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Medium energy ion scattering from clean single crystal surfaces
中等能量离子从干净的单晶表面散射
基本信息
- 批准号：3964-1991
- 负责人：
- 金额：$ 1.82万
- 依托单位：
- 依托单位国家：加拿大
- 项目类别：Discovery Grants Program - Individual
- 财政年份：1991
- 资助国家：加拿大
- 起止时间：1991-01-01 至 1992-12-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
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项目成果
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Surface structure investigations by medium energy ion scattering. Multicharged ion production in surface scattering
通过中能离子散射研究表面结构。
- 批准号：
3964-1994 - 财政年份：1996
- 资助金额：
$ 1.82万 - 项目类别：
Discovery Grants Program - Individual
Surface structure investigations by medium energy ion scattering. Multicharged ion production in surface scattering
通过中能离子散射研究表面结构。
- 批准号：
3964-1994 - 财政年份：1995
- 资助金额：
$ 1.82万 - 项目类别：
Discovery Grants Program - Individual
Surface structure investigations by medium energy ion scattering. Multicharged ion production in surface scattering
通过中能离子散射研究表面结构。
- 批准号：
3964-1994 - 财政年份：1994
- 资助金额：
$ 1.82万 - 项目类别：
Discovery Grants Program - Individual
Medium energy ion scattering from clean single crystal surfaces
中等能量离子从干净的单晶表面散射
- 批准号：
3964-1991 - 财政年份：1993
- 资助金额：
$ 1.82万 - 项目类别：
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Time-of-flight spectrometer for ion-surface scattering measurements
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- 批准号：
138635-1993 - 财政年份：1992
- 资助金额：
$ 1.82万 - 项目类别：
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Medium energy ion scattering from clean single crystal surfaces
中等能量离子从干净的单晶表面散射
- 批准号：
3964-1991 - 财政年份：1992
- 资助金额：
$ 1.82万 - 项目类别：
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- 批准号：11074228
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Development of Radiography Using Proton-Induced X-Rays to Reduce the Dosages of Contrast-Medium and Radiation
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17300170 - 财政年份：2005
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Medium Energy Ion Scattering Studies of Thin Films
薄膜的中能离子散射研究
- 批准号：
0218406 - 财政年份：2002
- 资助金额：
$ 1.82万 - 项目类别：
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13640411 - 财政年份：2001
- 资助金额：
$ 1.82万 - 项目类别：
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Surface structure investigations by medium energy ion scattering. Multicharged ion production in surface scattering
通过中能离子散射研究表面结构。
- 批准号：
3964-1994 - 财政年份：1996
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$ 1.82万 - 项目类别：
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Surface structure investigations by medium energy ion scattering. Multicharged ion production in surface scattering
通过中能离子散射研究表面结构。
- 批准号：
3964-1994 - 财政年份：1995
- 资助金额：
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Development of medium energy ion scattering spectroscopy using time of flight method and its application to semiconductor process evaluation
飞行时间法中能离子散射光谱的发展及其在半导体工艺评估中的应用
- 批准号：
06555096 - 财政年份：1994
- 资助金额：
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