用大气压等离子体CVD快速制备低温晶化Si薄膜
批准号:
60776009
项目类别:
面上项目
资助金额:
36.0 万元
负责人:
贺德衍
依托单位:
学科分类:
F0401.半导体材料
结题年份:
2010
批准年份:
2007
项目状态:
已结题
项目参与者:
尹旻、杨映虎、高平奇、彭尚龙、王金晓、唐泽国、闫恒庆
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中文摘要
用非平衡的低温等离子体技术制备薄膜半导体材料需要实现高速化。本项目提出采用非平衡的大气压超高频等离子体CVD技术快速制备用于太阳电池的低温晶化Si薄膜。主要研究内容包括:1)持续稳定的大气压超高频等离子体的生成、诊断及其控制;2)围绕提高薄膜生长速率的目标,实时监控等离子体,对其中的活性粒子生成机理和反应机制进行深入探讨;3)确立最佳反应条件,快速制备出具有优异光电特性的低温晶化Si薄膜;4)低温晶化Si薄膜的电学、光学特性表征及其在太阳电池中的应用探讨。.大气压等离子技术正以其独特的性质和低廉的成本而受到广泛关注。系统研究用非平衡的大气压超高频等离子体CVD技术快速制备低温晶化Si薄膜将会对相关领域的研究产生积极影响。
英文摘要
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The influence of H2/Ar ratio on Ge content of the mc-SiGe:H films deposited by PECVD
H2/Ar比对PECVD沉积mc-SiGe:H薄膜Ge含量的影响
DOI:--
发表时间:--
期刊:
影响因子:--
作者:
通讯作者:
The structure and optical properties of silicon nanowires prepared by inductively coupled plasma chemical vapor deposition
电感耦合等离子体化学气相沉积硅纳米线的结构和光学性能
DOI:10.1016/j.matlet.2011.01.033
发表时间:2011-04
期刊:Materials Letters
影响因子:3
作者:
通讯作者:
The optoelectronic properties of silicon films deposited by inductively coupled plasma CVD
电感耦合等离子体CVD沉积硅薄膜的光电特性
DOI:10.1016/j.apsusc.2010.07.071
发表时间:2010-11
期刊:Applied Surface Science
影响因子:6.7
作者:
通讯作者:
Effect of Ar in the source gas on the microstructure and optoelectronic properties of microcrystalline silicon films deposited by plasma-enhanced CVD
源气中Ar对等离子体增强CVD沉积微晶硅薄膜微观结构和光电性能的影响
DOI:10.1016/j.apsusc.2010.08.068
发表时间:2010-12
期刊:Applied Surface Science
影响因子:6.7
作者:
通讯作者:
Deposition and growth mechanism of low-temperature crystalline silicon films on inexpensive substrates
廉价衬底上低温晶体硅薄膜的沉积和生长机制
DOI:--
发表时间:--
期刊:
影响因子:--
作者:
通讯作者:
高能量密度锂-硫电池电极的设计、制备及其性能研究
- 批准号:11674138
- 项目类别:面上项目
- 资助金额:65.0万元
- 批准年份:2016
- 负责人:贺德衍
- 依托单位:
离子辐照硅基薄膜作为大容量高功率锂离子电池负极材料研究
- 批准号:11179038
- 项目类别:联合基金项目
- 资助金额:48.0万元
- 批准年份:2011
- 负责人:贺德衍
- 依托单位:
硅基材料纳米管的制备及其锂离子电池性能研究
- 批准号:10974073
- 项目类别:面上项目
- 资助金额:38.0万元
- 批准年份:2009
- 负责人:贺德衍
- 依托单位:
低温高密度等离子体的形成及其在硅薄膜生长中的应用
- 批准号:10175030
- 项目类别:面上项目
- 资助金额:19.0万元
- 批准年份:2001
- 负责人:贺德衍
- 依托单位:
SiGe量子点薄膜的低温自组织化生长
- 批准号:69776007
- 项目类别:面上项目
- 资助金额:14.8万元
- 批准年份:1997
- 负责人:贺德衍
- 依托单位:
非晶半导体器件中的变带隙夹层及异质界面特性分析
- 批准号:18800703
- 项目类别:青年科学基金项目
- 资助金额:3.5万元
- 批准年份:1988
- 负责人:贺德衍
- 依托单位:
国内基金
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