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Development of GaN transistors

Development of GaN transistors
GaN晶体管的开发
批准号：
432170-2012
负责人：
Fakih, Ibrahim
金额：
$0.33万
依托单位：
McGill University
依托单位国家：
加拿大
项目类别：
University Undergraduate Student Research Awards
财政年份：
2012
资助国家：
加拿大
项目状态：
已结题
起止时间：
2012-01-01 至 2013-12-31
来源：
https://www.nserc-crsng.gc.ca/ase-oro/Details-Detailles_eng.asp?id=517686
关键词：
DevelopmentGaNtransistors

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Two Dimensional Heterostructure Devices for Low Power Electronics
  • 批准号：
    504810-2017
  • 项目类别：
    Alexander Graham Bell Canada Graduate Scholarships - Doctoral
  • 资助金额：
    $2.55万
  • 财政年份：
    2019
  • 负责人：
    Fakih, Ibrahim
  • 依托单位：
    McGill University
Two Dimensional Heterostructure Devices for Low Power Electronics**
  • 批准号：
    504810-2017
  • 项目类别：
    Alexander Graham Bell Canada Graduate Scholarships - Doctoral
  • 资助金额：
    $2.55万
  • 财政年份：
    2018
  • 负责人：
    Fakih, Ibrahim
  • 依托单位：
    McGill University
Two Dimensional Heterostructure Devices for Low Power Electronics
  • 批准号：
    504810-2017
  • 项目类别：
    Alexander Graham Bell Canada Graduate Scholarships - Doctoral
  • 资助金额：
    $2.55万
  • 财政年份：
    2017
  • 负责人：
    Fakih, Ibrahim
  • 依托单位：
    McGill University
Nanoelectronic Devices and Nanotechnology
  • 批准号：
    444400-2013
  • 项目类别：
    Alexander Graham Bell Canada Graduate Scholarships - Master's
  • 资助金额：
    $1.27万
  • 财政年份：
    2013
  • 负责人：
    Fakih, Ibrahim
  • 依托单位：
    McGill University
国内基金
海外基金
垂直型GaN肖特基势垒二极管研究
  • 批准号：
  • 项目类别：
    省市级项目
  • 资助金额：
    --
  • 批准年份：
    2026
  • 负责人：
    刘梦涵
  • 依托单位：
    南京信息职业技术学院
异质结极化场局域调控机制与选区外延p-GaN HEMT研究
基于金刚石高效散热封装的高功率高压GaN器件研发与产业化
复合抗磨涂层仿生微结构化表面自润滑 金刚石砂轮的制备与其磨削单晶GaN基础 研究
  • 批准号：
  • 项目类别：
    省市级项目
  • 资助金额：
    10.0万元
  • 批准年份：
    2025
  • 负责人：
    戴厚富
  • 依托单位：
    汕头大学