Development of GaN transistors

GaN晶体管的开发

基本信息

  • 批准号:
    432170-2012
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 0.33万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    加拿大
  • 项目类别:
    University Undergraduate Student Research Awards
  • 财政年份:
    2012
  • 资助国家:
    加拿大
  • 起止时间:
    2012-01-01 至 2013-12-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

No summary - Aucun sommaire
无摘要- Aucun sommaire

项目成果

期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

Fakih, Ibrahim其他文献

High resolution potassium sensing with large-area graphene field-effect transistors
  • DOI:
    10.1016/j.snb.2019.04.032
  • 发表时间:
    2019-07-15
  • 期刊:
  • 影响因子:
    8.4
  • 作者:
    Fakih, Ibrahim;Centeno, Alba;Szkopek, Thomas
  • 通讯作者:
    Szkopek, Thomas
Selective ion sensing with high resolution large area graphene field effect transistor arrays
  • DOI:
    10.1038/s41467-020-16979-y
  • 发表时间:
    2020-06-26
  • 期刊:
  • 影响因子:
    16.6
  • 作者:
    Fakih, Ibrahim;Durnan, Oliver;Szkopek, Thomas
  • 通讯作者:
    Szkopek, Thomas
Sensitive Precise pH Measurement with Large-Area Graphene Field-Effect Transistors at the Quantum-Capacitance Limit
  • DOI:
    10.1103/physrevapplied.8.044022
  • 发表时间:
    2017-10-30
  • 期刊:
  • 影响因子:
    4.6
  • 作者:
    Fakih, Ibrahim;Mahvash, Farzaneh;Szkopek, Thomas
  • 通讯作者:
    Szkopek, Thomas

Fakih, Ibrahim的其他文献

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

{{ truncateString('Fakih, Ibrahim', 18)}}的其他基金

Two Dimensional Heterostructure Devices for Low Power Electronics
用于低功率电子器件的二维异质结构器件
  • 批准号:
    504810-2017
  • 财政年份:
    2019
  • 资助金额:
    $ 0.33万
  • 项目类别:
    Alexander Graham Bell Canada Graduate Scholarships - Doctoral
Two Dimensional Heterostructure Devices for Low Power Electronics**
用于低功率电子器件的二维异质结构器件**
  • 批准号:
    504810-2017
  • 财政年份:
    2018
  • 资助金额:
    $ 0.33万
  • 项目类别:
    Alexander Graham Bell Canada Graduate Scholarships - Doctoral
Two Dimensional Heterostructure Devices for Low Power Electronics
用于低功率电子器件的二维异质结构器件
  • 批准号:
    504810-2017
  • 财政年份:
    2017
  • 资助金额:
    $ 0.33万
  • 项目类别:
    Alexander Graham Bell Canada Graduate Scholarships - Doctoral
Nanoelectronic Devices and Nanotechnology
纳米电子器件和纳米技术
  • 批准号:
    444400-2013
  • 财政年份:
    2013
  • 资助金额:
    $ 0.33万
  • 项目类别:
    Alexander Graham Bell Canada Graduate Scholarships - Master's
Plasmonic Optical Biosensors
等离激元光学生物传感器
  • 批准号:
    414810-2011
  • 财政年份:
    2011
  • 资助金额:
    $ 0.33万
  • 项目类别:
    University Undergraduate Student Research Awards

相似国自然基金

基于金刚石高效散热封装的高功率高压GaN器件研发与产业化
  • 批准号:
  • 批准年份:
    2025
  • 资助金额:
    0.0 万元
  • 项目类别:
    省市级项目
异质结极化场局域调控机制与选区外延p-GaN HEMT研究
  • 批准号:
  • 批准年份:
    2025
  • 资助金额:
    0.0 万元
  • 项目类别:
    省市级项目
复合抗磨涂层仿生微结构化表面自润滑 金刚石砂轮的制备与其磨削单晶GaN基础 研究
  • 批准号:
  • 批准年份:
    2025
  • 资助金额:
    10.0 万元
  • 项目类别:
    省市级项目
新型自支撑GaN/二维GaSe范德华异质结垂直结构紫外光电探测器研究
  • 批准号:
    QZQN25F050009
  • 批准年份:
    2025
  • 资助金额:
    0.0 万元
  • 项目类别:
    省市级项目
GaN功率器件动态阈值不稳定诱导退化机理研究
  • 批准号:
  • 批准年份:
    2025
  • 资助金额:
    0.0 万元
  • 项目类别:
    省市级项目
面向无人机应用的增强型p-gate AlGaN/GaN HEMT高功率微波辐射效应及 机理研究
  • 批准号:
  • 批准年份:
    2025
  • 资助金额:
    10.0 万元
  • 项目类别:
    省市级项目
GaN基电子器件界面热输运机理研究
  • 批准号:
    2025JJ50045
  • 批准年份:
    2025
  • 资助金额:
    0.0 万元
  • 项目类别:
    省市级项目
免造影剂增强心脏CT技术:深度学习GAN与U-Net架构的融合应用
  • 批准号:
    2025JJ80644
  • 批准年份:
    2025
  • 资助金额:
    0.0 万元
  • 项目类别:
    省市级项目
基于GAN-PSO智能算法的高性能Mg-Mn系变形镁合金设计
  • 批准号:
  • 批准年份:
    2025
  • 资助金额:
    0.0 万元
  • 项目类别:
    省市级项目
大尺寸 Si 基 GaN 材料外延及功率器件开发关键技术
  • 批准号:
  • 批准年份:
    2025
  • 资助金额:
    0.0 万元
  • 项目类别:
    省市级项目

相似海外基金

Vertical GaN-on-Si membrane power transistors: Efficient power electronics for mass-market applications (VertiGaN)`
垂直硅基氮化镓薄膜功率晶体管:面向大众市场应用的高效电力电子器件 (VertiGaN)`
  • 批准号:
    EP/X014924/1
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 0.33万
  • 项目类别:
    Research Grant
Vertical GaN Transistors on Silicon Substrates
硅衬底上的垂直 GaN 晶体管
  • 批准号:
    2770305
  • 财政年份:
    2022
  • 资助金额:
    $ 0.33万
  • 项目类别:
    Studentship
Experimental and theoretical investigation of geometric and compositional factors in improving the off-state breakdown voltage, reliability, and enhancement-mode operation among GaN channel hetero-structure field effect transistors
几何和成分因素在提高 GaN 沟道异质结构场效应晶体管断态击穿电压、可靠性和增强模式操作方面的实验和理论研究
  • 批准号:
    RGPIN-2020-05656
  • 财政年份:
    2022
  • 资助金额:
    $ 0.33万
  • 项目类别:
    Discovery Grants Program - Individual
Characterising GaN transistors using contactless probes
使用非接触式探针表征 GaN 晶体管
  • 批准号:
    2602168
  • 财政年份:
    2021
  • 资助金额:
    $ 0.33万
  • 项目类别:
    Studentship
Experimental and theoretical investigation of geometric and compositional factors in improving the off-state breakdown voltage, reliability, and enhancement-mode operation among GaN channel hetero-structure field effect transistors
几何和成分因素在提高 GaN 沟道异质结构场效应晶体管断态击穿电压、可靠性和增强模式操作方面的实验和理论研究
  • 批准号:
    RGPIN-2020-05656
  • 财政年份:
    2021
  • 资助金额:
    $ 0.33万
  • 项目类别:
    Discovery Grants Program - Individual
The use of GaN Transistors as radiation hard high-voltage switches
使用GaN晶体管作为抗辐射高压开关
  • 批准号:
    ST/V002430/1
  • 财政年份:
    2020
  • 资助金额:
    $ 0.33万
  • 项目类别:
    Research Grant
Experimental and theoretical investigation of geometric and compositional factors in improving the off-state breakdown voltage, reliability, and enhancement-mode operation among GaN channel hetero-structure field effect transistors
几何和成分因素在提高 GaN 沟道异质结构场效应晶体管断态击穿电压、可靠性和增强模式操作方面的实验和理论研究
  • 批准号:
    RGPIN-2020-05656
  • 财政年份:
    2020
  • 资助金额:
    $ 0.33万
  • 项目类别:
    Discovery Grants Program - Individual
Low temperature single crystal GaN films for energy efficient power transistors
用于节能功率晶体管的低温单晶 GaN 薄膜
  • 批准号:
    517917-2017
  • 财政年份:
    2019
  • 资助金额:
    $ 0.33万
  • 项目类别:
    Vanier Canada Graduate Scholarship Tri-Council - Doctoral 3 years
Highly Stable Normally-off GaN-based transistors via Structures and Process
通过结构和工艺实现高度稳定的常关型 GaN 晶体管
  • 批准号:
    19K04528
  • 财政年份:
    2019
  • 资助金额:
    $ 0.33万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Gallium Nitride (GaN) Power Transistors, Gate Driving Techniques and Next Generation Integrated Power Converters
氮化镓 (GaN) 功率晶体管、栅极驱动技术和下一代集成功率转换器
  • 批准号:
    RGPIN-2014-04556
  • 财政年份:
    2018
  • 资助金额:
    $ 0.33万
  • 项目类别:
    Discovery Grants Program - Individual
{{ showInfoDetail.title }}

作者:{{ showInfoDetail.author }}

知道了