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Chemical Vapour Deposition of Monolayer Molybdenum Disulfide for Memristor Devices
用于忆阻器器件的单层二硫化钼的化学气相沉积
基本信息
- 批准号：487481-2016
- 负责人：
- 金额：$ 1.53万
- 依托单位：
- 依托单位国家：加拿大
- 项目类别：Postgraduate Scholarships - Doctoral
- 财政年份：2018
- 资助国家：加拿大
- 起止时间：2018-01-01 至 2019-12-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
nanoelectronics, semiconductor, chemical vapor deposition, molybdenum disulfide, two-dimensional materials, memristor
纳米电子学、半导体、化学气相沉积、二硫化钼、二维材料、忆阻器
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
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