Jaouad, Abdelatif
金额:
$1.82万
依托单位:
依托单位国家:
加拿大
项目类别:
Engage Grants Program
财政年份:
2017
资助国家:
加拿大
项目状态:
已结题
起止时间:
2017-01-01 至 2018-12-31
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英文摘要
La mesure de la température de manière précise est critique pour certaines applications médicales, tel que lestraitements et les analyses par imagerie à résonance magnétique (IRM). Or, les sondes thermiques standardstelles que les RTD et les thermocouples ne sont pas compatibles avec les applications destinées à fonctionnerdans des forts champs magnétiques. Actuellement, les appareils IRM utilisent des champs élevés de l'ordre de1.5 Tesla, et la tendance va vers des champs plus élevés (3 Tesla) afin d'améliorer la résolution des images. Lacompagnie Opsens Medical a déjà développé des sondes thermiques à fibre optique basées sur le principe de lavariation de la bande interdite de GaAs en fonction de la température et qui sont actuellement utilisées pourdes champs allant jusqu'à 1.5 Tesla. Pour réaliser des sondes thermiques capables de fonctionner à des champsmagnétiques encore plus élevés, Opsens propose de remplacer le cristal de GaAs par une membrane desemiconducteurs III-V obtenue par épitaxie. La réalisation de ce dispositif, est bloquée par le fait que laréponse spectrale de ces membranes présentent des grandes oscillations au voisinage du seuil d'absorption(~890 nm) de GaAs, or c'est cette région qui sert pour la mesure de la température. Dans ce projet, on proposede développer par PECVD des nouveaux matériaux qui auront des propriétés optiques spécifiques quipermettent de réaliser des couches antireflets pour les sondes thermiques à base de membrane GaAs etpermettant de réduire la réflectance tout en enlevant les oscillations du Fabry Perrot dans la bande 880-900 nm.
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Procédés de passivation pour les composants électroniques III-N/III-V et pour les dispositifs quantiques
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批准号:RGPIN-2020-05785
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项目类别:Discovery Grants Program - Individual
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资助金额:$2.04万
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财政年份:2022
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负责人:Jaouad, Abdelatif
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依托单位:
Procédés de passivation pour les composants électroniques III-N/III-V et pour les dispositifs quantiques
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批准号:RGPIN-2020-05785
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项目类别:Discovery Grants Program - Individual
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资助金额:$2.04万
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财政年份:2021
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负责人:Jaouad, Abdelatif
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依托单位:
Procédés de passivation pour les composants électroniques III-N/III-V et pour les dispositifs quantiques
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批准号:RGPIN-2020-05785
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项目类别:Discovery Grants Program - Individual
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资助金额:$2.04万
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财政年份:2020
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负责人:Jaouad, Abdelatif
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依托单位:
Thermal behaviour of Silicon Solar cells in low-concentration quasi-static PV systems and impact of high temperature on their photoconversion performance
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批准号:539210-2019
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项目类别:Engage Grants Program
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资助金额:$1.82万
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财政年份:2019
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负责人:Jaouad, Abdelatif
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依托单位:
Passivation plasma de dispositifs électroniques et optoélectroniques à base de nitrure de gallium et des semiconducteurs III-V
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批准号:RGPIN-2015-05007
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项目类别:Discovery Grants Program - Individual
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资助金额:$1.6万
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财政年份:2019
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负责人:Jaouad, Abdelatif
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依托单位:
Passivation plasma de dispositifs électroniques et optoélectroniques à base de nitrure de gallium et des semiconducteurs III-V
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批准号:RGPIN-2015-05007
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项目类别:Discovery Grants Program - Individual
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资助金额:$1.6万
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财政年份:2018
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负责人:Jaouad, Abdelatif
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依托单位:
Passivation plasma de dispositifs électroniques et optoélectroniques à base de nitrure de gallium et des semiconducteurs III-V
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批准号:RGPIN-2015-05007
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项目类别:Discovery Grants Program - Individual
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资助金额:$1.6万
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财政年份:2017
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负责人:Jaouad, Abdelatif
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依托单位:
Passivation plasma de dispositifs électroniques et optoélectroniques à base de nitrure de gallium et des semiconducteurs III-V
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批准号:RGPIN-2015-05007
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项目类别:Discovery Grants Program - Individual
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资助金额:$1.6万
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财政年份:2016
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负责人:Jaouad, Abdelatif
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依托单位:
Passivation plasma de dispositifs électroniques et optoélectroniques à base de nitrure de gallium et des semiconducteurs III-V
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批准号:RGPIN-2015-05007
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项目类别:Discovery Grants Program - Individual
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资助金额:$1.6万
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财政年份:2015
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负责人:Jaouad, Abdelatif
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依托单位:
Passivation de dispositifs photoniques haute performance
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批准号:355620-2008
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项目类别:Discovery Grants Program - Individual
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资助金额:$1.42万
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财政年份:2012
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负责人:Jaouad, Abdelatif
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依托单位:
Passivation de dispositifs photoniques haute performance
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批准号:355620-2008
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项目类别:Discovery Grants Program - Individual
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资助金额:$1.42万
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财政年份:2011
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负责人:Jaouad, Abdelatif
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依托单位:
Passivation de dispositifs photoniques haute performance
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批准号:355620-2008
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项目类别:Discovery Grants Program - Individual
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资助金额:$1.42万
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财政年份:2010
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负责人:Jaouad, Abdelatif
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依托单位:
Passivation de dispositifs photoniques haute performance
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批准号:355620-2008
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项目类别:Discovery Grants Program - Individual
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资助金额:$1.42万
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财政年份:2009
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负责人:Jaouad, Abdelatif
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依托单位:
Passivation de dispositifs photoniques haute performance
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批准号:355620-2008
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项目类别:Discovery Grants Program - Individual
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资助金额:$1.42万
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财政年份:2008
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负责人:Jaouad, Abdelatif
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依托单位: