课题基金 / 基金详情

SiGe量子点薄膜的低温自组织化生长

批准号：
69776007
项目类别：
面上项目
资助金额：
14.8 万元
负责人：
贺德衍
依托单位：
兰州大学
学科分类：
半导体材料
结题年份：
2000
批准年份：
1997
项目状态：
已结题
项目参与者：
谢二庆、杨今漫、罗靖、公维宾
关键词：
自组织化生长反应性热CVDSiGe量子点薄膜

贺德衍的其他基金

相似基金

相关文献

高能量密度锂-硫电池电极的设计、制备及其性能研究
  • 批准号：
    11674138
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    65.0万元
  • 批准年份：
    2016
  • 负责人：
    贺德衍
  • 依托单位：
    兰州大学
离子辐照硅基薄膜作为大容量高功率锂离子电池负极材料研究
  • 批准号：
    11179038
  • 项目类别：
    联合基金项目
  • 资助金额：
    48.0万元
  • 批准年份：
    2011
  • 负责人：
    贺德衍
  • 依托单位：
    兰州大学
硅基材料纳米管的制备及其锂离子电池性能研究
  • 批准号：
    10974073
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    38.0万元
  • 批准年份：
    2009
  • 负责人：
    贺德衍
  • 依托单位：
    兰州大学
用大气压等离子体CVD快速制备低温晶化Si薄膜
  • 批准号：
    60776009
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    36.0万元
  • 批准年份：
    2007
  • 负责人：
    贺德衍
  • 依托单位：
    兰州大学
国内基金
海外基金