Passivation plasma de dispositifs électroniques et optoélectroniques à base de nitrure de gallium et des semiconducteurs III-V
Passivation plasma de dispositifs électroniques et optoélectroniques à base de nitrure de gallium et des semiconducteurs III-V
批准号:
RGPIN-2015-05007
负责人:
Jaouad, Abdelatif
金额:
$1.6万
依托单位:
依托单位国家:
加拿大
项目类别:
Discovery Grants Program - Individual
财政年份:
2015
资助国家:
加拿大
项目状态:
已结题
起止时间:
2015-01-01 至 2016-12-31
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英文摘要
Le nitrure de gallium (GaN) et les nitrures III-N bénéficient des propriétés intéressantes (gap direct, haute mobilité des porteurs) qui ont permis aux autres III-V de dépasser le silicium dans certaines applications comme la photonique et les composants hyperfréquence. Leur large bande interdite en fait le matériau de choix pour les dispositifs électroniques de puissance destinés à fonctionner dans des environnements hostiles (haute température, forte irradiation) et en haute tension. Les diodes électroluminescentes (LED) utilisées pour les téléviseurs ACL et pour l’éclairage, constituent un bel exemple du succès du GaN dont les apports ont été reconnus par l’octroi du prix Nobel de physique 2014.
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Procédés de passivation pour les composants électroniques III-N/III-V et pour les dispositifs quantiques
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批准号:RGPIN-2020-05785
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项目类别:Discovery Grants Program - Individual
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资助金额:$2.04万
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财政年份:2022
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负责人:Jaouad, Abdelatif
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依托单位:
Procédés de passivation pour les composants électroniques III-N/III-V et pour les dispositifs quantiques
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批准号:RGPIN-2020-05785
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项目类别:Discovery Grants Program - Individual
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资助金额:$2.04万
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财政年份:2021
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负责人:Jaouad, Abdelatif
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依托单位:
Procédés de passivation pour les composants électroniques III-N/III-V et pour les dispositifs quantiques
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批准号:RGPIN-2020-05785
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项目类别:Discovery Grants Program - Individual
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资助金额:$2.04万
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财政年份:2020
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负责人:Jaouad, Abdelatif
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依托单位:
Thermal behaviour of Silicon Solar cells in low-concentration quasi-static PV systems and impact of high temperature on their photoconversion performance
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批准号:539210-2019
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项目类别:Engage Grants Program
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资助金额:$1.82万
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财政年份:2019
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负责人:Jaouad, Abdelatif
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依托单位:
Passivation plasma de dispositifs électroniques et optoélectroniques à base de nitrure de gallium et des semiconducteurs III-V
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批准号:RGPIN-2015-05007
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项目类别:Discovery Grants Program - Individual
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资助金额:$1.6万
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财政年份:2019
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负责人:Jaouad, Abdelatif
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依托单位:
Passivation plasma de dispositifs électroniques et optoélectroniques à base de nitrure de gallium et des semiconducteurs III-V
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批准号:RGPIN-2015-05007
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项目类别:Discovery Grants Program - Individual
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资助金额:$1.6万
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财政年份:2018
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负责人:Jaouad, Abdelatif
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依托单位:
Couches antireflets/passivation pour les sondes thermiques à base de semiconducteurs III-V pour les applications à forts champs magnétiques
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批准号:520644-2017
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项目类别:Engage Grants Program
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资助金额:$1.82万
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财政年份:2017
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负责人:Jaouad, Abdelatif
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依托单位:
Passivation plasma de dispositifs électroniques et optoélectroniques à base de nitrure de gallium et des semiconducteurs III-V
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批准号:RGPIN-2015-05007
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项目类别:Discovery Grants Program - Individual
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资助金额:$1.6万
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财政年份:2017
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负责人:Jaouad, Abdelatif
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依托单位:
Passivation plasma de dispositifs électroniques et optoélectroniques à base de nitrure de gallium et des semiconducteurs III-V
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批准号:RGPIN-2015-05007
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项目类别:Discovery Grants Program - Individual
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资助金额:$1.6万
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财政年份:2016
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负责人:Jaouad, Abdelatif
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依托单位:
Passivation de dispositifs photoniques haute performance
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批准号:355620-2008
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项目类别:Discovery Grants Program - Individual
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资助金额:$1.42万
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财政年份:2012
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负责人:Jaouad, Abdelatif
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依托单位:
Passivation de dispositifs photoniques haute performance
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批准号:355620-2008
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项目类别:Discovery Grants Program - Individual
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资助金额:$1.42万
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财政年份:2011
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负责人:Jaouad, Abdelatif
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依托单位:
Passivation de dispositifs photoniques haute performance
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批准号:355620-2008
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项目类别:Discovery Grants Program - Individual
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资助金额:$1.42万
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财政年份:2010
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负责人:Jaouad, Abdelatif
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依托单位:
Passivation de dispositifs photoniques haute performance
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批准号:355620-2008
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项目类别:Discovery Grants Program - Individual
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资助金额:$1.42万
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财政年份:2009
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负责人:Jaouad, Abdelatif
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依托单位:
Passivation de dispositifs photoniques haute performance
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批准号:355620-2008
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项目类别:Discovery Grants Program - Individual
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资助金额:$1.42万
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财政年份:2008
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负责人:Jaouad, Abdelatif
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依托单位:
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