Optimisation des performances des filtres EMI dans les environnements à forte pollution électromagnétique

电子交换技术、渗透性交换技术、高级交换技术、高级交换技术、高级交换技术、高级交换技术、高级交换技术、高级交换技术、高级交换技术、高级交换技术、高级交换技术、高级交换技术、高级交换技术、高级交换技术、高级交换技术、高级交换技术、高级交换技术、高级交换技术。让'operation高级温度reduire身材et des系统de la一起refroidissement tandis, les faibles capacites寄生虫des SiC演示d 'atteindre des频数de换向inegalees par le Si reduisant substantiellement身材des元素passifs des filtres harmoniques。同时，它的优点也存在着一些问题，如：与转换器相比，与转换器相比，与转换器相比，与转换器相比，与转换器相比，与转换器相比，与转换器相比，与转换器相比，与转换器相比，与转换器相比，与转换器相比，与转换器相比，与转换器相比，与转换器相比，与转换器相比，与转换器相比，与转换器相比，与转换器相比，与转换器相比，与转换器相比，与转换器相比，与转换器相比，与转换器相比，与转换器相比，前者具有更高的频率，而前者则具有更高的频率。在不考虑兼容性规范的情况下，EMI做了être conpruu et intacriur et intacrieur du convertisur。从概念上看，这是一个复杂的过程，但它并不支持最大限度的转换，因为它保证了从本质上说，从本质上说，从本质上说，从本质上说，从本质上说，从本质上说，从本质上说，就是从本质上说，从本质上说，就是从本质上说，就是从本质上说，就是从本质上说。另外，在交换过程中，交换交换过程中，交换交换过程中，交换交换过程中，交换交换过程中，交换交换过程中，交换交换过程中，交换交换过程中，交换交换过程中，交换交换过程中，交换交换过程中，交换交换过程中，交换交换过程中，交换交换过程中，交换交换过程中，交换交换过程中，交换交换过程中，交换交换过程中，交换交换过程中，交换交换过程中，交换交换过程中，交换交换过程中，交换交换。这两种相互作用改变了l' attacimunuation的形式，使计算器变得异常困难。在“电子与电子之间的相互作用”和“环境与污染之间的相互作用”两个方面，“研究方案”提出了以下建议：1)量词“相互作用”和2)“新结构”“电子与电子之间的相互作用”。“部分单元等效电路技术”和“有限单元法”提出了一种新的方法，即通过“部分单元等效电路技术”和“有限单元法”，将“部分单元等效电路技术”和“部分单元等效电路技术”结合起来，将“部分单元等效电路技术”和“部分单元等效电路技术”用于构建“部分单元等效电路技术”。联合国计划试验了各种形式的薪金和薪金，并对薪金和薪金进行了比较。******************

L'avènement récent des technologies SiC en électronique de puissance, permettant l'opération à haute température et à fréquence de commutation élevée des interrupteurs de puissance, entraînera inévitablement un recul des limites imposées par les technologies à Silicium standard âgées de plus de 30 ans. Concrètement, l'opération à haute température permet de réduire la taille et la masse des systèmes de refroidissement tandis que les faibles capacités parasites des SiC permettent d'atteindre des fréquences de commutation inégalées par le Si, réduisant substantiellement la taille des éléments passifs des filtres harmoniques. En dépit de ces avantages subsiste les problèmes de compatibilité électromagnétique des convertisseurs, largement amplifiés par les pentes abruptes de commutation des transistors SiC qui génèrent un contenu spectral riche dans la bande réglementée du EMI conduit (150kHz à 30MHz). Afin de respecter les normes de compatibilité, un filtre EMI doit être conçu et intégré à l'intérieur du convertisseur. La conception de ce filtre est très complexe, car il doit supporter le courant maximal du convertisseur tout en assurant des caractéristiques d'atténuations élevées à haute fréquence. De plus, lorsque la puissance volumique du convertisseur est élevée, une difficulté supplémentaire est engendrée par les interactions électromagnétiques existantes entre les composants du filtre, le circuit imprimé et la structure métallique qui sont très rapprochés. Ces interactions altèrent l'atténuation du filtre qui devient difficile à calculer. Afin d'améliorer les performances des filtres dans ces milieux pollués, le programme de recherche proposé vise à 1) quantifier ces interactions et 2) développer de nouvelles structures de filtre résistantes à ces perturbations électromagnétiques. Des techniques de quantification basées sur la modélisation PEEC (Partial Element Equivalent Circuit) et FEM (Finite Element Method) sont proposées tandis que l'impression 3D est préconisée pour construire des structures de filtre intégrant blindage magnétique et blindage par courants de Foucault (métallique). Un plan expérimental est également proposé afin de valider les approches développées. ******************