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Chemical Vapour Deposition of Monolayer Molybdenum Disulfide for Memristor Devices

Chemical Vapour Deposition of Monolayer Molybdenum Disulfide for Memristor Devices
用于忆阻器器件的单层二硫化钼的化学气相沉积
批准号：
487481-2016
负责人：
Bergeron, Hadallia
金额：
$1.53万
依托单位：
Northwestern University
依托单位国家：
加拿大
项目类别：
Postgraduate Scholarships - Doctoral
财政年份：
2018
资助国家：
加拿大
项目状态：
已结题
起止时间：
2018-01-01 至 2019-12-31
来源：
https://www.nserc-crsng.gc.ca/ase-oro/Details-Detailles_eng.asp?id=645243
关键词：
ChemicalVapourDepositionMonolayerMolybdenum

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nanoelectronics, semiconductor, chemical vapor deposition, molybdenum disulfide, two-dimensional materials, memristor
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Chemical Vapour Deposition of Monolayer Molybdenum Disulfide for Memristor Devices
  • 批准号：
    487481-2016
  • 项目类别：
    Postgraduate Scholarships - Doctoral
  • 资助金额：
    $1.53万
  • 财政年份：
    2017
  • 负责人：
    Bergeron, Hadallia
  • 依托单位：
    Northwestern University
Chemical Vapour Deposition of Monolayer Molybdenum Disulfide for Memristor Devices
  • 批准号：
    487481-2016
  • 项目类别：
    Postgraduate Scholarships - Doctoral
  • 资助金额：
    $1.53万
  • 财政年份：
    2016
  • 负责人：
    Bergeron, Hadallia
  • 依托单位：
    Northwestern University
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