Passivation de dispositifs photoniques haute performance
高级性能光子装置钝化
基本信息
- 批准号:355620-2008
- 负责人:
- 金额:$ 1.42万
- 依托单位:
- 依托单位国家:加拿大
- 项目类别:Discovery Grants Program - Individual
- 财政年份:2012
- 资助国家:加拿大
- 起止时间:2012-01-01 至 2013-12-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
Pour atteindre plus de performance, la photonique basée sur les semiconducteurs III-V s'oriente vers des technologies de plus en plus miniaturisées pour lesquels le ratio surface/volume devient important. La grande densité des défauts naturellement présents sur la surface de ces matériaux, ajoutée aux défauts introduits par certaines étapes de la fabrication (la gravure ou le clivage, par exemple) devient excessive au point de compromettre la fiabilité et les performances des dispositifs. Ce programme de recherche se propose de contribuer à minimsier la densité des états électroniques associée à ces défauts. Une technologie de passivation bien adaptée sera développée et permettra d'aider à l'émergence à l'échelle industrielle de certains dispositifs et de circuits des prochaines générations de la photonique.
为了提高性能,基于III-V的光子学技术的方向是提高表面/体积比,这是非常重要的。材料表面存在缺陷的致密性,由于缺陷引入了制造(凹版或雕刻)过程中的某些缺陷,导致Au点对材料的稳定性和性能产生过度影响。该研究方案建议尽量减少与这些缺陷有关的电子国家的密度。Une technologie de passivation bien adaptée sera dépée et permettra d'aider à l'émergence à l'échelle industrielle de certains dispositifs et de circuits des prochaines générations de la photonique.
项目成果
期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ patent.updateTime }}
Jaouad, Abdelatif其他文献
Silicon nitride nanotemplate fabrication using inductively coupled plasma etching process
- DOI:
10.1116/1.3628593 - 发表时间:
2011-09-01 - 期刊:
- 影响因子:1.4
- 作者:
Ayari-Kanoun, Asma;Jaouad, Abdelatif;Beauvais, Jacques - 通讯作者:
Beauvais, Jacques
Optimized Pre-Treatment Process for MOS-GaN Devices Passivation
- DOI:
10.1109/led.2014.2298457 - 发表时间:
2014-03-01 - 期刊:
- 影响因子:4.9
- 作者:
Chakroun, Ahmed;Maher, Hassan;Jaouad, Abdelatif - 通讯作者:
Jaouad, Abdelatif
Miniaturization of InGaP/InGaAs/Ge solar cells for micro-concentrator photovoltaics
- DOI:
10.1002/pip.3421 - 发表时间:
2021-05-06 - 期刊:
- 影响因子:6.7
- 作者:
Albert, Pierre;Jaouad, Abdelatif;Darnon, Maxime - 通讯作者:
Darnon, Maxime
Mechanisms of GaAs surface passivation by a one-step dry process using low-frequency plasma enhanced chemical deposition of silicon nitride
- DOI:
10.1016/j.mee.2020.111398 - 发表时间:
2020-09-15 - 期刊:
- 影响因子:2.3
- 作者:
Richard, Olivier;Blais, Sonia;Jaouad, Abdelatif - 通讯作者:
Jaouad, Abdelatif
Antireflection Coating Design for Triple-Junction III-V/Ge High-Efficiency Solar Cells Using Low Absorption PECVD Silicon Nitride
- DOI:
10.1109/jphotov.2012.2198793 - 发表时间:
2012-07-01 - 期刊:
- 影响因子:3
- 作者:
Homier, Ram;Jaouad, Abdelatif;Aimez, Vincent - 通讯作者:
Aimez, Vincent
Jaouad, Abdelatif的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
{{ truncateString('Jaouad, Abdelatif', 18)}}的其他基金
Procédés de passivation pour les composants électroniques III-N/III-V et pour les dispositifs quantiques
III-N/III-V 电子组合物钝化过程和量子配置
- 批准号:
RGPIN-2020-05785 - 财政年份:2022
- 资助金额:
$ 1.42万 - 项目类别:
Discovery Grants Program - Individual
Procédés de passivation pour les composants électroniques III-N/III-V et pour les dispositifs quantiques
III-N/III-V 电子组合物钝化过程和量子配置
- 批准号:
RGPIN-2020-05785 - 财政年份:2021
- 资助金额:
$ 1.42万 - 项目类别:
Discovery Grants Program - Individual
Procédés de passivation pour les composants électroniques III-N/III-V et pour les dispositifs quantiques
III-N/III-V 电子组合物钝化过程和量子配置
- 批准号:
RGPIN-2020-05785 - 财政年份:2020
- 资助金额:
$ 1.42万 - 项目类别:
Discovery Grants Program - Individual
Thermal behaviour of Silicon Solar cells in low-concentration quasi-static PV systems and impact of high temperature on their photoconversion performance
低聚光准静态光伏系统中硅太阳能电池的热行为及高温对其光转换性能的影响
- 批准号:
539210-2019 - 财政年份:2019
- 资助金额:
$ 1.42万 - 项目类别:
Engage Grants Program
Passivation plasma de dispositifs électroniques et optoélectroniques à base de nitrure de gallium et des semiconducteurs III-V
电子和光电处置 à 氮化镓基和半导体 III-V 的钝化等离子体
- 批准号:
RGPIN-2015-05007 - 财政年份:2019
- 资助金额:
$ 1.42万 - 项目类别:
Discovery Grants Program - Individual
Passivation plasma de dispositifs électroniques et optoélectroniques à base de nitrure de gallium et des semiconducteurs III-V
电子和光电处置 à 氮化镓基和半导体 III-V 的钝化等离子体
- 批准号:
RGPIN-2015-05007 - 财政年份:2018
- 资助金额:
$ 1.42万 - 项目类别:
Discovery Grants Program - Individual
Couches antireflets/passivation pour les sondes thermiques à base de semiconducteurs III-V pour les applications à forts champs magnétiques
热探测器的抗反射/钝化和应用的半导体 III-V 底座 à 冠军堡垒
- 批准号:
520644-2017 - 财政年份:2017
- 资助金额:
$ 1.42万 - 项目类别:
Engage Grants Program
Passivation plasma de dispositifs électroniques et optoélectroniques à base de nitrure de gallium et des semiconducteurs III-V
电子和光电处置 à 氮化镓基和半导体 III-V 的钝化等离子体
- 批准号:
RGPIN-2015-05007 - 财政年份:2017
- 资助金额:
$ 1.42万 - 项目类别:
Discovery Grants Program - Individual
Passivation plasma de dispositifs électroniques et optoélectroniques à base de nitrure de gallium et des semiconducteurs III-V
电子和光电处置 à 氮化镓基和半导体 III-V 的钝化等离子体
- 批准号:
RGPIN-2015-05007 - 财政年份:2016
- 资助金额:
$ 1.42万 - 项目类别:
Discovery Grants Program - Individual
Passivation plasma de dispositifs électroniques et optoélectroniques à base de nitrure de gallium et des semiconducteurs III-V
电子和光电处置 à 氮化镓基和半导体 III-V 的钝化等离子体
- 批准号:
RGPIN-2015-05007 - 财政年份:2015
- 资助金额:
$ 1.42万 - 项目类别:
Discovery Grants Program - Individual
相似国自然基金
DNMT3B通过de novo甲基化下调EIF4A3表达抑制PI3K/AKT通路减少巨噬细胞M2极化增强NPC放疗抵抗的研究
- 批准号:2025JJ70151
- 批准年份:2025
- 资助金额:0.0 万元
- 项目类别:省市级项目
基于吡咯并[4,3,2-de]喹啉类生物碱新型抗植物病毒剂的发现及机制
研究
- 批准号:
- 批准年份:2024
- 资助金额:0.0 万元
- 项目类别:省市级项目
BAIAP2基因de novo变异在儿童发育性癫痫性脑病中的作用
及机制研究
- 批准号:
- 批准年份:2024
- 资助金额:0.0 万元
- 项目类别:省市级项目
基于RT-3DE的3DFCN模型全自动检测及预测CRF患者亚临床左心室收缩功能障碍
- 批准号:82371980
- 批准年份:2023
- 资助金额:50 万元
- 项目类别:面上项目
基于中国马Y染色体de novo组装对家马父系起源进化及繁殖性状候选基因定位的研究
- 批准号:32302731
- 批准年份:2023
- 资助金额:30 万元
- 项目类别:青年科学基金项目
基于Cre酶的靶向性de novo DNA甲基化技术和模型开发
- 批准号:32300469
- 批准年份:2023
- 资助金额:30 万元
- 项目类别:青年科学基金项目
De Bruijn序列及其推广序列的构造与分析
- 批准号:
- 批准年份:2022
- 资助金额:54 万元
- 项目类别:面上项目
狼疮易感基因PHRF1及其de novo突变R194C的免疫病理机制研究
- 批准号:32270946
- 批准年份:2022
- 资助金额:54 万元
- 项目类别:
IDO-1介导的De novo NAD+合成激活在肺动脉高压中的作用和机制研究
- 批准号:
- 批准年份:2021
- 资助金额:30 万元
- 项目类别:青年科学基金项目
新一代生物标志物dE-DHP 用于吡咯里西啶生物碱肝损害精准诊断的研究
- 批准号:21Y11921800
- 批准年份:2021
- 资助金额:0.0 万元
- 项目类别:省市级项目
相似海外基金
Procédés de passivation pour les composants électroniques III-N/III-V et pour les dispositifs quantiques
III-N/III-V 电子组合物钝化过程和量子配置
- 批准号:
RGPIN-2020-05785 - 财政年份:2022
- 资助金额:
$ 1.42万 - 项目类别:
Discovery Grants Program - Individual
Procédés de passivation pour les composants électroniques III-N/III-V et pour les dispositifs quantiques
III-N/III-V 电子组合物钝化过程和量子配置
- 批准号:
RGPIN-2020-05785 - 财政年份:2021
- 资助金额:
$ 1.42万 - 项目类别:
Discovery Grants Program - Individual
Procédés de passivation pour les composants électroniques III-N/III-V et pour les dispositifs quantiques
III-N/III-V 电子组合物钝化过程和量子配置
- 批准号:
RGPIN-2020-05785 - 财政年份:2020
- 资助金额:
$ 1.42万 - 项目类别:
Discovery Grants Program - Individual
Passivation plasma de dispositifs électroniques et optoélectroniques à base de nitrure de gallium et des semiconducteurs III-V
电子和光电处置 à 氮化镓基和半导体 III-V 的钝化等离子体
- 批准号:
RGPIN-2015-05007 - 财政年份:2019
- 资助金额:
$ 1.42万 - 项目类别:
Discovery Grants Program - Individual
Passivation plasma de dispositifs électroniques et optoélectroniques à base de nitrure de gallium et des semiconducteurs III-V
电子和光电处置 à 氮化镓基和半导体 III-V 的钝化等离子体
- 批准号:
RGPIN-2015-05007 - 财政年份:2018
- 资助金额:
$ 1.42万 - 项目类别:
Discovery Grants Program - Individual
Passivation plasma de dispositifs électroniques et optoélectroniques à base de nitrure de gallium et des semiconducteurs III-V
电子和光电处置 à 氮化镓基和半导体 III-V 的钝化等离子体
- 批准号:
RGPIN-2015-05007 - 财政年份:2017
- 资助金额:
$ 1.42万 - 项目类别:
Discovery Grants Program - Individual
Passivation plasma de dispositifs électroniques et optoélectroniques à base de nitrure de gallium et des semiconducteurs III-V
电子和光电处置 à 氮化镓基和半导体 III-V 的钝化等离子体
- 批准号:
RGPIN-2015-05007 - 财政年份:2016
- 资助金额:
$ 1.42万 - 项目类别:
Discovery Grants Program - Individual
Passivation plasma de dispositifs électroniques et optoélectroniques à base de nitrure de gallium et des semiconducteurs III-V
电子和光电处置 à 氮化镓基和半导体 III-V 的钝化等离子体
- 批准号:
RGPIN-2015-05007 - 财政年份:2015
- 资助金额:
$ 1.42万 - 项目类别:
Discovery Grants Program - Individual
Passivation de dispositifs photoniques haute performance
高级性能光子装置钝化
- 批准号:
355620-2008 - 财政年份:2011
- 资助金额:
$ 1.42万 - 项目类别:
Discovery Grants Program - Individual
Passivation de dispositifs photoniques haute performance
高级性能光子装置钝化
- 批准号:
355620-2008 - 财政年份:2010
- 资助金额:
$ 1.42万 - 项目类别:
Discovery Grants Program - Individual