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用大气压等离子体CVD快速制备低温晶化Si薄膜

批准号：
60776009
项目类别：
面上项目
资助金额：
36.0 万元
负责人：
贺德衍
依托单位：
兰州大学
学科分类：
半导体材料
结题年份：
2010
批准年份：
2007
项目状态：
已结题
项目参与者：
尹旻、杨映虎、高平奇、彭尚龙、王金晓、唐泽国、闫恒庆
关键词：
低温晶化Si薄膜高浓度活性粒子形成大气压超高频等离子体CVD表面生长反应控制快速生长

项目摘要

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中文摘要
用非平衡的低温等离子体技术制备薄膜半导体材料需要实现高速化。本项目提出采用非平衡的大气压超高频等离子体CVD技术快速制备用于太阳电池的低温晶化Si薄膜。主要研究内容包括：1）持续稳定的大气压超高频等离子体的生成、诊断及其控制；2）围绕提高薄膜生长速率的目标，实时监控等离子体，对其中的活性粒子生成机理和反应机制进行深入探讨；3）确立最佳反应条件，快速制备出具有优异光电特性的低温晶化Si薄膜；4）低温晶化Si薄膜的电学、光学特性表征及其在太阳电池中的应用探讨。.大气压等离子技术正以其独特的性质和低廉的成本而受到广泛关注。系统研究用非平衡的大气压超高频等离子体CVD技术快速制备低温晶化Si薄膜将会对相关领域的研究产生积极影响。
英文摘要
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The influence of H2/Ar ratio on Ge content of the mc-SiGe:H films deposited by PECVD
H2/Ar比对PECVD沉积mc-SiGe:H薄膜Ge含量的影响
DOI： --
发表时间： --
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
The structure and optical properties of silicon nanowires prepared by inductively coupled plasma chemical vapor deposition
电感耦合等离子体化学气相沉积硅纳米线的结构和光学性能
DOI： 10.1016/j.matlet.2011.01.033
发表时间： 2011-04
期刊： Materials Letters
影响因子： 3
作者： []
通讯作者：
The optoelectronic properties of silicon films deposited by inductively coupled plasma CVD
电感耦合等离子体CVD沉积硅薄膜的光电特性
DOI： 10.1016/j.apsusc.2010.07.071
发表时间： 2010-11
期刊： Applied Surface Science
影响因子： 6.7
作者： []
通讯作者：
Effect of Ar in the source gas on the microstructure and optoelectronic properties of microcrystalline silicon films deposited by plasma-enhanced CVD
源气中Ar对等离子体增强CVD沉积微晶硅薄膜微观结构和光电性能的影响
DOI： 10.1016/j.apsusc.2010.08.068
发表时间： 2010-12
期刊： Applied Surface Science
影响因子： 6.7
作者： []
通讯作者：
共 8 条
    高能量密度锂-硫电池电极的设计、制备及其性能研究
    • 批准号：
      11674138
    • 项目类别：
      面上项目
    • 资助金额：
      65.0万元
    • 批准年份：
      2016
    • 负责人：
      贺德衍
    • 依托单位：
      兰州大学
    离子辐照硅基薄膜作为大容量高功率锂离子电池负极材料研究
    • 批准号：
      11179038
    • 项目类别：
      联合基金项目
    • 资助金额：
      48.0万元
    • 批准年份：
      2011
    • 负责人：
      贺德衍
    • 依托单位：
      兰州大学
    硅基材料纳米管的制备及其锂离子电池性能研究
    • 批准号：
      10974073
    • 项目类别：
      面上项目
    • 资助金额：
      38.0万元
    • 批准年份：
      2009
    • 负责人：
      贺德衍
    • 依托单位：
      兰州大学
    低温高密度等离子体的形成及其在硅薄膜生长中的应用
    • 批准号：
      10175030
    • 项目类别：
      面上项目
    • 资助金额：
      19.0万元
    • 批准年份：
      2001
    • 负责人：
      贺德衍
    • 依托单位：
      兰州大学
    国内基金
    海外基金