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低温高密度等离子体的形成及其在硅薄膜生长中的应用
结题报告
批准号：
10175030
项目类别：
面上项目
资助金额：
19.0 万元
负责人：
贺德衍
依托单位：
兰州大学
学科分类：
A2907.低温等离子体
结题年份：
2004
批准年份：
2001
项目状态：
已结题
项目参与者：
杨映虎、蔡让歧、王文武、程文娟、李亚丽、贾海军
关键词：
多晶硅薄膜.快速生长低温高密度等离子.
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中文摘要
本项目拟研究在电感耦合射频等离子体系统中硅烷和氢气的低压低温高密度等离子体的形成,测量不同等离子体条件下电子和离子的温度、密度及其空间分布、能量分布函数，探讨等胱犹宓男灾视牍璞∧どに俾省⒔峋е柿康墓叵怠Ｔ?350°C的温度下以>30A°/S的速率制备出纯相多晶硅薄膜，为多晶硅薄膜在大面积器件中的应用提供有价值的材料参数。
英文摘要
专著列表
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会议论文列表
专利列表
高能量密度锂-硫电池电极的设计、制备及其性能研究
  • 批准号：
    11674138
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    65.0万元
  • 批准年份：
    2016
  • 负责人：
    贺德衍
  • 依托单位：
    兰州大学
离子辐照硅基薄膜作为大容量高功率锂离子电池负极材料研究
  • 批准号：
    11179038
  • 项目类别：
    联合基金项目
  • 资助金额：
    48.0万元
  • 批准年份：
    2011
  • 负责人：
    贺德衍
  • 依托单位：
    兰州大学
硅基材料纳米管的制备及其锂离子电池性能研究
  • 批准号：
    10974073
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    38.0万元
  • 批准年份：
    2009
  • 负责人：
    贺德衍
  • 依托单位：
    兰州大学
用大气压等离子体CVD快速制备低温晶化Si薄膜
  • 批准号：
    60776009
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    36.0万元
  • 批准年份：
    2007
  • 负责人：
    贺德衍
  • 依托单位：
    兰州大学
SiGe量子点薄膜的低温自组织化生长
  • 批准号：
    69776007
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    14.8万元
  • 批准年份：
    1997
  • 负责人：
    贺德衍
  • 依托单位：
    兰州大学
非晶半导体器件中的变带隙夹层及异质界面特性分析
  • 批准号：
    18800703
  • 项目类别：
    青年科学基金项目
  • 资助金额：
    3.5万元
  • 批准年份：
    1988
  • 负责人：
    贺德衍
  • 依托单位：
    兰州大学
国内基金
海外基金