掠入射荧光XAFS研究半导体量子体系的结构和性能

物质的表面和界面结构研究是物理和材料科学的重要前沿研究领域。建立高灵敏和高精度的掠入射荧光XAFS同步辐射实验方法，实现物质表面、薄膜材料和低浓度样品的XAFS研究，将为我国在表面科学、生命科学、材料科学等领域提供一个有意义的公共研究平台。掠入射荧光XAFS、同步辐射光电子能谱和原子力显微镜等技术研究分子束外延生长的InSb、GaAs、GaSb基量子点和阱的局域结构、电子结构、表面和界面结构随掺杂、过渡层结构、尺寸大小等条件的影响，认识其微观生长机理。光致发光谱测量其量子体系的发光特性，从掺入缺电子和富电子的杂质元素控制其量子体系在红外波段有很高的发光效率和可调的特征波长。分子动力学方法计算其量子体系的结构和物理性质，从实验和理论上建立制备、结构与性能之间的关系，并相互印证。为制备高质量的InSb、GaAs、GaSb基半导体红外量子器件提供坚实的物理基础。