Passivation plasma de dispositifs électroniques et optoélectroniques à base de nitrure de gallium et des semiconducteurs III-V

电子和光电处置 à 氮化镓基和半导体 III-V 的钝化等离子体

• 批准号: RGPIN-2015-05007
• 负责人: Jaouad, Abdelatif
• 金额: $ 1.6万
• 依托单位: Université de Sherbrooke
• 依托单位国家: 加拿大
• 项目类别: Discovery Grants Program - Individual
• 财政年份: 2015
• 资助国家: 加拿大
• 起止时间: 2015-01-01 至 2016-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://www.nserc-crsng.gc.ca/ase-oro/Details-Detailles_eng.asp?id=590162
• 关键词: Passivation; plasma; de; dispositifs; lectroniques

Le nitrure de gallium (GaN) et les nitrures III-N bénéficient des propriétés intéressantes (gap direct, haute mobilité des porteurs) qui ont permis aux autres III-V de dépasser le silicium dans certaines applications comme la photonique et les composants hyperfréquence. Leur large bande interdite en fait le matériau de choix pour les dispositifs électroniques de puissance destinés à fonctionner dans des environnements hostiles (haute température, forte irradiation) et en haute tension. Les diodes électroluminescentes (LED) utilisées pour les téléviseurs ACL et pour l’éclairage, constituent un bel exemple du succès du GaN dont les apports ont été reconnus par l’octroi du prix Nobel de physique 2014.

氮化镓（GaN）和氮化镓（GaN）和氮化镓（GaN）和氮化镓（GaN）和氮化镓（GaN）和氮化镓（GaN）和氮化镓（GaN）和氮化镓（GaN）和氮化镓（GaN）和氮化镓（GaN）和氮化镓（GaN）和氮化镓（GaN）和氮化镓（GaN）和氮化镓（GaN）和氮化镓（GaN）和氮化镓（GaN）和氮化镓（GaN）和氮化镓（GaN）和氮化镓（GaN）和氮化镓（GaN）和氮化镓（GaN）和氮化镓（GaN）的某些应用。他们大邦德interdite实际上le materiau de选择倒les dispositifs electroniques de权势让一个函数在des environnement)歹徒(高级温度、福特辐照)等在高级紧张。电子发光二极管（LED）的应用，如：电子发光二极管（LED）的使用，如：电子发光二极管（LED）的使用，如：电子发光二极管（LED）的使用，如：电子发光二极管（LED）的使用，如：电子发光二极管（LED）的使用，如：电子发光二极管（LED）的使用，如：电子发光二极管（LED）的使用，如：电子发光二极管（LED）的使用，如：电子发光二极管（LED）的使用。