铁电非挥发存储器是正在兴起的新一代存储器件,它兼有快速存取功能和非挥发性特点, 同时具有低能耗和集成度高等优势,是高集成度芯片系统中大密度非挥发存储器的有力竞争者。目前材料基础科学问题的研究与材料性能优化是其发展的关键。2002年始有报道的钕掺杂钛酸铋薄膜同时具有大剩余极化、低合成温度和抗疲劳等诸多优点，已成为非挥发铁电存储的热门候选材料,但有关这种新型薄膜的研究报道还相对较少。本项目研究薄膜的失效机理,特别关注这种薄膜的疲劳、保持、老化和漏电等使用可靠性问题与微结构的关系；探索利用微结构提高薄膜可靠性的途径。本项目的意义在于：在国际同类研究尚未涉及钕掺杂钛酸铋薄膜的可靠性问题时，迅速对这种极有希望的新型铁电存储候选材料的可靠性和失效机理进行研究，促进我国铁电非挥发存储材料和器件的基础研究，为发展自主知识产权的高密度非挥发性存储器做材料工艺和机理方面的准备。