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Two Dimensional Heterostructure Devices for Low Power Electronics**

Two Dimensional Heterostructure Devices for Low Power Electronics**
用于低功率电子器件的二维异质结构器件**
批准号：
504810-2017
负责人：
Fakih, Ibrahim
金额：
$2.55万
依托单位：
McGill University
依托单位国家：
加拿大
项目类别：
Alexander Graham Bell Canada Graduate Scholarships - Doctoral
财政年份：
2018
资助国家：
加拿大
项目状态：
已结题
起止时间：
2018-01-01 至 2019-12-31
来源：
https://www.nserc-crsng.gc.ca/ase-oro/Details-Detailles_eng.asp?id=650408
关键词：
TwoDimensionalHeterostructureDevicesLow

项目摘要

项目成果

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中文摘要
翻译
二维材料，带间量子隧穿，亚阈值电压摆幅，异质结，晶体管，节能，半导体，石墨烯，黑磷，氮化硼
英文摘要
2 Dimension Materials, Interband Quantum Tunneling, Sub Threshold Voltage Swing, Heterostructure, Transistor, Energy Efficient, Semiconductor, Graphene, Black Phosphorus, Boron Nitride
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会议论文
Two Dimensional Heterostructure Devices for Low Power Electronics
  • 批准号：
    504810-2017
  • 项目类别：
    Alexander Graham Bell Canada Graduate Scholarships - Doctoral
  • 资助金额：
    $2.55万
  • 财政年份：
    2019
  • 负责人：
    Fakih, Ibrahim
  • 依托单位：
    McGill University
Two Dimensional Heterostructure Devices for Low Power Electronics
  • 批准号：
    504810-2017
  • 项目类别：
    Alexander Graham Bell Canada Graduate Scholarships - Doctoral
  • 资助金额：
    $2.55万
  • 财政年份：
    2017
  • 负责人：
    Fakih, Ibrahim
  • 依托单位：
    McGill University
Nanoelectronic Devices and Nanotechnology
  • 批准号：
    444400-2013
  • 项目类别：
    Alexander Graham Bell Canada Graduate Scholarships - Master's
  • 资助金额：
    $1.27万
  • 财政年份：
    2013
  • 负责人：
    Fakih, Ibrahim
  • 依托单位：
    McGill University
Development of GaN transistors
  • 批准号：
    432170-2012
  • 项目类别：
    University Undergraduate Student Research Awards
  • 资助金额：
    $0.33万
  • 财政年份：
    2012
  • 负责人：
    Fakih, Ibrahim
  • 依托单位：
    McGill University
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