Procédés de passivation pour les composants électroniques III-N/III-V et pour les dispositifs quantiques

Les materiaux III-V, incluant Les nitrures III-N possedent des proprietes体格很有趣,他们位于安大略省有的surpasser硅在几个应用程序optoelectroniques et de高级频数。3 - 5 .技术三级-三级主管部门三级-五级主管部门三级-五级主管部门三级主管部门三级主管部门三级主管部门三级主管部门三级主管部门三级主管部门三级主管部门三级主管部门三级主管部门三级主管部门三级主管部门三级主管部门三级主管部门三级主管部门三级主管部门三级主管部门三级主管部门三级主管部门三级主管部门三级主管部门三级主管部门三级主管部门三级主管部门三级主管部门三级主管部门三级主管部门三级主管部门三级主管部门三级主管部门三级主管部门三级主管部门三级主管部门三级主管部门三级主管部门三级主管部门三级主管部门三级主管部门三级主管部门三级主管部门三级主管部门三级主管部门三级主管部门三级主管部门。倒射门le最大德圣俸des III-V / III-N倒看到新dispositifs的羽化式毛钩,il est necessaire de开发des为支持德钝化演示de稳定器les proprietes electroniques de他们表面等接口等reduire la grande三硝基甲苯炸药des状况d 'interface, les caracterise。主要的研究方案是关于化学合成材料的钝化过程的研究，例如电子合成材料的钝化过程。这两种成分组成了两个主要的<s:1>化学交换器-化学交换器-化学交换器-化学交换器。malgrise的性能，即<s:1>电子交换器的性能，<s:1>电子交换器的性能，<s:1>电子交换器的性能，<s:1>电子交换器的稳定性，以及<s:1>电子交换器的性能。在一个穿越方案中，我们使用了一个简单的方法，即使用了一个简单的方案，即使用了一个简单的方案，即使用了一个简单的方案，即使用了一个简单的方案，即使用了一个简单的方案，即使用了一个简单的方案，即使用了一个简单的方案。非极端化（计划m）或半极端化（计划a），是一种简单的极端化（1 / 3）的过渡（1 / 3）的过渡（1 / 3）。电子电子的栅格和栅格的栅格和栅格的栅格的栅格和栅格的栅格的栅格的栅格和栅格的栅格的栅格的栅格的栅格的栅格的栅格的栅格的栅格的栅格的栅格的栅格的栅格的栅格的栅格的栅格的栅格的栅格的栅格。实际情况是，la communautreise III-N采用了<s:1> <s:1> <s:1> <s:1> <s:1> <s:1> <s:1> <s:1> <s:1> <s:1> <s:1> <s:1> <s:1> <s:1> <s:1> <s:1> <s:1>·········从表面上看，最优的表面结构取决于表面结构的方向和表面结构的性质。在这个项目,我将开发des为支持德钝化specifiques每一polarite等适应辅助结构垂直afin de贡献的完善la stabilite et les表演de ces将来时composants de权势。在第3至第5级中，第2级和第3至第5级中，第3至第5级中，第3至第5级中，第3至第5级中。塞斯处理了3个主要的组织结构，例如，处理过的组织结构和处理过的组织结构，例如，处理过的组织结构和处理过的组织结构，例如，处理过的组织结构和处理过的组织结构，例如，处理过的组织结构和处理过的组织结构，例如，处理过的组织结构和处理过的组织结构。这是一个关于电子商务的节目，它提出了关于电子商务的问题：电子商务与电子商务（SET）。Nous允许特定的调制解调器的钝化，例如调制解调器的钝化，调制解调器的钝化，调制解调器的钝化，调制解调器的钝化，调制解调器的钝化，调制解调器的钝化，调制解调器的钝化，调制解调器的钝化，调制解调器的钝化，调制解调器的钝化，调制解调器的钝化，调制解调器的钝化，调制解调器的信息，调制解调器的定量和未来的发展。

Les matériaux III-V, incluant les nitrures III-N possèdent des propriétés physiques intéressantes qui leur ont permis de surpasser le silicium dans plusieurs applications optoélectroniques et de hautes fréquences. Malgré le démarrage tardif de la technologie III-N par rapport aux autres III-V, ces matériaux promettent de conquérir certains marchés de l'électronique de puissance, comme ils l'ont fait avec les DELs. Pour tirer le maximum de bénéfice des III-V/III-N et pour voir emerger des nouveaux dispositifs, il est nécessaire de développer des procédés de passivation  qui permettent de stabiliser les propriétés électroniques de leurs surfaces et interfaces et réduire la grande densité des états d'interface qui les caractérise.  L'axe principal de ce programme de recherche porte sur la passivation de composants électroniques à base de GaN. Ces composants sont en majorité réalisés sur le plan c du GaN avec une polarité- Ga. Malgré les performances démontrées par ces dispositifs, leur fiabilité et leur stabilité n'ont pas atteint le niveau requis pour leur applications en électronique de puissance. A travers ce programme, je vais développer des procédés de passivation qui permettront d'améliorer les performances,  la stabilité et la robustesse des composants actuellement développé sur le GaN polaire. Le GaN non polaire (plan m) ou semipolaire (plan a), ainsi que le GaN avec une polarité-N commencent à intéresser la communauté GaN. Ils démontrent un potentiel plus important pour les fortes puissance/haute fréquence et ils feront probablement la prochaine génération de composants III-N, exactement comme les transistors verticaux tel que les FinFET et les transistors à base de nanofils. Actuelement, la communauté III-N utilise les mêmes procédés que pour passiver le plan c du GaN standard; ce qui n'est pas nécessairement optimal puisque la chimie des surfaces dépend directement de la polarité et de la nature du plan réticulaire. Dans ce programme, je vais développer des procédés de passivation spécifiques à chaque polarité et adaptés aux structures verticales  afin de contribuer à améliorer la stabilité et les performances de ces futurs composants de puissance. Dans un axe secondaire, je vais initier des travaux de passivation pour les dispositifs quantiques à base de III-V. Ces dispositifs sont prinicipalement fabriquées avec des procédés similaires à celle du HEMT AlGaAs/GaAs et les questions relatifs à la passivation et à la qualité de l'interface n'ont pas encore été discutés. Dans ce programme, on va traiter ces questions à travers le transistor à un seul électron (SET). Nous allons particulièrement vérifier si la passivation peut réduire le bruit de charge de ce composant quantique,et si c'est le cas,ça ouvrira la porte à des recherches plus approfondies sur le sujet de la passivation des composants pour l'informatique quantique dans le futur.